Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2019063411) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2019/063411 № международной заявки: PCT/EP2018/075486
Дата публикации: 04.04.2019 Дата международной подачи: 20.09.2018
МПК:
H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/024 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
S
Устройства со стимулированным излучением
5
Полупроводниковые лазеры
02
конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера
022
монтажные, сборочные элементы; корпуса
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
S
Устройства со стимулированным излучением
5
Полупроводниковые лазеры
02
конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера
024
охлаждающие устройства
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
S
Устройства со стимулированным излучением
5
Полупроводниковые лазеры
04
способы и устройства для возбуждения, например накачка
042
электрическое возбуждение
Заявители:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Изобретатели:
BACHMANN, Alexander; DE
ENZMANN, Roland Heinrich; MY
MÜLLER, Michael; DE
Агент:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Дата приоритета:
10 2017 122 330.426.09.2017DE
Название (EN) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) DIODE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERLASERDIODE UND HALBLEITERBAUELEMENT
Реферат:
(EN) The invention relates to a semiconductor laser diode (1) comprising: - a semiconductor layer sequence (2) having an active region (20) provided for generating radiation; - a radiation decoupling surface (10) which extends perpendicular to a main extension plane of the active region; - a main surface (11) which delimits the semiconductor layer sequence in the vertical direction; - a contact layer (3) which adjoins the main surface; and - a heat-dissipating layer (4), regions of which are arranged on a side of the contact layer facing away from the active region, wherein the contact layer is exposed in places for external electrical contact of the semiconductor laser diode. The invention also relates to a semiconductor component.
(FR) L'invention concerne une diode laser à semi-conducteur (1) comprenant une succession de couches semi-conductrices (2) présentant une zone active (20) destinée à générer un rayonnement ; une surface de sortie de rayonnement (10) qui s'étend perpendiculairement à un plan principal de la zone active ; une surface principale (11) qui délimite la succession de couches semi-conductrices dans la direction verticale ; une couche de contact (3) adjacente à la surface principale ; et une couche de dissipation thermique (4) qui est disposée par endroits sur un côté de la couche de contact opposé à la zone active, la couche de contact étant apparente par endroits pour permettre une mise en contact électrique externe de la diode laser à semi-conducteur. L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur.
(DE) Es wird eine Halbleiterlaserdiode (1) angegeben, mit - einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20); - einer Strahlungsauskoppelfläche (10), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs verläuft; - einer Hauptfläche (11), die die Halbleiterschichtenfolge in vertikaler Richtung begrenzt; - einer Kontaktschicht (3), die an die Hauptfläche angrenzt; und - einer wärmeableitenden Schicht (4), die bereichsweise auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Kontaktschicht angeordnet ist, wobei die Kontaktschicht stellenweise für eine externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterlaserdiode freiliegt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Немецкий (DE)
Язык подачи: Немецкий (DE)