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1. (CN101278403) 半导体器件及其制造方法

专利局 : 中国
申请号: 200680036407.3 申请日: 03.10.2006
公布号: 101278403 公布日: 01.10.2008
授权号: 101278403 授权日: 01.12.2010
公布类型: B
专利合作条约参考号: 申请号:PCTJP2006320154;公布号:2007043493 单击查看数据
国际专利分类:
H01L 29/786
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
CPC:
H01L 29/7869
H01L 29/41733
申请人: Semiconductor Energy Lab
株式会社半导体能源研究所
发明人: Honda Tatsuya
本田达也
代理人: guofang
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
优先权数据: 300825/2005 14.10.2005 JP
标题: (EN) Semiconductor device and manufacture method thereof
(ZH) 半导体器件及其制造方法
摘要: front page image
(EN) An object is to obtain a semiconductor device with improved characteristics by reducing contact resistance of a semiconductor film with electrodes or wirings, and improving coverage of the semiconductor film and the electrodes or wirings. The present invention relates to a semiconductor device including a gate electrode over a substrate, a gate insulating film over the gate electrode, a first source or drain electrode over the gate insulating film, an island-shaped semiconductor film over the first source or drain electrode, and a second source or drain electrode over the island-shaped semiconductor film and the first source or drain electrode. Further, the second source or drain electrode is in contact with the first source or drain electrode, and the island-shaped semiconductor film is sandwiched between the first source or drain electrode and the second source or drain electrode. Moreover, the present invention relates to a manufacturing method of the semiconductor device.
(ZH)

本发明的目的在于通过减小半导体膜与电极和连线的接触电阻,提高半导体膜和电极或连线的覆盖率,得到性能提高的半导体器件。本发明涉及半导体器件,包括:衬底上方的栅电极,栅电极上方的栅绝缘膜,栅绝缘膜上方的第一源或漏电极,第一源或漏电极上方的岛状半导体膜,第一源或漏电极和岛状半导体膜上方的第二源或漏电极。此外,第二源或漏电极与第一源或漏电极接触,岛状半导体膜夹在第一源或漏电极和第二源或漏电极之间。此外,本发明涉及半导体器件的制造方法。


也发表为:
EP1935027JP2007134687US20070087487JP2013016861JP2014103418JP2015144312
WO/2007/043493