Мобильная версия |
Deutsch |
English |
Español |
Français |
日本語 |
한국어 |
Português |
中文 |
العربية |
PATENTSCOPE
Поиск по международным и национальным патентным фондам
Настройки
Запрос
Результаты
Интерфейс
Ведомство
Перевести
Язык запроса
Английский
Арабский
Все
Вьетнамский
Иврит
Испанский
Китайский
Корейский
Немецкий
Португальский
Русский
Французский
Эстонский
Японский
болгарский
датский
индонезийский
итальянский
лаоска
польский
румынский
тайский
шведский
Основа слова
Сортировать по:
Релевантность
Даты публикации по убыванию
Даты публикации по возрастанию
Даты подачи по убыванию
Даты подачи по возрастанию
Длина списка
10
50
100
200
Язык списка результатов
Язык запроса
Английский
Испанский
Корейский
Вьетнамский
Иврит
Португальский
Французский
Немецкий
Японский
Русский
Китайский
итальянский
польский
датский
шведский
Арабский
Эстонский
индонезийский
тайский
болгарский
лаоска
румынский
Отображаемые поля
Номер заявки
Дата публикации
Реферат
Имя заявителя
Класс МПК
Изображение
Имя изобретателя
Таблица/Диаграмма
Таблица
Диаграмма
Сгруппировать по
*
Не выбрано
Offices of NPEs
Код МПК
Заявители
Изобретатели
Даты подачи
Даты публикации
Страны
Число элементов/Группа
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
Download Fields
NPEs
Вид поиска по умолчанию
Простой поиск
Расширенный поиск
По комбинации полей
Просмотреть понедельно (PCT)
Расширенный межъязыковой запрос
Переводчик
Простой поиск
Расширенный поиск
По комбинации полей
Просмотреть понедельно (PCT)
Расширенный межъязыковой запрос
Переводчик
Поисковое поле по умолчанию
Front Page
Any Field
Full Text
ID/Numbers
IPC
Names
Dates
Front Page
Any Field
Full Text
ID/Numbers
IPC
Names
Dates
Язык интерфейса
English
Deutsch
Français
Español
日本語
中文
한국어
Português
Русский
English
Deutsch
Français
Español
日本語
中文
한국어
Português
Русский
Интерфейс с несколькими окнами
Всплывающая подсказка
Всплывающая подсказка по МПК
Instant Help
Expanded Query
Ведомство:
Все
Все
PCT
Африка
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС)
Египет
Кения
Марокко
Тунис
Южная Африка
Америка
Соединенные Штаты Америки
Канада
LATIPAT
Аргентина
Бразилия
Чили
Колумбия
Коста-Рика
Куба
Доминиканская респ.
Эквадор
Сальвадор
Гватемала
Гондурас
Мексика
Никарагуа
Панама
Перу
Уругвай
Азия-Европа
Австралия
Бахрейн
Китай
Дания
Эстония
Евразийская патентная организация
Европейское патентное ведомство (ЕПВ)
Франция
Германия
Германия (данные ГДР)
Израиль
Япония
Иордания
Португалия
Российская Федерация
Российская Федерация (данные СССР)
Саудовская Аравия
Объединённые Арабские Эмираты
Испания
Респ. Корея
Индия
Соединённое Королевство
Грузия
Болгария
Италия
Румыния
Лаосская Народно-Демократическая Республика
Asean
Сингапур
Вьетнам
Индонезия
Камбоджа
Малайзия
Бруней-Даруссалам
Филиппины
Таиланд
WIPO translate (Wipo internal translation tool)
Поиск
Простой поиск
Расширенный поиск
По комбинации полей
Расширенный межъязыковой запрос
Химические соединения (требуется логин)
Просмотреть
Просмотреть понедельно (PCT)
архив новостей
Загрузки национальных фаз
Полная загрузка
Инкрементная загрузка (последние 7 дней)
Перечень последовательностей
Реестр экологически устойчивых изобретений МПК
Портал патентных реестров
Перевод
WIPO Translate
WIPO Pearl
Новости
Новости PATENTSCOPE
Войти в систему
ui-button
Войти в систему
Создать учетную запись (аккаунт)
Настройки
Настройки
Помощь
ui-button
Как производить поиск
Руководство пользователя PATENTSCOPE
Руководство пользователя: Расширенный межъязыковой запрос
User Guide: ChemSearch
Синтаксис запроса
Определение полей
Код страны
Охват данных
Заявки PCT
Переход на национальную фазу по процедуре PCT
Национальные фонды
Публичное Global Dossier
Часто задаваемые вопросы
Отзывы и контакты
Коды ИНИД
Коды публикации
Учебные материалы
О программе
Обзор
Положения и условия
Правовая оговорка
Стартовая страница
Услуги в области ИС
PATENTSCOPE
Автоматизированный перевод
Wipo Translate
Арабский
Немецкий
Английский
Испанский
Французский
Японский
Корейский
Португальский
Русский
Китайский
Google Translate
Bing/Microsoft Translate
Baidu Translate
Арабский
Английский
Французский
Немецкий
Испанский
Португальский
Русский
Корейский
Японский
Китайский
...
Italian
Thai
Cantonese
Classical Chinese
Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресу
Отзывы и контакты
1. (WO2018055704) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Библиограф. данные PCT
Полный текст
Чертежи
Национальная фаза
Уведомления
Документы
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро
Постоянная ссылка
Постоянная ссылка
Закладка
№ публикации:
WO/2018/055704
№ международной заявки:
PCT/JP2016/077889
Дата публикации:
29.03.2018
Дата международной подачи:
21.09.2016
МПК:
H01L 21/336
(2006.01) ,
H01L 29/788
(2006.01) ,
H01L 29/792
(2006.01)
H
ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения A
III
B
V
с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
334
многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов
335
полевых транзисторов
336
с изолированным затвором
H
ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
788
с плавающим затвором
H
ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
792
с изолятором затвора, захватывающим заряды, например запоминающий МНОП-транзистор
Заявители:
東芝メモリ株式会社 TOSHIBA MEMORY CORPORATION
[JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050023, JP
Изобретатели:
坂本 渉 SAKAMOTO, Wataru
; JP
中木 寛 NAKAKI, Hiroshi
; JP
石原 英恵 ISHIHARA, Hanae
; JP
Агент:
日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko
; JP
Дата приоритета:
Название
(EN)
SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR)
DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA)
半導体装置およびその製造方法
Реферат:
(EN)
The semiconductor device according to an embodiment includes a laminate, a first insulating layer, first and second step parts 2, and a second insulating layer 46. The laminate includes a first electrode layer 41 (WLDD) and a second electrode layer 41 (SGD). The first and second step parts 2 are provided to a first end-section region 101 and a second end-section region 102. The second insulating layer 46 extends in the X-direction. The second insulating layer divides the second electrode layer 41 (SGD) along the X-direction. The length L1 of the second insulating layer 46 along the X-direction is greater than the length L2 of the second electrode layer 41 (SGD) along the X-direction and less than the length L3 of the first electrode layer 41 (WLDD) along the X-direction.
(FR)
Selon un mode de réalisation de la présente invention, un dispositif à semi-conducteur comprend un stratifié, une première couche isolante, des première et seconde parties gradins (2), et une seconde couche isolante (46). Le stratifié comprend une première couche d'électrode (41) (WLDD) et une seconde couche d'électrode (41) (SGD). Les première et seconde parties gradins (2) se trouvent sur une première région de section d'extrémité (101) et une seconde région de section d'extrémité (102). La seconde couche isolante (46) s'étend dans la direction X et divise la seconde couche d'électrode (41) (SGD) le long de la direction X. La longueur L1 de la seconde couche isolante (46) le long de la direction X est supérieure à la longueur L2 de la seconde couche d'électrode (41) (SGD) le long de la direction X et inférieure à la longueur L3 de la première couche d'électrode (41) (WLDD) le long de la direction X.
(JA)
実施形態の半導体装置は、積層体と、第1絶縁層と、第1、第2階段部2と、第2絶縁層46とを含む。積層体は、第1電極層41(WLDD)と、第2電極層41(SGD)とを含む。第1、第2階段部2は、第1端部領域101と、第2端部領域102とに設けられる。第2絶縁層46は、X方向に延びる。第2絶縁層は、第2電極層41(SGD)をX方向に沿って分離する。第2絶縁層46のX方向に沿った長さL1は、第2電極層41(SGD)のX方向に沿った長さL2よりも長く、第1電極層41(WLDD)のX方向に沿った長さL3よりも短い。
Указанные государства:
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации:
Японский (
JA
)
Язык подачи:
Японский (
JA
)