Поиск по международным и национальным патентным фондам
Часть содержимого этой заявки в данный момент недоступно.
Если такая ситуация продолжится, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2002041409) SOLAR CELL USING A CONTACT FRAME AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро

№ публикации: WO/2002/041409 № международной заявки: PCT/DE2001/004332
Дата публикации: 23.05.2002 Дата международной подачи: 16.11.2001
Требованиe в соответствии с Главой 2 подано: 11.06.2002
МПК:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/05 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
02
конструктивные элементы
0224
электроды
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
04
предназначенные для работы в качестве преобразователей
042
содержащие панели или матрицы фотоэлектрических элементов, например солнечных элементов
05
отличающиеся специальными межсоединениями
Заявители:
KÖNIG, Katharina [DE/DE]; DE (AllExceptUS)
KÖNIG, Dirk [DE/DE]; DE
Изобретатели:
KÖNIG, Dirk; DE
Дата приоритета:
100 57 297.917.11.2000DE
Название (DE) SOLARZELLE UNTER VERWENDUNG EINES KONTAKTRAHMENS UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SOLAR CELL USING A CONTACT FRAME AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) CELLULE SOLAIRE METTANT EN OEUVRE UN CADRE DE CONTACT ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Реферат:
(DE) Solarzelle mit einem Kontaktrahmen und Verfahren zu deren HerstellungDie Erfindung betrifft eine Solarzelle mit einem Kontaktrahmen, im wesentlichen bestehend aus: a) einer Halbleiterschicht (HLS) als Basismaterial, b) einer sich unmittelbar unter der Oberfläche der aktiven Halbleiterschicht (HLS) befindenden elektrisch hoch leitfähigen Halbleiterschicht (HL-HLS), einer sich auf der aktiven Halbleiterschicht (HLS) befindenden Isolatorschicht (IS), c) einer zur Halbleiterschicht (HLS) isolierten Metallschicht (MS), die über Kontakte (K) elektrisch gut leitend mit der hoch leitfähigen Halbleiterschicht (HL-HLS) verbunden ist, wobei d) die Metallschicht als Kontaktrahmen ausgebildet ist, an dem sich die Kontakte befinden Erfindungsgemäss weist die elektrisch hoch leitfähige Halbleiterschicht (HL-HLS) keine Verbindung zur Seitenfläche (SF) der Solarzelle auf. Verfahrensgemäss erfolgt dazu eine Höhenreduzierung der aktiven Halbleiterschicht (HLS), so dass die elektrisch hoch leitfähige Halbleiterschicht (HL-HLS) nicht bis zur Seitenfläche (SF) der Halbleiterschicht (HLS) reicht.
(EN) The invention relates to a solar cell with a contact frame and to a method for the production thereof. Said solar cell with a contact frame is essentially comprised of: a) a semiconductor layer (HLS) serving as base material; b) an electrically highly conductive semiconductor layer (HL-HLS) located directly beneath the surface of the active semiconductor layer (HLS), of an insulation layer (IS) located on the active semiconductor layer (HLS); c) a metal layer (MS) insulated from the semiconductor layer (HLS), connected electrically in a highly conductive manner to the highly conductive semiconductor layer (HL-HLS), by means of contacts (K), whereby; d) the metal layer is provided in the form of a contact frame, on which the contacts are located. According to the invention, the electrically highly conductive semiconductor layer (HL-HLS) has no connection to the lateral surface (SF) of the solar cell. The inventive method results in a height reduction of the active semiconductor layer (HLS) so that the electrically highly conductive semiconductor layer (HL-HLS) does not extend up to the lateral surface (SF) of the semiconductor layer (HLS).
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire comprenant un cadre de contact. Cette cellule solaire est principalement constituée : a) d'une couche semi-conductrice (HLS) servant de matériau de base, b) d'une couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS), qui se trouve immédiatement sous la surface de la couche semi-conductrice active (HLS), d'une couche isolante (IS), qui se trouve sur la couche semi-conductrice active (HLS), et c) d'une couche métallique (MS), qui est isolée par rapport à la couche semi-conductrice (HLS) et qui est connectée de manière bien électro-conductrice avec la couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS), par l'intermédiaire de contacts (K), d) la couche métallique étant conçue sous forme de cadre de contact sur lequel se trouvent les contacts. Selon cette invention, la couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS) ne présente aucune connexion à la surface latérale (SF) de la cellule solaire. La présente invention concerne également un procédé permettant de réduire la hauteur de la couche semi-conductrice active (HLS), de façon que la couche semi-conductrice hautement électro-conductrice (HL-HLS) n'atteigne pas la surface latérale (SF) de la couche semi-conductrice (HLS).
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Африканская региональная организация интеллектуальной собственности (АРОИС) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Немецкий (DE)
Язык подачи: Немецкий (DE)
Also published as:
AU2002226273