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1. (WO1983004147) FET AMPLIFIER WITH WIDE DYNAMIC RANGE
国际局存档的最新著录项目数据   

Translation翻译: 原语言 --> 中文
公布号:    WO/1983/004147    国际申请号:    PCT/US1983/000620
公布日: 24.11.1983 国际申请日: 28.04.1983
国际专利分类:
H03F 3/08 (2006.01), H03F 3/16 (2006.01), H03K 5/02 (2006.01), H03K 5/08 (2006.01), H04B 10/158 (2006.01)
申请人: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC. [US/US]; 222 Broadway, New York, NY 10038 (US)
发明人: OWEN, Brian; (US)
代理人: HIRSCH, A., E. Jr. @; Post Office Box 901, Princeton, NJ 08540 (US)
优先权数据:
378,739 17.05.1982 US
标题 (EN) FET AMPLIFIER WITH WIDE DYNAMIC RANGE
(FR) AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET) A GAMME DYNAMIQUE ETENDUE
摘要: front page image
(EN)A simple method for increasing the dynamic range of a GaAs FET amplifier. The drain resistance (RD) of the FET is adjusted to induce leakage current across the gate-source junction when excessive power levels are imposed on the gate. This current shunt (IS) is provided without added circuit components and therefore does not affect the sensitivity or bandwith performance of the amplifier.
(FR)Procédé simple permettant d'accroître la gamme dynamique d'un amplificateur à transistor à effet de champ (FET) à GaAs. La résistance de drain (RD) du FET est réglée de manière à induire un courant de fuite aux bornes de la jonction porte-source lorsque des niveaux excessifs de puissance sont appliqués à la porte. Cette dérivation de courant (IS) est rélalisée sans ajouter de composant au circuit et n'affecte donc pas les caractéristiques de sensibilité ou de bande passante de l'amplificateur.
指定国: JP.
European Patent Office (BE, DE, FR, NL).
公布语言: English (EN)
申请语言: English (EN)