Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018103117) CHIP PACKAGING STRUCTURE, AND PACKAGING METHOD THEREOF
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2018/103117 № международной заявки: PCT/CN2016/109499
Дата публикации: 14.06.2018 Дата международной подачи: 12.12.2016
МПК:
H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/488 (2006.01) ,H01L 21/48 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
28
герметизирующие средства, например герметизирующие слои, покрытия
31
отличающиеся расположением
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
48
приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода или вводы
488
состоящие из паяных или сварных конструкций
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
48
изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
50
сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп
56
герметизация, например пленками или покрытиями
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
67
устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми или электронными устройствами на твердом теле при их изготовлении или обработке; устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми пластинами при изготовлении или обработке полупроводниковых или электрических устройств на твердом теле или их компонентов
683
для поддержания или захвата
Заявители:
江阴长电先进封装有限公司 JIANGYIN CHANGDIAN ADVANCED PACKAGING CO., LTD [CN/CN]; 中国江苏省江阴市 高新技术产业开发园区澄江东路99号 No.99 Chengjiang East Road, Hi-Tech Industrial Parks Jiangyin, Jiangsu 214429, CN
Изобретатели:
张黎 ZHANG, Li; CN
徐虹 XU, Hong; CN
陈栋 CHEN, Dong; CN
陈锦辉 CHEN, Jinhui; CN
赖志明 LAI, Zhiming; CN
陈启才 CHEN, Qicai; CN
Агент:
南京经纬专利商标代理有限公司 NANJING JINGWEI PATENT & TRADEMARK AGENCY CO., LTD; 中国江苏省南京市 鼓楼区中山路179号12楼B座 12th FL.-B No. 179 Zhongshan Road, Gulou Nanjing, Jiangsu 210005, CN
Дата приоритета:
201611107747.206.12.2016CN
Название (EN) CHIP PACKAGING STRUCTURE, AND PACKAGING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE CONDITIONNEMENT DE PUCE, ET SON PROCÉDÉ DE CONDITIONNEMENT
(ZH) 一种芯片封装结构及其封装方法
Реферат:
(EN) The present invention relates to the technical field of semiconductor packaging, and provides a chip packaging structure, and packaging method thereof. The structure comprises a silicon-based main body (1) and chip electrodes (11). The silicon-based main body (1) is provided with a passivation layer (12) and passivation layer openings (121) on a front face thereof. The chip electrodes (11) have rear faces embedded in the front face of the silicon-based main body (1). The passivation layer openings (121) expose front faces of the chip electrodes (11). A dielectric layer (4) is provided on an upper surface of the passivation layer (12), and dielectric layer openings (41) are provided. Metal protrusion structures (5) are provided on the front faces of the chip electrodes (11). An encapsulation layer (3) is provided on side walls and a rear face of the silicon-based main body (1). The chip packaging structure of the present invention employs insulation protection on side walls to avoid electrical leakage and short circuit conditions, thus increasing reliability and improving the pass rate of chip mounting. By providing recesses on a rear face of a wafer to divide the wafer into individual chip units, and employing a protection technique in the surrounding and rear surfaces of the individual chip units, the packaging method of the present invention eliminates wafer reconfiguration, and effectively improves production efficiency for small-sized chips, thus reducing costs.
(FR) La présente invention se rapporte au champ technique du conditionnement de semi-conducteurs, et concerne une structure de conditionnement de puce, et son procédé de conditionnement. La structure comprend un corps principal (1) à base de silicium et des électrodes de puce (11). Le corps principal (1) à base de silicium comporte une couche de passivation (12) et des ouvertures (121) de couche de passivation sur sa face avant. Les électrodes de puce (11) ont des faces arrière incorporées dans la face avant du corps principal (1) à base de silicium. Les ouvertures (121) de couche de passivation découvrent les faces avant des électrodes de puce (11). Une couche diélectrique (4) est disposée sur une surface supérieure de la couche de passivation (12), et des ouvertures (41) de couche diélectrique sont réalisées. Des structures en saillie (5) de métal sont disposées sur les faces avant des électrodes de puce (11). Une couche d’encapsulation (3) est disposée sur des parois latérales et une face arrière du corps principal (1) à base de silicium. La structure de conditionnement de puce selon la présente invention emploie une protection d’isolation sur des parois latérales pour éviter des conditions de fuite électrique et de court-circuit, accroissant ainsi la fiabilité et améliorant ainsi le taux d’acceptation de montage de puces. En aménageant des évidements sur une face arrière d’une plaquette pour diviser la plaquette en unités de puces individuelles, et en employant une technique de protection dans les surfaces de contour et les surfaces arrière des unités de puces individuelles, le procédé de conditionnement selon la présente invention élimine la reconfiguration de plaquettes, et améliore efficacement le rendement de production pour des puces de petite taille, réduisant ainsi les coûts.
(ZH) 提供一种芯片封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体(1)和芯片电极(11),所述硅基本体(1)的正面设置钝化层(12)并开设钝化层开口(121),所述芯片电极(11)由背面嵌入于硅基本体(1)的正面,所述钝化层开口(121)露出芯片电极(11)的正面,所述钝化层(12)的上表面设置介电层(4)并开设介电层开口(41),所述芯片电极(11)的正面设置金属凸块结构(5);所述硅基本体(1)的侧壁和背面设置包封层(3)。上述芯片封装结构采用了侧壁绝缘保护,不易漏电或短路,提高可靠性以及改善芯片贴装良率。上述封装方法采用在晶圆背面设置沟槽,将晶圆分割成芯片单体,并实施芯片单体四周和背面保护技术,这种方法避免了晶圆重构,对于较小芯片来说,有效地提高了产能,进一步降低成本。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Китайский (ZH)
Язык подачи: Китайский (ZH)