Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018146965) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2018/146965 № международной заявки: PCT/JP2017/046637
Дата публикации: 16.08.2018 Дата международной подачи: 26.12.2017
МПК:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 27/00 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
14
содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и специально предназначенные как для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью таких излучений
144
устройства, управляемые при помощи излучения
146
структуры формирователей сигналов изображения
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
30
обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в
31
с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии ; последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев
3205
осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных или резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
71
изготовление особых частей устройств, относящихся к группам
768
с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
77
изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
78
с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов
82
для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
822
полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии
8232
технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах
8234
технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
52
электрические соединения внутри прибора, например между компонентами прибора в процессе его работы
522
включающие в себя внешние межсоединения, имеющие многослойную структуру в виде электропроводных или изоляционных слоев, несъемно сформованных на полупроводниковой подложке
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
08
содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида
085
только компоненты с полевым эффектом
088
полевые транзисторы с изолированным затвором
Заявители:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Изобретатели:
天野 茂樹 AMANO, Shigeki; JP
Агент:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; JP
Дата приоритета:
2017-02185309.02.2017JP
Название (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
(JA) 半導体装置、および半導体装置の製造方法
Реферат:
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of providing a semiconductor device wherein a terminal for outputting electrical signals to the outside is further miniaturized, and a method for manufacturing the semiconductor device. [Solution] This semiconductor device is provided with: a first chip, which is formed by laminating a first substrate and a first wiring layer, and which includes a sensor element; a second chip, which is formed by laminating a second substrate and a second wiring layer, and which is bonded to the first chip such that the first wiring layer and the second wiring layer face each other; and at least one through hole via, which is electrically connected to the second wiring layer, and which protrudes from a second chip surface by penetrating the second substrate, said second chip surface being on the reverse side of the surface to which the first chip is laminated.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteurs dans lequel une borne destinée à émettre des signaux électriques vers l'extérieur est en outre miniaturisée, et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs. La solution selon l'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui est pourvu : d'une première puce, qui est formée par stratification d'un premier substrat et d'une première couche de câblage, et qui comprend un élément de capteur; d'une seconde puce, qui est formée par stratification d'un second substrat et d'une seconde couche de câblage, et qui est liée à la première puce de telle sorte que la première couche de câblage et la seconde couche de câblage se font face; et au moins un trou d'interconnexion traversant, qui est électriquement connecté à la seconde couche de câblage, et qui fait saillie à partir d'une seconde surface de puce en pénétrant dans le second substrat, ladite seconde surface de puce se trouvant sur le côté inverse de la surface sur laquelle la première puce est stratifiée.
(JA) 【課題】外部に電気信号を出力する端子がより微細化された半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】第1基板および第1配線層を積層して形成され、センサ素子を含む第1チップと、第2基板および第2配線層を積層して形成され、前記第1配線層および前記第2配線層が互いに対向するように前記第1チップと貼り合わされた第2チップと、前記第2配線層と電気的に接続し、前記第2基板を貫通することで、前記第1チップが積層された面と対向する前記第2チップの面から突出する少なくとも1つ以上のスルーホールビアと、を備える、半導体装置。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)