此应用程序的某些内容目前无法使用。
如果这种情况持续存在,请联系我们反馈与联系
1. (WO2019026954) SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
国际局存档的最新著录项目数据    提交意见

公布号: WO/2019/026954 国际申请号: PCT/JP2018/028842
公布日: 07.02.2019 国际申请日: 01.08.2018
国际专利分类:
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/01 (2006.01) ,C04B 35/453 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01)
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
34
溅射
C 化学;冶金
04
水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料
B
石灰;氧化镁;矿渣;水泥;其组合物,例如:砂浆、混凝土或类似的建筑材料;人造石;陶瓷;耐火材料;天然石的处理
35
以成分为特征的陶瓷成型制品;陶瓷组合物;准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
01
以氧化物为基料的
C 化学;冶金
04
水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料
B
石灰;氧化镁;矿渣;水泥;其组合物,例如:砂浆、混凝土或类似的建筑材料;人造石;陶瓷;耐火材料;天然石的处理
35
以成分为特征的陶瓷成型制品;陶瓷组合物;准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
01
以氧化物为基料的
453
以氧化锌、氧化锡或氧化铋或与其他氧化物(例如锌酸盐、锡酸盐或铋酸盐)的固溶体为基料的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
34
具有H01L 21/06,H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质,例如掺杂材料的半导体的器件
36
半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长
363
应用物理沉积,例如真空沉积、溅射
申请人:
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP
发明人:
大山 正嗣 OYAMA Masashi; JP
糸瀬 麻美 ITOSE Mami; JP
代理人:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
优先权数据:
2017-14939801.08.2017JP
标题 (EN) SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION, COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE À OXYDE, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよび電子機器
摘要:
(EN) A sputtering target provided with an oxide sintered compact including a spinel structure compound containing indium element (In), tin element (Sn), zinc element (Zn), an element X, and oxygen, the atomic ratios of the elements satisfying formula (1), and the spinel structure compound furthermore being represented by the formula Zn2SnO4. (1): 0.001 ≤ X/(In + Sn + Zn + X) ≤ 0.05. (In formula (1), In, Zn, Sn, and X represent the amounts of indium element, zinc element, tin element, and element X, respectively, contained in the oxide sintered compact. Element X is at least one species selected from Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb, and Ga.)
(FR) L'invention concerne une cible de pulvérisation pourvue d'un compact fritté d'oxyde comprenant un composé à structure de spinelle contenant un élément indium (In), un élément étain (Sn), un élément zinc (Zn), un élément X et de l'oxygène, les rapports atomiques des éléments satisfaisant la formule (1), et le composé de structure de spinelle étant en outre représenté par la formule Zn2SnO4. (1) : 0,001 ≤ X/ (In + Sn + Zn + X) ≤ 0,05. (Dans la formule (1), In, Zn, Sn et X représentent les quantités respectives d'élément indium, d'élément zinc, d'élément étain et d'élément X contenus dans le compact fritté d'oxyde. L'élément X est au moins une espèce choisie parmi Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb et Ga).
(JA) インジウム元素(In)、スズ元素(Sn)、亜鉛元素(Zn)、X元素、および酸素を含有し、各元素の原子比が下記式(1)を満たし、さらにZn2SnO4で表されるスピネル構造化合物を含む、酸化物焼結体を備える、スパッタリングターゲット。 0.001≦X/(In+Sn+Zn+X)≦0.05 ・・・(1) (式(1)中、In、Zn、SnおよびXは、それぞれ酸化物焼結体中のインジウム元素、亜鉛元素、スズ元素およびX元素の含有量を表す。X元素は、Ge、Si、Y、Zr、Al、Mg、Yb、およびGaから少なくとも1種以上が選択される。)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)