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1. (WO2019038202) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR BODY, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
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Patentansprüche

1. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine n-leitende Halbleiterschicht (21) und eine p-leitende Halbleiterschicht (22) aufweist, wobei der aktive Bereich (20) zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht (21) und der p-leitenden

Halbleiterschicht (22) angeordnet ist,

wobei

- die n-leitende Halbleiterschicht (21) einen ersten

Dotierbereich (211) und einen zweiten Dotierbereich (212) aufweist,

- der erste Dotierbereich (211) eine höhere

Dotierstoffkonzentration als der der zweite Dotierbereich (212) aufweist, und

- der erste Dotierbereich (211) eine Dicke von höchstens 5 nm aufweist .

2. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach Anspruch 1, wobei der erste Dotierbereich (211) eine Dicke von höchstens 2 nm aufweist.

3. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der vorherigen Ansprüche,

wobei der erste Dotierbereich (211) mit Tellur oder Silizium dotiert ist.

4. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der vorherigen Ansprüche,

wobei der erste Dotierbereich eine Dotierstoffkonzentration von mindestens 5 x 1019 cm-3 aufweist.

5. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der vorherigen Ansprüche,

wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial oder Arsenid-Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial basiert.

6. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der vorherigen Ansprüche,

wobei der erste Dotierbereich (211) zwischen dem aktiven Bereich (20) und dem zweiten Dotierbereich (212) angeordnet ist .

7. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der vorherigen Ansprüche,

wobei der erste Dotierbereich (211) und der zweite

Dotierbereich (212) unmittelbar aneinander angrenzen.

8. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der vorherigen Ansprüche,

wobei der erste Dotierbereich (211) eine

Ladungsträgerbarriere für Löcher bildet.

9. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der vorherigen Ansprüche,

wobei die n-leitende Halbleiterschicht (21) einen weiteren ersten Dotierbereich (213) aufweist, der eine höhere

Dotierstoffkonzentration als der der zweite Dotierbereich (212) aufweist und eine Dicke von höchstens 5 nm aufweist.

10. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der vorherigen Ansprüche,

wobei der erste Dotierbereich (211) und der weitere erste Dotierbereich (213) um höchstens 5 nm voneinander beabstandet sind .

11. Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers (1) mit den Schritten:

a) Bereitstellen eines Substrats (5) ; und

b) Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine n-leitende Halbleiterschicht (21), einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) und eine p-leitende Halbleiterschicht (22) aufweist, wobei der aktive

Bereich (20) zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht (21) und der p-leitenden Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und wobei

- die n-leitende Halbleiterschicht (21) einen ersten

Dotierbereich (211) und einen zweiten Dotierbereich (212) aufweist,

- der erste Dotierbereich (211) eine höhere

Dotierstoffkonzentration als der der zweite Dotierbereich (212) aufweist, und

- der erste Dotierbereich (211) eine Dicke von höchstens 5 nm aufweist .

12. Verfahren nach Anspruch 11,

wobei der erste Dotierbereich (211) eine Dicke von höchstens 2 nm aufweist.

13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12,

wobei der erste Dotierbereich (211) bei einer geringeren Wachstumstemperatur als der zweite Dotierbereich (212) abgeschieden wird.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei der erste Dotierbereich (211) bei einer

Wachstumstemperatur von höchstens 600 °C abgeschieden wird.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14,

wobei der zweite Dotierbereich (212) bei einer

Wachstumstemperatur von mindestens 650 °C abgeschieden wird.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15,

wobei der erste Dotierbereich (211) mit Tellur oder Silizium dotiert wird.