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1. (WO2019034505) CIRCUIT FOR ACTUATING A POWER SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
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公布号: WO/2019/034505 国际申请号: PCT/EP2018/071579
公布日: 21.02.2019 国际申请日: 09.08.2018
国际专利分类:
H03K 17/082 (2006.01)
H 电学
03
基本电子电路
K
脉冲技术
17
电子开关或选通,即不通过通断接触的
08
开关电路过流或过压保护的改进
082
通过从输出电路到控制电路的反馈
申请人:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
发明人:
FRIESE, Falko; DE
SINN, Peter; DE
优先权数据:
10 2017 214 211.115.08.2017DE
标题 (EN) CIRCUIT FOR ACTUATING A POWER SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
(FR) CIRCUIT D’ACTIVATION D’UN TRANSISTOR DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) SCHALTUNG ZUR ANSTEUERUNG EINES LEISTUNGSHALBLEITERTRANSISTORS
摘要:
(EN) A circuit (1) for actuating a power semiconductor transistor (2) having an actuation stage (3), which is configured to actuate the gate (4) of the power semiconductor transistor (2) using a control voltage (12) and, for this purpose, is connected to the gate (4) and the emitter (5) of the power semiconductor transistor (2), further having a protective circuit (6), which is likewise configured to actuate the gate (4) and, for this purpose, is connected to the gate (4) and the emitter (5), and also a current sensor (7) connected to the emitter (5) of the power semiconductor transistor (2) to determine a load current, wherein an output (8) of the current sensor (7) is made available to the protective circuit (6) and the protective circuit (6) is configured to decrease the control voltage at the gate (4) when a load current is greater than a threshold value current.
(FR) L’invention concerne un circuit (1) d’activation d’un transistor de puissance à semi-conducteur (2), présentant un étage d’activation (3) qui est conçu pour l’activation de la grille (4) du transistor de puissance à semi-conducteur (2) incluant une tension de commande (12) et qui est à cet effet raccordé à la grille (4) et à l’émetteur (5) du transistor de puissance à semi-conducteur (2), et présentant par ailleurs un circuit de protection (6) qui est également conçu pour l’activation de la grille (4) et qui est à cet effet raccordé à la grille (4) et à l’émetteur (5), ainsi qu’un capteur de courant (7) raccordé à l’émetteur (5) du transistor de puissance à semi-conducteur (2) et permettant de déterminer un courant de charge, une sortie (8) du capteur de courant (7) étant fournie au circuit de protection (6), et le circuit de protection (6) étant conçu pour abaisser la tension de commande au niveau de la grille (4) si un courant de charge dépasse une valeur seuil de courant.
(DE) Schaltung (1) zur Ansteuerung eines Leistungshalbleitertransistors (2) aufweisend eine Ansteuerungsstufe (3) welche zur Ansteuerung des Gates (4) des Leistungshalbleitertransistors (2) mit einer Steuerspannung (12) eingerichtet ist und dazu an das Gate (4) und den Emitter (5) des Leistungshalbleitertransistors (2) angeschlossen ist, weiter aufweisend eine Schutzschaltung (6), welche ebenfalls zur Ansteuerung des Gates (4) eingerichtet ist und dazu an das Gate (4) und den Emitter (5) angeschlossen ist, sowie ein an dem Emitter (5) des Leistungshalbleitertransistors (2) angeschlossener Stromsensor (7) zur Bestimmung eines Laststroms, wobei ein Ausgang (8) des Stromsensors (7) der Schutzschaltung (6) zur Verfügung gestellt ist und die Schutzschaltung (6) dazu eingerichtet ist, die Steuerspannung an dem Gate (4) abzusenken, wenn ein Laststrom größer ist als ein Schwellwertstrom.
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公布语言: 德语 (DE)
申请语言: 德语 (DE)