ВОИС - Поиск по национальным патентным фондам и фондам PCT

1.WO/2005/037620SAFETY BINARY LINE CROSSING SYSTEM WHICH CAN BE RECONFIGURED IN ORDER TO PROVIDE SAFE ROUTES OVER A WIDER RANGE OF INCLINATIONS

WO - 28.04.2005

Класс МПК B61B 7/00 № заявки PCT/CR2003/000002 Заявитель DARREN, William, Hreniuk, Mitchell Изобретатель DARREN, William, Hreniuk, Mitchell

The invention relates to the field of mechanical engineering and materials. More specifically, the invention relates to a self-adjusting system of crossing rails having multiple characteristics which extend the useful life of the crossing system by at least a factor of four, while offering a safety support by providing redundancy to the line system. In this way, human passengers can move from place to place easily and safely with a minimum of noise and vibrations. In addition, the proprietor of the system can benefit from lower maintenance costs and less exposure to financial risk. Moreover, the system can be installed at a multitude of diverse natural sites without altering or damaging the environment. Moreover, the same components can be used to produce other configuration options which increase the possibility of creating a system having characteristics enabling same to cover a multitude of inclinations. According to the invention, the various components are combined in order to obtain (i) maximum conservation of energy, said configuration combining a smooth rail (Fig. 1) and the self-balancing system (Fig. 3), or (ii) maximum braking, said configuration combining the skeleton rail (Fig. 2) and the high-braking safety system (Fig. 4).

2.WO/2003/058671TARGET END STATION FOR THE COMBINATORY ION IMPLANTATION AND METHOD OF ION IMPLANTATION

WO - 17.07.2003

Класс МПК H01J 37/00 № заявки PCT/EP2003/000293 Заявитель UNIVERSITÄT AUGSBURG Изобретатель STRITZKER, Bernd

The present invention is directed to a device (target end station) and method for the combinatory ion implantation into a sample. It generally comprises a defining section for spatially defining the dimension and shape of the ion beam, a sample chamber in which the sample to be irradiated is positioned, and a shutter assembly located between the defining section and the sample chamber. The shutter assembly typically comprises two individually controllable shutter systems each having a movable shutter that can be moved into and out of the ion beam in predetermined steps and/or intervals. The shutter itself is preferably a guillotine-type shutter, wherein the edges of the two shutters are preferably arranged perpendicularly with respect to one another. Alternatively, one or both of the shutters may be slit shutters or even more than two shutter systems may be provided in order to more freely define the dimension and shape of the ion beam. The particular advantage of the device and method of the present invention is that on one sample a plurality of areas can be irradiated under identical process conditions so that a considerable amount of time can be saved during the manufacture and development of materials, particularly semiconductors.

3.WO/2003/107259VERFAHREN ZUR DETEKTION EINER PERSON IN EINEM RAUM

WO - 24.12.2003

Класс МПК G06K 9/00 № заявки PCT/DE2003/000452 Заявитель ROBERT BOSCH GMBH Изобретатель ENGELBERG, Thomas

Es wird ein Verfahren zur Detektion einer Person in einem Raum vorgeschlagen, wobei wenigstens ein Tiefensensor räumliche Daten über den zu beobachtenden Raum erzeugt, wobei für wenigstens ein vorgegebenes Körperteil eines Menschen wenigstens ein in weitere Teilmodelle unterteilbares Teilmodell verwendet wird, wobei die räumlichen Daten zur Anpassung der Teilmodelle verwendet werden, wobei die Anpassung durch Lageparameter zwischen den Teilmodellen unterschiedlicher Körperteile überprüft wird und die Person mittels eines Gesamtmodells aus den geprüften Teilmodellen erkannt wird.

4.WO/2003/101582VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR TRENNUNG VON FESTSTOFFEN AUS FLÜSSIGKEITEN

WO - 11.12.2003

Класс МПК B01D 21/00 № заявки PCT/DE2003/001803 Заявитель FARMATIC BIOTECH ENERGY AG Изобретатель MEDELNIK, Sönke

Vorrichtung und Verfahren zur Abtrennung von Feststoffen aus Flüssigkeiten oder aus Fest/Flüssig-Gemischen, unter Verwendung eines ersten Behälters (12,52) und eines Auslasskanals (54) und/oder zweiten Behälters (14), der in einem Übergangsbereich (18, 56) mit dem ersten Behälter verbunden ist. Die sedimentierten Feststoffe im ersten Behälter (12, 52), werden durch wenigstens eine auf die im ersten Behälter (12) befindliche Flüssigkeit einwirkende erste Vibrationseinrichtung (24) zu einer zumindest weitgehend flüssigkeitsdichten Lage (61) verdichtet werden, und die Feststoffe in dem Verbindungsbereich mittels wenigstens einer zweiten Vibrationseinrichtung (24, 60) in einen fliessfähigen Zustand versetzt und über den Übergangsbereich aus dem ersten Behälter soweit ausgetragen werden, dass die flüssigkeitsdichte Lage (61) erhalten bleibt, oder die sedimentierten Feststoffe im ersten Behälter (12) werden durch den Betrieb wenigstens einer auf die im ersten Behälter (12) befindliche Flüssigkeit (20) einwirkenden Vibrationseinrichtung (24, 60) in einer ersten Betriebsstufe mit einer geringen Frequenz im Bereich von weniger als 2000 Hz zu einer zumindest weitgehend flüssigkeitsdichten Lage (61) verdichtet werden, und die Feststoffe in dem Übergangsbereich mittels des Betriebs der Vibrationseinrichtung (24, 60) in einer zweiten Betriebsstufe mit einer höheren Frequenz mit mehr als 1000 Hz in einen fliessfähigen Zustand versetzt und über den Verbindungsbereich (18) aus dem ersten Behälter soweit ausgetragen werden, dass die Abdichtung des Verbindungsbereichs durch die flüssigkeitsdichte Lage (61) gewährleistet bleibt.

5.WO/2003/067604SCHALTUNGSANORDNUNG MIT EINER MIT EINEM PROGRAMMIERBAREN SPEICHERELEMENT BESTÜCKTEN LEITERPLATTE

WO - 14.08.2003

Класс МПК H01L 23/58 № заявки PCT/DE2003/000100 Заявитель CONTI TEMIC MICROELECTRONIC GMBH Изобретатель BREU, Gunther

Schaltungsanordnungen mit programmierbaren Speicherelementen werden in der Schaltungstechnik zur Erfüllung bestimmter Funktionen eingesetzt. Die Funktionen werden dabei durch die in den Speicherelementen hinterlegten Daten bestimmt und lassen sich durch Umprogrammieren der Speicherelemente abändern. Die neue Schaltungsanordnung soll eine nicht autorisierte Umprogrammierung der Speicherelemente verhindern. Dies wird bei der neuen Schaltungsanordnung dadurch erreicht, dass mindestens ein Anschluss des Speicherelementes, der zur Programmierung des Speicherelements vorgesehen ist, und jede mit diesem Anschluss verbunden Leiterbahn der Leiterplate derart verdeckt angeordnet sind, dass eine zerstörungsfreie Kontaktierung dieses Anschlusses und der damit verbundenen Leiterbahn nicht möglich ist.

6.WO/2003/065901HERZHALTER

WO - 14.08.2003

Класс МПК A61B 17/00 № заявки PCT/EP2003/001206 Заявитель KARL STORZ GMBH & CO. KG Изобретатель SCHÖLLHORN, Joachim

Ein Funktionselement zum Anbringen an einen Retraktor (70) zur Durchführung von herz- und thoraxchirurgischen Eingriffen weist eine Befestigungsvorrichtung zum lösbaren Anbringen an den Retraktor auf. Eine Vorrichtung (14) zum Hochhalten eines von einer Operationsstelle angehobenen schlagenden Herzens (84) weist mehrere spreizbare streifenförmige Haltefinger (54, 55, 56) auf. Es wird vorgeschlagen, dass zumindest drei streifenförmige Haltefinger (54, 55, 56) vorhanden sind, die derart biegsam ausgebildet sind, dass diese zu einem an das jeweils zu haltende Herz (84) angepassten Haltekorb formbar sind (Fig. 4).

7.WO/2003/057087HILFSMITTEL ZUR IMPLANTATION EINER HÜFTGELENKENDOPROTHESE SOWIE VERFAHREN FÜR HANDHABUNG DESSELBEN

WO - 17.07.2003

Класс МПК A61B 17/17 № заявки PCT/EP2003/000035 Заявитель INTRAPLANT AG Изобретатель GRAF, Reinhard

Hilfsmittel zur Implantation einer Hüftgelenkendoprothese, mit einer Manipulierpfanne (20), einem Manipulier-Gelenkkopf (16) mit Mitteln (22) zur Ausrichtung der Manipulierpfanne (20) im Acetabulum (12), und einer Einrichtung zum Festhalten der ausgerichteten Lage der Manipulierpfanne (20), wobei mittels dieser Einrichtung dann ein Knochenfräser (28) und ein Einschlag instrument (27) für die Plazierung der Hüftpfanne entsprechend ausrichtbar sind.

8.WO/2003/062864BI-CONVEX SOLID IMMERSION LENS

WO - 31.07.2003

Класс МПК G02B 13/00 № заявки PCT/US2002/039538 Заявитель OPTONICS, INC. Изобретатель NADER, Pakdaman

A bi-convex solid immersion lens is disclosed. Unlike conventional plano-convex solid immersion lenses having a flat bottom surface, the disclosed lens has a convex bottom surface. The radius of curvature of the bottom surface is smaller than that of the object to be inspected. This construction allows for a more accurate determination of the location of the inspected feature, and enhances coupling of light between the immersion lens and the inspected object. The disclosed lens is particularly useful for use in microscope for inspection of semiconductor devices and, especially flip-chip (or chip scale) packaged devices. The immersion lens can also be incorporated in a read or read/write head of optical memory media.

9.WO/2003/046662IMAGING APPARATUS

WO - 05.06.2003

Класс МПК G03F 7/20 № заявки PCT/EP2002/013399 Заявитель ASML NETHERLANDS B.V. Изобретатель VAN DER MAST, Karel, Diederick

An imaging apparatus comprising: a radiation system for providing a projection beam of radiation; a support structure for supporting programmable patterning means, the programmable patterning means serving to pattern the projection beam according to a desired pattern; a substrate table for holding a substrate; a projection system for projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate, wherein the apparatus further comprises: beam splitting means (BS), provided between the programmable patterning means (PM) and the substrate table, serving to divert aside a portion (PB') of the patterned beam (PB); image detection means (ID), for analyzing said portion of the patterned beam.

10.WO/2003/105219A METHOD OF FABRICATING A SUBSTRATE COMPRISING A USEFUL LAYER OF A MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL

WO - 18.12.2003

Класс МПК H01L 21/18 № заявки PCT/IB2003/003068 Заявитель S.O.I.T.E.C. SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES Изобретатель LETERTRE, Fabrice

A method for manufacturing a substrate comprising a useful layer (30) of at least one monocrystalline semiconductor material on a support (40) involves an epitaxial growing of the monocrystalline semiconductor material on a nucleation layer (12). The nucleation layer is provided on an intermediate support (20) in the form of a thin layer of nucleation material taken from a source substrate (10). The following steps are performed: selecting the material of intermediate support so that it can be chemically etched by a given etching medium, it is liable to thermal dissociation when exposed to the temperature of epitaxial growing, and it is less expensive than materials which are less liable to thermal dissociation at said temperature of epitaxial growing, selecting the material of the nucleation layer so that it forms a barrier against the diffusion of elements deriving from the thermal dissociation of the material of the intermediate support; applying the nucleation layer (12) to the intermediate support (20); growing the or each monocrystalline semiconductor material of the useful layer (30) on said nucleation layer (12); bonding the useful layer (30) to a final support (40) at the face of said useful layer opposite to the intermediate support; and exposing said intermediate support (20) to said etching medium to remove it by chemical etching substantially without affecting the useful layer. Application to producing optoelectronic components such as LEDs based on thin layer metallic nitrides.

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