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1. (WO2019045905) APPARATUSES HAVING MEMORY CELLS WITH TWO TRANSISTORS AND ONE CAPACITOR, AND HAVING BODY REGIONS OF THE TRANSISTORS COUPLED WITH REFERENCE VOLTAGES
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公布号: WO/2019/045905 国际申请号: PCT/US2018/043313
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 23.07.2018
国际专利分类:
H01L 27/07 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
07
有源区共用的组件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
10
在重复结构中包括有多个独立组件的
105
包含场效应组件的
108
动态随机存取存储结构的
申请人:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716, US
发明人:
KARDA, Kamal, M.; US
MOULI, Chandra; US
PULUGURTHA, Srinivas; US
GUPTA, Rajesh, N.; IN
代理人:
MATKIN, Mark, S.; US
HENDRICKSEN, Mark, W.; US
LATWESEN, David, G.; US
SHAURETTE, James, D.; US
GRZELAK, Keith, D.; US
优先权数据:
62/552,99531.08.2017US
标题 (EN) APPARATUSES HAVING MEMORY CELLS WITH TWO TRANSISTORS AND ONE CAPACITOR, AND HAVING BODY REGIONS OF THE TRANSISTORS COUPLED WITH REFERENCE VOLTAGES
(FR) APPAREILS AYANT DES CELLULES DE MÉMOIRE COMPORTANT DEUX TRANSISTORS ET UN CONDENSATEUR, ET DONT LES RÉGIONS DE CORPS DES TRANSISTORS SONT COUPLÉES À DES TENSIONS DE RÉFÉRENCE
摘要:
(EN) Some embodiments include a memory cell with two transistors and one capacitor. The transistors are a first transistor and a second transistor. The capacitor has a first node coupled with a source/drain region of the first transistor, and has a second node coupled with a source/drain region of the second transistor. The memory cell has a first body region adjacent the source/drain region of the first transistor, and has a second body region adjacent the source/drain region of the second transistor. A first body connection line couples the first body region of the memory cell to a first reference voltage. A second body connection line couples the second body region of the memory cell to a second reference voltage. The first and second reference voltages may be the same as one another, or may be different from one another.
(FR) Certains modes de réalisation de la présente invention concernent une cellule de mémoire comportant deux transistors et un condensateur. Les transistors sont un premier transistor et un second transistor. Le condensateur comprend un premier nœud couplé à une région de source/drain du premier transistor, et comprend un second nœud couplé à une région de source/drain du second transistor. La cellule de mémoire comporte une première région de corps adjacente à la région de source/drain du premier transistor, et comporte une seconde région de corps adjacente à la région de source/drain du second transistor. Une première ligne de connexion de corps couple la première région de corps de la cellule de mémoire à une première tension de référence. Une seconde ligne de connexion de corps couple la seconde région de corps de la cellule de mémoire à une seconde tension de référence. Les première et seconde tensions de référence peuvent être identiques ou différentes.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)