Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018055704) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

№ публикации: WO/2018/055704 № международной заявки: PCT/JP2016/077889
Дата публикации: 29.03.2018 Дата международной подачи: 21.09.2016
МПК:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
334
многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов
335
полевых транзисторов
336
с изолированным затвором
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
788
с плавающим затвором
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
792
с изолятором затвора, захватывающим заряды, например запоминающий МНОП-транзистор
Заявители:
東芝メモリ株式会社 TOSHIBA MEMORY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050023, JP
Изобретатели:
坂本 渉 SAKAMOTO, Wataru; JP
中木 寛 NAKAKI, Hiroshi; JP
石原 英恵 ISHIHARA, Hanae; JP
Агент:
日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko; JP
Дата приоритета:
Название (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Реферат:
(EN) The semiconductor device according to an embodiment includes a laminate, a first insulating layer, first and second step parts 2, and a second insulating layer 46. The laminate includes a first electrode layer 41 (WLDD) and a second electrode layer 41 (SGD). The first and second step parts 2 are provided to a first end-section region 101 and a second end-section region 102. The second insulating layer 46 extends in the X-direction. The second insulating layer divides the second electrode layer 41 (SGD) along the X-direction. The length L1 of the second insulating layer 46 along the X-direction is greater than the length L2 of the second electrode layer 41 (SGD) along the X-direction and less than the length L3 of the first electrode layer 41 (WLDD) along the X-direction.
(FR) Selon un mode de réalisation de la présente invention, un dispositif à semi-conducteur comprend un stratifié, une première couche isolante, des première et seconde parties gradins (2), et une seconde couche isolante (46). Le stratifié comprend une première couche d'électrode (41) (WLDD) et une seconde couche d'électrode (41) (SGD). Les première et seconde parties gradins (2) se trouvent sur une première région de section d'extrémité (101) et une seconde région de section d'extrémité (102). La seconde couche isolante (46) s'étend dans la direction X et divise la seconde couche d'électrode (41) (SGD) le long de la direction X. La longueur L1 de la seconde couche isolante (46) le long de la direction X est supérieure à la longueur L2 de la seconde couche d'électrode (41) (SGD) le long de la direction X et inférieure à la longueur L3 de la première couche d'électrode (41) (WLDD) le long de la direction X.
(JA) 実施形態の半導体装置は、積層体と、第1絶縁層と、第1、第2階段部2と、第2絶縁層46とを含む。積層体は、第1電極層41(WLDD)と、第2電極層41(SGD)とを含む。第1、第2階段部2は、第1端部領域101と、第2端部領域102とに設けられる。第2絶縁層46は、X方向に延びる。第2絶縁層は、第2電極層41(SGD)をX方向に沿って分離する。第2絶縁層46のX方向に沿った長さL1は、第2電極層41(SGD)のX方向に沿った長さL2よりも長く、第1電極層41(WLDD)のX方向に沿った長さL3よりも短い。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)