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1. (WO2009149841) SOLAR CELL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
国际局存档的最新著录项目数据

公布号: WO/2009/149841 国际申请号: PCT/EP2009/003859
公布日: 17.12.2009 国际申请日: 29.05.2009
国际专利分类:
H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/05 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
18
专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
02
零部件
0224
电极
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
04
用作转换器件的
042
包括光电池板或阵列,如太阳电池板或阵列
05
以特殊互连装置为特征的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
04
用作转换器件的
06
以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的
068
只是PN单质结型势垒的,例如体硅PN单质结太阳能电池或薄膜多晶硅PN单质结太阳能电池
申请人:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München, DE (AllExceptUS)
BIRO, Daniel [DE/DE]; DE (UsOnly)
CLEMENT, Florian [DE/DE]; DE (UsOnly)
SCHULTZ-WITTMANN, Oliver [DE/DE]; DE (UsOnly)
发明人:
BIRO, Daniel; DE
CLEMENT, Florian; DE
SCHULTZ-WITTMANN, Oliver; DE
代理人:
DICKER, Jochen; Lemcke, Brommer & Partner Bismarckstrasse 16 76133 Karlsruhe, DE
优先权数据:
10 2008 027 780.011.06.2008DE
标题 (DE) SOLARZELLE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
摘要:
(DE) Die Erfindung betrifft eine Solarzelle, umfassend ein Halbleitersubstrat mit einer Vorder- und einer im Wesentlichen dazu parallelen Rückseite, eine Vorderseitenmetallisierung und eine Rückseitenmetallisierung und mindestens drei Dotierbereiche mit mindestens zwei unterschiedlichen Leitfähigkeittypen, an der Vorderseite des Halbleitersubstrates ist ein erster, sich im wesentlichen über die gesamte Vorderseite erstreckender Dotierbereich eines ersten Leitfähigkeittyps angeordnet, an der Rückseite des Halbleitersubstrates ist ein zweiter, sich teilweise über die Rückseite erstreckender Dotierbereich eines zweiten, zu dem ersten Leitfähigkeittyps entgegengesetzten Leitfähigkeittyps angeordnet und an der Rückseite ist ein dritter, sich teilweise über die Rückseite erstreckender Dotierbereich des ersten Leitfähigkeittyps angeordnet, wobei die Vorderseitenmetallisierung mit dem ersten Dotierbereich und die Rückseitenmetallisierung mit dem zweiten Dotierbereich elektrisch leitend verbunden ist und die Solarzelle eine elektrisch leitende Verbindung aufweist, welche den dritten Dotierbereich mit der Vorderseitenmetallisierung und/oder dem ersten Dotierbereich elektrisch leitend verbindet.
(EN) The invention relates to a solar cell comprising a semiconductor substrate with a front face and a rear face running substantially parallel thereto, a front face metallisation, a rear face metallisation and at least three doped regions having at least two different conductivity types: a first doped region with a first conductivity type is located on the front face of the semiconductor substrate and extends substantially over the entire front face; a second doped region with the opposite conductivity type to that of the first conductivity type is located on the rear face and extends partially over said face; and a third doped region with the first conductivity type is located on the rear face and extends partially over said face. The front face metallisation is connected to the first doped region and the rear face metallisation is connected to the second doped region in an electrically conductive manner and the solar cell has an electrically conductive connection which connects the third doped region to the front face metallisation and/or the first doped region.
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire comprenant un substrat semi-conducteur qui présente une face avant et une face arrière sensiblement parallèle à la face avant, une métallisation de face avant, une métallisation de face arrière et au moins trois régions de dopage présentant au moins deux types de conductivité différents : une première région de dopage d'un premier type de dopage, qui s'étend sensiblement sur toute la face avant du substrat semi-conducteur, une deuxième région de dopage d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, qui s'étend partiellement sur la face arrière du substrat semi-conducteur, ainsi qu'une troisième région de dopage du premier type de conductivité, qui s'étend partiellement sur la face arrière du substrat semi-conducteur. La métallisation de face avant est reliée de façon électroconductrice à la première région de dopage et la métallisation de face arrière est reliée de façon électroconductrice à la deuxième région de dopage. La cellule solaire présente une liaison électroconductrice qui permet de relier de façon électroconductrice la troisième région de dopage à la métallisation de face avant et/ou à la première région de dopage.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 德语 (DE)
申请语言: 德语 (DE)
也发表为:
EP2289107JP2011524088US20110155239CN102257642IN4749/KOLNP/2010