Поиск по международным и национальным патентным фондам
Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018181142) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/181142 № международной заявки: PCT/JP2018/012061
Дата публикации: 04.10.2018 Дата международной подачи: 26.03.2018
МПК:
G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01)
G ФИЗИКА
02
Оптика
F
Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции которых изменяются при изменении оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи
1
Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика
01
для регулирования интенсивности, фазы, поляризации или цвета
13
основанные на жидких кристаллах, например элементы индикации на жидких монокристаллах
133
конструктивные элементы; обеспечение работы элементов на жидких кристаллах; схемные устройства
136
элементы на жидких кристаллах, конструктивно связанные с полупроводниковым слоем или подложкой, например элементы, образующие часть интегральной схемы
1362
активная матрица с адресными ячейками
1368
в которых переключающий элемент является трехэлектродным прибором
G ФИЗИКА
09
Средства обучения; тайнопись; дисплеи; рекламное и выставочное дело; печати и опечатывание
F
Наглядное представление; реклама; вывески; ярлыки или пластинки с заводской маркой; печати
9
Устройства для представления меняющегося информационного материала, в которых информационный материал составляется на подложке путем выборки или комбинации отдельных элементов
30
в которых нужный символ или символы получаются комбинацией отдельных элементов
Заявители:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Изобретатели:
北川 英樹 KITAGAWA, Hideki; --
今井 元 IMAI, Hajime; --
伊藤 俊克 ITOH, Toshikatsu; --
菊池 哲郎 KIKUCHI, Tetsuo; --
鈴木 正彦 SUZUKI, Masahiko; --
上田 輝幸 UEDA, Teruyuki; --
原 健吾 HARA, Kengo; --
西宮 節治 NISHIMIYA, Setsuji; --
大東 徹 DAITOH, Tohru; --
Агент:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Дата приоритета:
2017-07177331.03.2017JP
Название (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) アクティブマトリクス基板、液晶表示装置
Реферат:
(EN) The present invention provides a highly precise active matrix substrate while suppressing occurrence of a pixel defect. This active matrix substrate is provided with: a first semiconductor film corresponding to one of two sub-pixels adjacent to each other in a row direction; a second semiconductor film corresponding to the other; a transistor using part of the first semiconductor film as a channel in the row direction; and a pixel electrode connected to a drain electrode of the transistor via a contact hole, wherein in plan view, a distance (dc) in the row direction from the drain electrode-side edge of the channel to the bottom surface of the contract hole is greater than or equal to 0.15 times a sub-pixel pitch (dp) in the row direction.
(FR) La présente invention permet d'obtenir un substrat de matrice active très précis tout en supprimant l'apparition d'un défaut de pixel. Ledit substrat de matrice active est pourvu : d'un premier film semi-conducteur correspondant à un sous-pixel parmi deux sous-pixels adjacents l'un à l'autre dans une direction de rangée ; d'un second film semi-conducteur correspondant à l'autre sous-pixel ; d'un transistor utilisant une partie du premier film semi-conducteur en tant que canal dans la direction de rangée ; et d'une électrode de pixel connectée à une électrode de drain du transistor par l'intermédiaire d'un trou de contact. En vue en plan, une distance (dc) dans la direction de rangée à partir du bord côté électrode de drain du canal jusqu'à la surface inférieure du trou de contact est supérieure ou égale à 0,15 fois un pas de sous-pixel (dp) dans la direction de rangée.
(JA) 画素欠陥の発生を抑えつつ、高精細なアクティブマトリクス基板を提供する。行方向に隣り合う2つのサブ画素の一方に対応する第1半導体膜と、他方に対応する第2半導体膜と、前記第1半導体膜の一部を行方向のチャネルとするトランジスタと、コンタクトホールを介して前記トランジスタのドレイン電極に接続する画素電極とを備え、平面視においては、前記チャネルのドレイン電極側エッジから前記コンタクトホールの底面に到るまでの行方向の距離(dc)が、行方向のサブ画素ピッチ(dp)の0.15倍以上である。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)