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1. (WO2017171196) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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公布号: WO/2017/171196 国际申请号: PCT/KR2016/014205
公布日: 05.10.2017 国际申请日: 06.12.2016
国际专利分类:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/64 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/52 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01) ,H05B 33/12 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
02
以半导体为特征的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
48
以半导体封装体为特征的
64
热吸收或冷却元件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
48
以半导体封装体为特征的
50
波长转换元件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
48
以半导体封装体为特征的
52
封装
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
48
以半导体封装体为特征的
58
光场整形元件
H 电学
05
其他类目不包含的电技术
B
电热;其他类目不包含的电照明
33
电致发光光源
12
实质上有二维辐射表面的光源
申请人:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16677, KR
发明人:
JUNG, Jong-hoon; KR
KIM, Dae-sik; KR
代理人:
JEONG, Hong-sik; KR
优先权数据:
10-2016-007732221.06.2016KR
62/313,88828.03.2016US
标题 (EN) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) APPAREIL DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
摘要:
(EN) An LED apparatus is provided. The LED apparatus includes a plurality of substrate layers, each substrate layer corresponding to one of a plurality of sub-pixels of a pixel; a heat sink plate provided on a first side of each substrate layer, the heat sink plate including a patterned area provided between adjacent substrate layers of the plurality of substrates layers; a fluorescence provided on the heat sink plate overlapping at least a portion of one of the plurality of substrate layers; and a plurality of light emitting diodes, each light emitting diode formed on a second side opposite to the first side of each substrate layer.
(FR) L'invention porte sur un appareil de diode électroluminescente (DEL). L'appareil de DEL comprend une pluralité de couches de substrat, chaque couche de substrat correspondant à un sous-pixel parmi une pluralité de sous-pixels d'un pixel ; une plaque de dissipateur thermique disposée sur un premier côté de chaque couche de substrat, la plaque de dissipateur thermique comprenant une zone à motif disposée entre des couches de substrat adjacentes de la pluralité de couches de substrat ; une fluorescence disposée sur la plaque de dissipateur thermique chevauchant au moins une partie d'une couche de substrat de la pluralité de couches de substrat ; et une pluralité de diodes électroluminescentes, chaque diode électroluminescente étant formée sur un second côté opposé au premier côté de chaque couche de substrat.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)