Поиск по международным и национальным патентным фондам
Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018186196) SOLID STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/186196 № международной заявки: PCT/JP2018/011569
Дата публикации: 11.10.2018 Дата международной подачи: 23.03.2018
МПК:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01L 27/00 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
14
содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и специально предназначенные как для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью таких излучений
144
устройства, управляемые при помощи излучения
146
структуры формирователей сигналов изображения
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
30
обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в
31
с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии ; последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев
3205
осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных или резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
71
изготовление особых частей устройств, относящихся к группам
768
с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
77
изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
78
с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов
82
для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
822
полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
52
электрические соединения внутри прибора, например между компонентами прибора в процессе его работы
522
включающие в себя внешние межсоединения, имеющие многослойную структуру в виде электропроводных или изоляционных слоев, несъемно сформованных на полупроводниковой подложке
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
25
Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле
03
блоки, в которых все приборы отнесены к типам, предусмотренным в группах , например блоки выпрямляющих диодов
04
блоки приборов, не имеющих отдельных корпусов
065
отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
25
Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле
03
блоки, в которых все приборы отнесены к типам, предусмотренным в группах , например блоки выпрямляющих диодов
04
блоки приборов, не имеющих отдельных корпусов
07
отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
25
Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле
18
блоки, в которых все используемые приборы относятся к типам, предусмотренным в двух или более различных рубриках одной из основных групп
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
04
Техника электрической связи
N
Передача изображений, например телевидение
5
Элементы телевизионных систем
30
преобразование световой или аналогичной информации в информацию в виде электрических сигналов
335
использующие датчики изображения на твердом теле (SSIS)
369
SSIS архитектура; связанная с ним схема
Заявители:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Изобретатели:
橋口 日出登 HASHIGUCHI, Hideto; JP
庄子 礼二郎 SHOHJI, Reijiroh; JP
堀越 浩 HORIKOSHI, Hiroshi; JP
三橋 生枝 MITSUHASHI, Ikue; JP
飯島 匡 IIJIMA, Tadashi; JP
亀嶋 隆季 KAMESHIMA, Takatoshi; JP
石田 実 ISHIDA, Minoru; JP
羽根田 雅希 HANEDA, Masaki; JP
Агент:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; JP
Дата приоритета:
2017-07480604.04.2017JP
2017-15658614.08.2017JP
Название (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、及び電子機器
Реферат:
(EN) [Problem] To provide a solid state imaging device and an electronic apparatus that have improved performance. [Solution] A solid state imaging device that is formed by laminating, in order, a first substrate, a second substrate, and a third substrate. The first substrate is formed by laminating a first semiconductor substrate and a first multilayer wiring layer and has formed thereon a pixel unit that comprises an array of pixels. The second substrate is formed by laminating a second semiconductor substrate and a second multilayer wiring layer and has formed thereon a circuit that has a prescribed function. The third substrate is formed by laminating a third semiconductor substrate and a third multilayer wiring layer and has formed thereon a circuit that has a prescribed function. The first substrate and the second substrate are adhered to each other such that the first multilayer wiring layer and the second semiconductor substrate face. A first connection structure that is for electrically connecting a circuit on the first substrate and the circuit on the second substrate does not include a connection structure that is mediated by an adhesion surface between the first substrate and the second substrate that is formed with the first substrate as a point of reference, or there is no first connection structure.
(FR) L'invention vise à améliorer les performances d'un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs et d'un appareil électronique. Plus spécifiquement, l'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs constitué, stratifiés dans l'ordre suivant: d'un premier substrat dans lequel est formée une partie pixels dans laquelle des pixels sont alignés, et lequel substrat est constitué à son tour d'un premier substrat à semi-conducteurs et d'une première couche de câblage multicouche stratifiés; d'un deuxième substrat dans lequel est formé un circuit avec une fonction prédéterminée, et lequel substrat est constitué à son tour d'un deuxième substrat à semi-conducteurs et d'une deuxième couche de câblage multicouche stratifiés; et d'un troisième substrat dans lequel est formé un circuit avec une fonction prédéterminée, et lequel substrat est constitué à son tour d'un troisième substrat à semi-conducteurs et d'une troisième couche de câblage multicouche stratifiés. Les premier substrat et deuxième substrat susmentionnés sont collés de façon que la première couche de câblage multicouche et la deuxième couche de câblage multicouche soient opposées l'une à l'autre. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs possède première une structure de connexion pour la connexion électrique du circuit du premier substrat et du circuit du deuxième substrat. Cette première structure de connexion ne contient pas de structure de connexion formée en tant que base du premier substrat et mettant en oeuvre une surface d'adhésion entre le premier substrat et le deuxième substrat susmentionnés, ou alternativement, le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs ne contient pas de première structure de connexion.
(JA) 【課題】性能がより向上した固体撮像装置及び電子機器を提供する。 【解決手段】画素が配列された画素部が形成され、第1半導体基板及び第1多層配線層が積層された第1基板と、所定の機能を有する回路が形成され、第2半導体基板及び第2多層配線層が積層された第2基板と、所定の機能を有する回路が形成され、第3半導体基板及び第3多層配線層が積層された第3基板と、がこの順に積層されて構成され、前記第1基板と前記第2基板とは、前記第1多層配線層と前記第2半導体基板とが対向するように貼り合わされ、前記第1基板の回路と前記第2基板の回路とを電気的に接続するための第1の接続構造は、前記第1基板を基点として形成される前記第1基板と前記第2基板との貼り合わせ面を介した接続構造を含まない、又は、前記第1の接続構造が、存在しない、固体撮像装置。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)