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1. (WO2017111090) PIEZOELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, PIEZOELECTRIC SENSOR, HEAD ASSEMBLY, HEAD STACK ASSEMBLY, HARD DISK DRIVE, PRINTER HEAD, AND INKJET PRINTER DEVICE
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公布号: WO/2017/111090 国际申请号: PCT/JP2016/088501
公布日: 29.06.2017 国际申请日: 22.12.2016
国际专利分类:
C30B 29/32 (2006.01) ,B41J 2/14 (2006.01) ,C04B 35/475 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/28 (2006.01) ,G11B 5/596 (2006.01) ,G11B 21/10 (2006.01) ,G11B 21/21 (2006.01) ,H01L 41/09 (2006.01) ,H01L 41/113 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H02N 2/02 (2006.01) ,H02N 2/18 (2006.01)
C 化学;冶金
30
晶体生长
B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
29
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
10
无机化合物或组合物
16
氧化物
22
复合氧化物
32
钛酸盐;锗酸盐;钼酸盐;钨酸盐
B 作业;运输
41
印刷;排版机;打字机;模印机
J
打字机;选择性印刷机构,即不用印版的印刷机构;排版错误的修正
2
以打印或标记工艺为特征而设计的打字机或选择性印刷机构
005
特征在于使液体或粉粒有选择地与印刷材料接触
01
油墨喷射
135
喷嘴
14
其结构
C 化学;冶金
04
水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料
B
石灰;氧化镁;矿渣;水泥;其组合物,例如:砂浆、混凝土或类似的建筑材料;人造石;陶瓷;耐火材料;天然石的处理
35
以成分为特征的陶瓷成型制品;陶瓷组合物;准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
01
以氧化物为基料的
46
以氧化钛或钛酸盐为基料的
462
以钛酸盐为基料的
475
以钛酸铋为基料的
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
06
以镀层材料为特征的
08
氧化物
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
24
真空蒸发
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
24
真空蒸发
28
波能法或粒子辐射法
G PHYSICS
11
信息存储
B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
5
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的;用磁性方法进行重现的;为此所用的记录载体
48
磁头相对于记录载体的配置或安装
58
具有在换能工作期间为保持磁头对准记录载体而移动磁头的设施的,例如,补偿记录载体表面的不规则性或轨迹跟踪的
596
用于磁盘上的磁迹跟踪的
G PHYSICS
11
信息存储
B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
21
并非专指记录或重现方法的换能头装置
02
换能头的驱动或移动
10
通过移动换能头寻找或对准磁迹的
G PHYSICS
11
信息存储
B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
21
并非专指记录或重现方法的换能头装置
16
支承换能头;插入式换能头插座的支承
20
在换能头处于工作位置时,为了跟随记录载体表面的不规则性而作平稳移动或容许的较小移动的
21
考虑到换能头与记录载体保持所要求的间隔,例如,流体动力的间隔、滑动器
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
08
压电器件或电致伸缩器件
09
带有电输入与机械输出的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
08
压电器件或电致伸缩器件
113
带有机械输入与电输出的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
16
材料的选择
18
用于压电器件或电致伸缩器件的
187
陶瓷合成物
H 电学
02
发电、变电或配电
N
其他类目不包含的电机
2
利用压电效应、电致伸缩或磁致伸缩的电动机或发电机
02
产生直线运动的,例如致动器;直线定位器
H 电学
02
发电、变电或配电
N
其他类目不包含的电机
2
利用压电效应、电致伸缩或磁致伸缩的电动机或发电机
18
从机械输入产生电输出的,例如发电机(用于测量装置的入G01)
申请人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦三丁目9番1号 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都目黒区大岡山2丁目12番1号 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550, JP
发明人:
政井 琢 MASAI Taku; JP
佐藤 祐介 SATO Yusuke; JP
森下 純平 MORISHITA Junpei; JP
舟窪 浩 FUNAKUBO Hiroshi; JP
清水 荘雄 SHIMIZU Takao; JP
根本 祐一 NEMOTO Yuichi; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
优先权数据:
2015-25482025.12.2015JP
标题 (EN) PIEZOELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, PIEZOELECTRIC SENSOR, HEAD ASSEMBLY, HEAD STACK ASSEMBLY, HARD DISK DRIVE, PRINTER HEAD, AND INKJET PRINTER DEVICE
(FR) FILM MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE FILM MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE, ACTIONNEUR PIÉZOÉLECTRIQUE, CAPTEUR PIÉZOÉLECTRIQUE, ENSEMBLE DE TÊTE, ENSEMBLE DE PILE DE TÊTE, LECTEUR DE DISQUE DUR, TÊTE D'IMPRIMANTE ET DISPOSITIF D'IMPRIMANTE À JET D'ENCRE
(JA) 圧電薄膜、圧電薄膜素子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置
摘要:
(EN) Provided is a piezoelectric thin film having a large d31 and g31. A piezoelectric thin film 3 is superposed on a single-crystal substrate 1. The piezoelectric thin film 3 includes a crystalline oxide represented by chemical formula 1. One plane orientation of the oxide selected from the group consisting of (100), (001), (110), (101), and (111) is preferentially oriented in the normal direction DN of the single-crystal substrate 1. (1): (BixKy)TiO3 [In chemical formula 1, 0.30 ≤ x ≤ 0.60, 0.30 ≤ y ≤ 0.60, and 0.60 ≤ x + y ≤ 1.10.]
(FR) L'invention concerne un film mince piézoélectrique présentant un d31 et un g31 importants. Un film 3 mince piézoélectrique est superposé sur un substrat monocristallin 1. Le film 3 mince piézoélectrique comprend un oxyde cristallin représenté par la formule chimique 1. Une orientation de plan de l'oxyde sélectionnée dans le groupe constitué par (100), (001), (110), (101) et (111) est de préférence orientée dans la direction normale DN du substrat monocristallin 1. (1): (BixKy)TiO3 [Dans la formule chimique 1, 0,30 ≤ x ≤ 0,60, 0,30 ≤ y ≤ 0,60 et 0,60 ≤ x + y ≤ 1,10.]
(JA) 31及びg31が大きい圧電薄膜が提供される。圧電薄膜3は、単結晶基板1に重なる。圧電薄膜3は、下記化学式1で表される結晶質の酸化物を含む。(100)、(001)、(110)、(101)及び(111)からなる群より選ばれる酸化物の面方位の一つが、単結晶基板1の法線方向Dにおいて優先的に配向している。 (Bi)TiO (1) [上記化学式1中、0.30≦x≦0.60, 0.30≦y≦0.60, 0.60≦x+y≦1.10。]
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)