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1. (CN102737715) 用于NOR闪存的数据掉电保护方法

专利局 : 中国
申请号: 201110083181.5 申请日: 02.04.2011
公布号: 102737715 公布日: 17.10.2012
授权号: 102737715 授权日: 21.10.2015
公布类型: B
国际专利分类:
G11C 16/06
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
06
辅助电路,例如,用于写入存储器的
申请人: 航天信息股份有限公司
发明人: 王杰斌
郭宝安
张飚
于志强
吴渊
丁瑶
唐凌
王芳
鲁昱
舒南飞
代理人: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139
优先权数据:
标题: (EN) Data brown-out protection method for NOR flash memory
(ZH) 用于NOR闪存的数据掉电保护方法
摘要: front page image
(EN) The present invention provides a data brown-out protection method for an NOR flash memory. The method includes the following steps: step one: separately dividing an array for storing mark structured data from a first sector of a data storage area of the NOR flash memory, wherein the array for storing the mark structured data is a mark structured array, and the sector is a mark storage area, and the mark structured data contains a memory address value, a length value, a backup symbol value, a backup address value and a memory mark value; step two: establishing a mapping table in a next sector of the data storage area of the NOR flash memory, wherein each table entry in the mapping table corresponds to a basic erasing unit of the data storage area; step three: finding the mapping table to identify the backup address; step four: integrating and writing data to be overwritten into the backup address, and rewriting the backup address value, memory address value, length value and backup mark value of the mark structured data; and step five: writing the backup data into the data storage location, and rewriting the storage mark value.
(ZH)

本发明提供了一种用于NOR闪存的数据掉电保护方法,包括以下步骤:步骤一:在NOR闪存的数据存储区第一个扇区单独划出用于存储标志结构数据的数组,用于存储标志结构数据的数组为标志结构数组,该扇区为标志存储区;该标志结构数据包含存储地址值、长度值、备份标志值、备份地址值和存储标志值;步骤二:在NOR闪存的数据存储区接下来的扇区设立一张映射表,该映射表的每个表项对应一个数据存储区基本擦写单位;步骤三:查找映射表,找出备份地址;步骤四:将要改写的数据整合写入该备份地址,并改写该标志结构数据的备份地址值、存储地址值、长度值和备份标志值;步骤五:将备份数据写入数据存储位置,并改写存储标志值。