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1. (EP2789013) HIGH CURRENT HIGH VOLTAGE GAN FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHOD OF FABRICATING SAME

专利局 : 欧洲专利局 (EPO)
申请号: 12856419 申请日: 15.05.2012
公布号: 2789013 公布日: 15.10.2014
公布类型: A1
指定国: AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LI,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR
国际专利分类:
H01L 29/778
H01L 21/335
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
778
带有二维载流子气沟道的,如HEMT
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
CPC:
H01L 29/66462
H01L 21/31144
H01L 29/2003
H01L 29/402
H01L 29/42316
H01L 29/7786
申请人:
发明人:
优先权数据: 201113312406 06.12.2011 US
2012038013 15.05.2012 US
标题: (DE) HOCHSTROM- UND HOCHSPANNUNGS-GAN-FELDEFFEKTTRANSISTOREN UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
(EN) HIGH CURRENT HIGH VOLTAGE GAN FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHOD OF FABRICATING SAME
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP AU GAN À HAUT COURANT ET À HAUTE TENSION ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
摘要: