PATENTSCOPE будет недоступен в течение нескольких часов по причине технического обслуживания понедельник 03.02.2020 в 10:00 AM CET
Поиск по международным и национальным патентным фондам
Часть содержимого этой заявки в данный момент недоступно.
Если такая ситуация продолжится, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2016207539) METHOD FOR INSULATING THE EDGES OF A HETEROJUNCTION PHOTOVOLTAIC CELL
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро

№ публикации: WO/2016/207539 № международной заявки: PCT/FR2016/051516
Дата публикации: 29.12.2016 Дата международной подачи: 21.06.2016
МПК:
H01L 31/18 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
18
способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей
Заявители:
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 Rue Leblanc Bâtiment le Ponant D 75015 Paris, FR
Изобретатели:
REY, Nicolas; FR
AUDINAT, Grégory; FR
ROUX, Charles; FR
Агент:
LEBKIRI, Alexandre; FR
Дата приоритета:
155593826.06.2015FR
Название (EN) METHOD FOR INSULATING THE EDGES OF A HETEROJUNCTION PHOTOVOLTAIC CELL
(FR) PROCEDE D'ISOLATION DES BORDS D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HETEROJONCTION
Реферат:
(EN) The invention relates to a method for electrically insulating the edges (E) of a heterojunction photovoltaic cell. The cell comprises a semiconductor layer stack (110) formed of a first conductive layer (104) arranged on the front surface and the side surfaces of the stack, and a second conductive layer (105) arranged on the rear surface and the side surfaces of the stack. The first and second layers are in electrical contact on the side surfaces. A step of mechanically abrading the edges is carried out so as to eliminate contact between the first and second layer on the side surfaces. Each abraded surface forms an acute angle with the front surface of the cell.
(FR) L'invention concerne un procédé d'isolation électrique des bords (E) d'une cellule photovoltaïque à hétérojonction, la cellule comportant un empilement (110) de couches semi-conductrices formé d'une première couche conductrice (104) disposée sur la surface avant et sur les surfaces latérales de l'empilement, et d'une deuxième couche conductrice (105) disposée sur la surface arrière et sur les surfaces latérales de l'empilement, la première et la deuxième couche étant en contact électrique sur les surfaces latérales. Une étape d'abrasion mécanique des bords est réalisée de sorte à éliminer le contact entre la première et la deuxième couche sur les surfaces latérales, chaque bord abrasé formant un angle aigu avec la face avant de la cellule.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация интеллектуальной собственности (АРОИС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Французский (FR)
Язык подачи: Французский (FR)
Also published as:
EP3314670