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1. (WO2019041840) 一种存储单元和静态随机存储器
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公布号: WO/2019/041840 国际申请号: PCT/CN2018/084100
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 23.04.2018
国际专利分类:
G11C 11/418 (2006.01)
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
11
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器;为此所用的存储元件
21
应用电元件的
34
应用半导体器件的
40
应用晶体管的
41
用正反馈形成单元的,即,不需要刷新或电荷再生的单元。例如,双稳态多谐振荡器或施密特(Schmitt)触发器
413
辅助电路,例如,用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
417
用于场效应型存储单元的
418
寻址电路
申请人:
华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
发明人:
池思杰 CHI, Sijie; CN
季秉武 JI, Bingwu; CN
赵坦夫 ZHAO, Tanfu; CN
周云明 ZHOU, Yunming; CN
代理人:
北京亿腾知识产权代理事务所 E-TONE INTELLECTUAL PROPERTY FIRM; 中国北京市 海淀区中关村紫金数码园3号楼707 Room 707, No. 3 Mansion, ZiJinShuMaYuan (Golden Valley) Zhongguancun, Haidian District Beijing 100190, CN
优先权数据:
201710785410.504.09.2017CN
标题 (EN) MEMORY UNIT AND STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) UNITÉ DE MÉMOIRE ET MÉMOIRE VIVE STATIQUE
(ZH) 一种存储单元和静态随机存储器
摘要:
(EN) A memory unit and a static random access memory. The memory unit comprises : a latch, the latch providing a first memory bit; and the memory unit further comprises a first MOS tube; the gate electrode of the first MOS tube is connected to the first memory bit, the source electrode of the first MOS tube is connected to a first reading line, and the drain electrode of first MOS tube is connected to a second reading line; in a first state, the first reading line is a reading word line, and the second reading line is a reading bit line; and in a second state, the second reading line is a reading word line, and the first reading line is a reading bit line. The present memory unit and the memory unit of the static random access memory can enable the exchange of the reading word line and the reading bit line.
(FR) L'invention concerne une unité de mémoire et une mémoire vive statique. L'unité de mémoire comprend : un verrou, le verrou fournissant un premier bit de mémoire; et l'unité de mémoire comprenant en outre un premier tube MOS; l'électrode de grille du premier tube MOS est connectée au premier bit de mémoire, l'électrode de source du premier tube MOS est connectée à une première ligne de lecture, et l'électrode de drain du premier tube MOS est connectée à une seconde ligne de lecture; dans un premier état, la première ligne de lecture est une ligne de mots de lecture, et la seconde ligne de lecture est une ligne de bits de lecture; et dans un second état, la seconde ligne de lecture est une ligne de mots de lecture, et la première ligne de lecture est une ligne de bits de lecture. La présente unité de mémoire et l'unité de mémoire de la mémoire vive statique peuvent permettre l'échange de la ligne de mots de lecture et de la ligne de bits de lecture.
(ZH) 一种存储单元和静态随机存储器,该存储单元包括:锁存器,所述锁存器提供第一存储位;所述存储单元还包括第一MOS管;所述第一MOS管的栅极连接所述第一存储位,所述第一MOS管的源极连接第一读取线,所述第一MOS管的漏极连接第二读取线;在第一状态下,所述第一读取线为读取字线,所述第二读取线为读取位线;在第二状态下,所述第二读取线为读取字线,所述第一读取线为读取位线。本存储单元和静态随机存储器的存储单元能够实现读取字线和读取位线互换。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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公布语言: 中文 (ZH)
申请语言: 中文 (ZH)