Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2014030026) A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN ESD PROTECTION DEVICE, AN ESD PROTECTION CIRCUITRY, AN INTEGRATED CIRCUIT AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

№ публикации: WO/2014/030026 № международной заявки: PCT/IB2012/001774
Дата публикации: 27.02.2014 Дата международной подачи: 22.08.2012
МПК:
H01L 27/02 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
Заявители:
LAINE, Jean Philippe [FR/FR]; FR (UsOnly)
BESSE, Patrice [FR/FR]; FR (UsOnly)
FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, TX 78735, US (AllExceptUS)
Изобретатели:
LAINE, Jean Philippe; FR
BESSE, Patrice; FR
Дата приоритета:
Название (EN) A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN ESD PROTECTION DEVICE, AN ESD PROTECTION CIRCUITRY, AN INTEGRATED CIRCUIT AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTRIQUES, ET ENSEMBLE DE CIRCUITS DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTRIQUES, CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Реферат:
(EN) A semiconductor device (200) is provided which comprises an ESD protection device. The ESD protection device is being formed by one or more pnp transistors which are present in the structure of the semiconductor device (200). The semiconductor device (200) comprises two portions (234, 240) of an isolated p-doped region which are separated by an N-doped region (238). Two p- doped regions (210, 224) are provided within the two portions (23, 240). The p-dopant concentration of the two-doped region (210, 224) is higher than the p-dopant concentration of the isolated p-doped region. A first electrical contact (214) is connected only via a highly doped p-contact region (212) to the first p-doped region (210) and a second electrical contact (222) is connected only via another highly doped p-contact region (222) to the second p-doped region (224).
(FR) La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur (200) qui comprend un dispositif de protection contre les décharges électriques. Le dispositif de protection contre les décharges électriques est constitué d'un ou de plusieurs transistors PNP qui sont présents dans la structure du dispositif à semi-conducteur (200). Le dispositif à semi-conducteur (200) comprend deux parties (234, 240) d'une région dopée P isolée qui sont séparées par une région dopée N (238). Deux régions dopées P (210, 224) sont prévues à l'intérieur des deux parties (23, 240). La densité des atomes dopants P des deux régions dopées P (210, 224) est supérieure à la densité des atomes dopants P de la région dopée P isolée. Un premier contact électrique (214) est connecté uniquement par l'intermédiaire d'une région de contact P hautement dopée (212) à la première région dopée P (210) et un second contact électrique (222) est connecté uniquement par l'intermédiaire d'une autre région de contact P hautement dopée (222) à la seconde région dopée P (224).
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)