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Analyse

1.WO/1993/013548SUSCEPTEUR DE TRANCHES
WO 08.07.1993
CIB H01L 21/00
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
N° de demande PCT/JP1988/000067 Déposant OHMI, Tadahiro Inventeur OHMI, Tadahiro
L'invention concerne un suscepteur de tranches destiné à supporter et à chauffer des tranches de semi-conducteur, lequel est placé dans une chambre de réaction d'un appareil de production de semiconducteurs. Le suscepteur de tranches comprend un élément de support générateur de chaleur destiné à supporter et à chauffer la tranche, ainsi qu'un mince revêtement déposé sur l'élément de support générateur de chaleur, ledit revêtement présentant un ou des orifices à travers lesquels les gaz des impuretés sont libérés de l'élément de support générateur de chaleur.
2.WO/1993/017233METHODE ET DISPOSITIF D'EVALUATION DES RATEES D'ALLUMAGE DANS UN MOTEUR A COMBUSTION INTERNE
WO 02.09.1993
CIB F02D 41/14
FMÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
02MOTEURS À COMBUSTION; ENSEMBLES FONCTIONNELS DE MOTEURS À GAZ CHAUDS OU À PRODUITS DE COMBUSTION
DCOMMANDE DES MOTEURS À COMBUSTION
41Commande électrique de l'alimentation en mélange combustible ou en ses constituants
02Dispositions de circuits pour produire des signaux de commande
14introduisant des corrections à boucle fermée
N° de demande PCT/JP1990/000693 Déposant OHSAKI, Masanobu Inventeur OHSAKI, Masanobu
Dispositif assurant le contrôle par information en retour du rapport air-carburant en se basant sur le signal de détection d'un capteur air-carburant à une phase de fonctionnement spécifique et en opérant la régulation directe de ce rapport air-carburant lors d'une autre phase de fonctionnement. Toute ratée d'allumage est évaluée à partir du signal du capteur du rapport air-carburant au moment de la régulation directe, pour produire un avertissement.
3.WO/1993/017458DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR A SUBSTRAT DE SILICIUM ET PROCEDE DE REALISATION
WO 02.09.1993
CIB H01L 21/74
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
74Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p. ex. couches collectrices profondes, connexions internes
N° de demande PCT/JP1990/001124 Déposant YOSHIDA, Tohru Inventeur YOSHIDA, Tohru
Dispositif semiconducteur de type à substrat de silicium, composé d'un film semiconducteur (15) d'épaisseur réduite, formé sur un film isolant (12). Le dispositif semiconducteur à substrat de silicium comporte un substrat semiconducteur (11), le film isolant (12) présentant des parties en retrait (13a, 13b) formées sur le substrat semiconducteur (11), et des éléments conducteurs électriques (14a, 14b) noyés dans les portions en retrait (13a, 13b). Le dispositif incorpore en outre un film semiconducteur (15) formé sur le film isolant (12) et des régions d'impureté (16) formées sur le film semiconducteur (15) connectées électriquement aux éléments électroconducteurs (14a, 14b).______________________________
4.WO/1993/013203CELLULES HYBRIDES PRODUCTRICES D'UN ANTIGENE CARACTERISTIQUE DU VIRUS DE L'HEPATITE B
WO 08.07.1993
CIB A61K 39/00
ANÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
KPRÉPARATIONS À USAGE MÉDICAL, DENTAIRE OU POUR LA TOILETTE
39Préparations médicinales contenant des antigènes ou des anticorps
N° de demande PCT/FR1986/000147 Déposant CHENCINER, Nicole Inventeur CHENCINER, Nicole
L'invention concerne des cellules hybrides transformées ou transformables par un ADN cloné contenant la séquence codant pour l'antigène HBs. Elles sont caractérisées en ce qu'elles contiennent, d'une part, une partie au moins du patrimoine génétique de cellules d'hépatocyte de singe et, d'autre part, un marqueur génétique leur permettant de pousser dans un milieu sélectif ou contenant un principe actif normalement léthal pour les cellules VERO dont l'hybride est issu, mais inactivable par le polypeptide exprimé par ledit marqueur génétique.
5.WO/1993/012948CONTROLLEUR POUR LA CONDUITE D'UN VEHICULE A VITESSE CONSTANTE
WO 08.07.1993
CIB B60K 31/04
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
60VÉHICULES EN GÉNÉRAL
KAGENCEMENT OU MONTAGE DES ENSEMBLES DE PROPULSION OU DES TRANSMISSIONS SUR LES VÉHICULES; AGENCEMENT OU MONTAGE DE PLUSIEURS MOTEURS PRINCIPAUX DIFFÉRENTS SUR LES VÉHICULES; ENTRAÎNEMENTS AUXILIAIRES POUR VÉHICULES; INSTRUMENTS OU TABLEAUX DE BORD DE VÉHICULES; AMÉNAGEMENTS DES ENSEMBLES DE PROPULSION SUR LES VÉHICULES, RELATIFS AU REFROIDISSEMENT, À L'ADMISSION D'AIR, À L'ÉCHAPPEMENT DES GAZ OU À L'ALIMENTATION EN CARBURANT
31Accessoires agissant sur un seul sous-ensemble pour la commande automatique de la vitesse des véhicules, c.-à-d. empêchant la vitesse de dépasser une valeur déterminée de façon arbitraire ou maintenant une vitesse donnée choisie par le conducteur du véhicule
02comprenant un servo-mécanisme actionné électriquement
04et un moyen pour comparer une variable électrique, p. ex. tension, impulsion, forme d'onde, flux, ou similaire, avec une autre variable du même type, le moyen de comparaison délivrant un signal électrique au moyen de commande
N° de demande PCT/JP1987/000616 Déposant NAITOU, Yasuo Inventeur NAITOU, Yasuo
Dans la présente invention, un signal de vitesse de marche (V) détecté est introduit dans un organe détecteur de vitesse de marche (3) et est autorisé à passer à travers le second organe d'égalisation, lequel possède des caractéristiques d'égalisation similaires à l'indication du compteur de vitesse indépendamment d'un signal de vitesse de marche (Vs) égalisé par le premier organe d'égalisation (10) qui est utilisé à des fins de contrôle. Ainsi, lorsqu'un signal de sélection de vitesse cible (Vr) est introduit, un organe générateur de signal de vitesse cible (14) produit un second signal de vitesse de marche égalisée qui autorise une correspondance approximative avec une vitesse cible désirée par le conducteur.
6.WO/1993/014991EMBALLAGE PLIANT
WO 05.08.1993
CIB B65D 71/00
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
65MANUTENTION; EMBALLAGE; EMMAGASINAGE; MANIPULATION DES MATÉRIAUX DE FORME PLATE OU FILIFORME
DRÉCEPTACLES POUR L'EMMAGASINAGE OU LE TRANSPORT D'OBJETS OU DE MATÉRIAUX, p. ex. SACS, TONNEAUX, BOUTEILLES, BOÎTES, BIDONS, CAISSES, BOCAUX, RÉSERVOIRS, TRÉMIES OU CONTENEURS D'EXPÉDITION; ACCESSOIRES OU FERMETURES POUR CES RÉCEPTACLES; ÉLÉMENTS D'EMBALLAGE; PAQUETS
71Paquets d'objets maintenus ensemble par des éléments d'emballage pour la commodité du stockage ou du transport, p. ex. paquets compartimentés pour le transport à la main de plusieurs réceptacles tels que des boîtes de bière ou des bouteilles de boissons gazeuses; Balles de matériaux
N° de demande PCT/EP1989/000276 Déposant KRAUS, Rudolf Inventeur KRAUS, Rudolf
Emballage pliant (1) pour plusieurs objets placés les uns à côté des autres sur deux rangées, qui comporte une surface de recouvrement (2), deux parois latérales (3, 4) et un fond qui consiste en deux sections (7, 8). Des languettes (9) sont découpées dans une des sections du fond et viennent s'engager dans des évidements (11) pratiqués dans l'autre section du fond (8). Elles s'accrochent alors à d'autres languettes (12, 13).
7.WO/1993/013563PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE SUSCEPTIBLE D'EFFET LASER MULTI-LONGUEURS D'ONDE, ET DISPOSITIF OBTENU
WO 08.07.1993
CIB H01L 27/15
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs ayant des barrières de potentiel, spécialement adaptés à l'émission de lumière
N° de demande PCT/FR1987/000414 Déposant MENIGAUX, Louis Inventeur MENIGAUX, Louis
Sur un substrat S, par exemple un arséniure de gallium de type N+, on constitue un empilement de double hétérostructure comprenant des couches de confinement (CC) encadrant des couches actives (CA). Un décapage sélectif est conduit de manière à mettre à nu des couches de confinement de rangs différents, par exemple CC4, CC3, CC2. Les couches de confinement reçoivent d'abord des couches de contact (CP, en arséniure de gallium de type P). A travers celles-ci, on constitue des régions R1, R2, R3, qui forment des jonctions avec la couche active supérieure, respectivement (CA1, CA2, CA3). Des vallées (V10, V21, V32) sont creusées pour isoler les empilements élémentaires ainsi définis. Après constitution de dépôt métallique de contact, et préparation optique des surfaces extrêmes, on obtient un dispositif laser multi-longueurs d'ondes.
8.WO/1993/013578LASER A SEMI-CONDUCTEURS
WO 08.07.1993
CIB H01L 21/306
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV du tableau périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p. ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p. ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
N° de demande PCT/JP1989/000303 Déposant MIYAZAWA, Seiichi Inventeur MIYAZAWA, Seiichi
Dans un laser à semi-conducteurs, une couche de semi-conducteurs, qui sert de substrat sur lequel différentes couches de semi-conducteurs seront empilées, comprend une rainure ou une protubérance de section trapézoïdale qui s'étend dans la direction du résonateur. Des impuretés amphotères sont contenues dans au moins une des couches de semi-conducteurs situées sur la partie amont de la couche active d'un trajet sur lequel passe un courant lorsqu'une tension de polarisation en sens direct est appliquée aux électrodes.
9.WO/1993/017263JOINT D'ETANCHEITE
WO 02.09.1993
CIB F16J 15/32
FMÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
16ÉLÉMENTS OU ENSEMBLES DE TECHNOLOGIE; MESURES GÉNÉRALES POUR ASSURER LE BON FONCTIONNEMENT DES MACHINES OU INSTALLATIONS; ISOLATION THERMIQUE EN GÉNÉRAL
JPISTONS; CYLINDRES; RÉCIPIENTS SOUS PRESSION EN GÉNÉRAL; JOINTS D'ÉTANCHÉITÉ
15Joints d'étanchéité
16entre deux surfaces mobiles l'une par rapport à l'autre
32par joints élastiques, p. ex. joints toriques
N° de demande PCT/JP1991/000193 Déposant HEINZEN, Stephen, Raymond Inventeur HEINZEN, Stephen, Raymond
L'invention se rapporte à un joint d'étanchéité, qui comprend: une partie d'étanchéité principale (S1) pour établir une jointure hermétique avec un objet à protéger; et une partie d'étanchéité auxiliaire (S2) disposée sur le côté opposé à l'objet de la partie d'étanchéité principale (S1), afin de faire obstacle à l'entrée de matières étrangères, entre un premier élément d'étanchéité (10) fixé en mode étanche aux fluides à la périphérie interne de la chambre cylindrique de passage de l'arbre dans le logement (2) et un second élémet d'étanchéité (20) fixé en mode étanche aux fluides à l'arbre (3) devant être introduits dans la chambre cylindrique (4) de passage de l'arbre dans le logement (2) de façon rotative par rapport à lui. La partie d'étanchéité auxiliaire (S2) comporte un tout petit interstice ayant un passage en spirale (5) pour les fluides, qui agit comme pompe à vis pour décharger les matières étrangères vers le côté opposé de la partie d'étanchéité principale (S1) par la rotation relative des deux éléments d'étanchéité, dans le but d'accroître la fonction de protection étanche contre les matières étrangères, tout en permettant une excentricité dynamique. Le premier élément d'étanchéité (10) comprend une bride (16) qui vient en butée sur la surface de bord (2a) du logement, et un tampon (80) est disposé entre la bride (160 et une partie s'étendant radialement du second élément d'étanchéité (20), dans une position radialement plus éloignée de la proximité des parties coudées de la pièce d'ajustement périphérique externe (13) du premier élément d'étanchéité (10) avec une rigidité élevée et de la bride (16). Ainsi, on rend le premier élément d'étanchéité (10) résistant aux déformations causées par une charge axiale et on empêche la chaleur produite dans le tampon (80) de se transmettre à la partie d'étanchéité principale (S1).
10.WO/1993/014376STRUCTURE D'ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR SERVANT A DETECTER LA POSITION D'UNE IMAGE ET PROCEDE DE DETECTION DE LA POSITION D'UNE IMAGE
WO 22.07.1993
CIB H01L 27/144
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
N° de demande PCT/JP1988/000662 Déposant IDESAWA, Masanori Inventeur IDESAWA, Masanori
Elément semi-conducteur servant à détecter la position d'une image, comprenant un film photoélectrique recouvert d'une couche de résistance. La région de détection de la position d'une image est divisée en un ensemble de sections et une électrode de sortie est placée à la frontière entre les sections. Les électrodes de sortie à travers l'ensemble de sections permettent de déterminer d'abord les sections qui présentent une image et qui sont plus étroites que l'ensemble de sections, et les électrodes de sortie à travers les sections qui présentent l'image servent à détecter la position de l'image dans les sections, ce qui permet de déterminer la position de l'image à partir des sections qui présentent l'image. On peut améliorer presque proportionnellement au nombre de sections la résolution de détection de la position d'une image.