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Analyse

1 / 59 975
1.WO/2011/145666CIRCUIT D'ÉMISSION D'IMPULSIONS, REGISTRE À DÉCALAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
WO - 24.11.2011
CIB H03K 19/0175
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
 N° de demande PCT/JP2011/061465 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur AMANO, Seiko
L'invention concerne un circuit d'émission d'impulsions dans un registre à décalage, où une ligne d'alimentation électrique connectée à un transistor dans une partie de sortie connectée à un circuit d'émission d'impulsions de l'étage supérieur est portée à une tension de commande à faible potentiel, et une ligne d'alimentation électrique connectée à un transistor dans une partie de sortie connectée à une ligne de signal de balayage est portée à une tension de commande à potentiel variable. La tension de commande à potentiel variable est la tension de commande à faible potentiel dans un mode normal et peut être soit une tension de commande à potentiel élevé, soit la tension de commande à faible potentiel dans un mode de traitement par lots. Dans le mode de traitement par lots, des signaux de balayage de l'affichage peuvent être émis à une pluralité de lignes de signal de balayage avec la même synchronisation dans un lot.
2.WO/2011/055620DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
WO - 12.05.2011
CIB H01L 29/786
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant des barrières de potentiel; Condensateurs ou résistances ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
 N° de demande PCT/JP2010/068105 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur YAMAZAKI, Shunpei
Dans un mode de réalisation, l'invention concerne la production d'un dispositif à semi-conducteur à qualité d'affichage et à fiabilité élevées, comprenant une partie de pixel et une partie de circuit d'attaque capable de fonctionner à vitesse élevée sur un substrat, utilisant des transistors qui présentent des caractéristiques électriques favorables et une fiabilité élevée en tant qu'éléments de commutation. Deux types de transistors, dans chacun desquels une couche d'oxyde semi-conducteur comprenant une région cristalline sur un côté de surface est utilisée en tant que couche active, sont formés dans une partie de circuit d'attaque et une partie de pixel. Les caractéristiques électriques des transistors peuvent être sélectionnées par choix de la position de la couche d'électrode de grille qui détermine la position du canal. En conséquence, un dispositif à semi-conducteur comprenant une partie d'attaque fonctionnant à vitesse élevée et une partie de pixel peut être produit.
3.WO/2010/004944DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT
WO - 14.01.2010
CIB H05B 33/12
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; SOURCES LUMINEUSES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS; CIRCUITS POUR SOURCES LUMINEUSES ÉLECTRIQUES, EN GÉNÉRAL
33Sources lumineuses électroluminescentes
12Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
 N° de demande PCT/JP2009/062253 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur SEO, Satoshi
L'invention porte sur un dispositif émetteur de lumière flexible et léger qui peut posséder une partie d'affichage courbe et afficher une image en couleur à haute résolution, et sur son procédé de fabrication. Le dispositif émetteur de lumière comprend : un substrat en plastique ; une couche isolante avec un adhésif intercalé entre eux ; un transistor en couches minces sur la couche isolante ; un film isolant protecteur sur le transistor en couches minces ; un filtre coloré sur le film isolant protecteur ; et un élément émetteur de lumière blanche formée sur et en contact avec le transistor en couches minces.
4.WO/2012/005541DISPOSITIF D'AFFICHAGE PORTATIF
WO - 12.01.2012
CIB G06F 3/14
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3Dispositions d'entrée pour le transfert de données destinées à être traitées sous une forme maniable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p. ex. dispositions d'interface
14Sortie numérique vers un dispositif de visualisation
 N° de demande PCT/KR2011/005017 Déposant KIM, Si-Han Inventeur KIM, Si-Han
La présente invention concerne un dispositif d'affichage portatif qui comprend au moins deux boîtiers de panneaux, les boîtiers de panneaux étant munis d'afficheurs respectifs de telle manière que les afficheurs soient interconnectés afin de former un écran unique lorsque les boîtiers de panneaux sont dépliés. L'ensemble de l'écran du dispositif d'affichage peut être affiché sous une forme divisée dans une direction verticale ou horizontale par le premier dispositif d'affichage et le second dispositif d'affichage. Le premier dispositif d'affichage et le second dispositif d'affichage sont en contact l'un avec l'autre. Le dispositif d'affichage portatif comprend un premier dispositif d'entrée correspondant aux informations délivrées sur le premier afficheur et un second dispositif d'entrée correspondant aux informations délivrées sur le second afficheur. Le premier dispositif d'entrée et le second dispositif d'entrée sont également en contact l'un avec l'autre de telle manière que les deux dispositifs d'entrée puissent être utilisés sous la forme d'un dispositif d'entrée unique.
5.WO/2010/058746DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
WO - 27.05.2010
CIB H01L 29/786
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant des barrières de potentiel; Condensateurs ou résistances ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
 N° de demande PCT/JP2009/069407 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur MIYAIRI, Hidekazu
En élevant la définition d’un dispositif d’affichage, le nombre de pixels est augmenté, ce qui augmente le nombre de lignes de gâchette et de lignes de signal. Quand le nombre de lignes de gâchette et de lignes de signal augmente, il est difficile de monter une puce de CI comportant des circuits de commande pour commander les lignes de gâchette et les lignes de signal par liaison ou similaire, ce qui entraîne une augmentation des coûts de fabrication. Une portion de pixels et un circuit de commande pour commander la portion de pixels sont disposés sur le même substrat, et au moins une partie du circuit de commande comprend un transistor à couche mince comprenant un semi-conducteur oxyde intercalé entre des électrodes de gâchette. Une couche de protection de canal est ajoutée entre le semi-conducteur oxyde et une électrode de gâchette disposée sur le semi-conducteur oxyde. La portion de pixels et le circuit de commande son disposés sur le même substrat, ce qui entraîne une réduction des coûts de fabrication.
6.WO/2011/034068DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
WO - 24.03.2011
CIB G09F 9/30
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
FPRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
 N° de demande PCT/JP2010/065887 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur EGUCHI, Shingo
La présente invention a pour objet d'améliorer la fiabilité d'un dispositif électroluminescent. Un autre objet de l'invention est de conférer une flexibilité à un dispositif électroluminescent ayant un transistor à couches minces utilisant une couche semi-conductrice à oxyde. Un dispositif électroluminescent a, sur un substrat flexible, une partie de circuit d'attaque comportant un transistor à couches minces servant de circuit d'attaque et une partie pixel comportant un transistor à couches minces servant de pixel. Le transistor à couches minces servant de circuit d'attaque et le transistor à couches minces servant de pixel sont des transistors à couches minces décalés et inversés comportant une couche semi-conductrice à oxyde qui est en contact avec une partie d'une couche d'oxyde isolante.
7.WO/2013/077686SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE FOURNITURE D'INFORMATIONS DÉLIVRÉES PAR PHASE
WO - 30.05.2013
CIB G06F 3/01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3Dispositions d'entrée pour le transfert de données destinées à être traitées sous une forme maniable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p. ex. dispositions d'interface
01Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
 N° de demande PCT/KR2012/010021 Déposant KIM, Si-Han Inventeur KIM, Si-Han
On décrit un terminal comprenant un dispositif d'affichage, un dispositif de traitement central et un dispositif d'entrée. Lorsqu'une instruction d'exécution d'une phase parmi des phases de discrimination est entrée dans le dispositif d'affichage, le dispositif d'entrée produit en sortie l'instruction d'exécution de la phase et le dispositif de traitement central reconnaît la phase de l'instruction d'exécution pour la phase et produit en sortie des informations pertinentes pour la phase à afficher. Ainsi, les informations pertinentes pour les informations affichées sur l'écran actuel peuvent être effectivement affichées à l'écran du dispositif d'affichage, même sans exécution de plusieurs instructions de commutation d'écran.
8.WO/1993/001545ARCHITECTURE DE MICROPROCESSEUR RISC A PERFORMANCES ELEVEES
WO - 21.01.1993
CIB G06F 9/30
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
9Dispositions pour la commande par programme, p. ex. unités de commande
06utilisant des programmes stockés, c.-à-d. utilisant un moyen de stockage interne à l'équipement de traitement de données pour recevoir ou conserver les programmes
30Dispositions pour exécuter des instructions machines, p. ex. décodage d'instructions
 N° de demande PCT/JP1992/000868 Déposant SEIKO EPSON CORPORATION Inventeur NGUYEN, Le Trong
L'architecture de microprocesseur RISC, basée sur une mémoire centrale et à performances élevées, permet d'exécuter simultanément des instructions obtenues de la mémoire par l'intermédiaire d'une unité d'extraction d'instructions comprenant des parcours d'extractions multiples permettant l'extraction d'une suite d'instructions de programme principal, d'une suite d'instructions de branchement conditionnel cible et d'une suite d'instructions de procédure. La trajectoire d'extraction de branchement conditionnel cible permet d'extraire les deux suites d'instructions possibles pour une instruction de branchement conditionnel. La trajectoire d'extraction d'instructions de procédure permet d'accéder à une suite d'instructions supplémentaires sans remettre à zéro les tampons d'extraction principaux ou cibles. Chaque ensemble d'instruction comprend une multiplicité d'instructions de longueur fixe. Un système premier entré-premier sorti pour les instructions est prévu afin de mettre en mémoire tampon des ensembles d'instructions dans une multiplicité de tampons d'ensembles d'instructions comprenant un premier et un second tampon. Une unité d'exécution d'instructions comprenant un fichier de registre et une multiplicité d'unités fonctionnelles est pourvue d'une unité de commande d'instructions pouvant examiner les ensembles d'instructions dans les premier et second tampons et organiser n'importe quelle instruction afin qu'elle soit exécutée par des unités fonctionnelles disponibles. Des trajectoires de données multiples entre les unités fonctionnelles et le fichier de registre permettent aux unités fonctionnelles d'obtenir des accès multiples et indépendants au fichier de registre tel qu'il est requis pour l'exécution des instructions respectives.
9.WO/2000/017058CONTENANT, CONTENANT ISOLANT ET DISPOSITIFS, ET PROCEDE UTILISE POUR FABRIQUER CES CONTENANTS
WO - 30.03.2000
CIB B31B 15/00
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
31FABRICATION D'ARTICLES EN PAPIER, EN CARTON OU EN MATÉRIAUX TRAVAILLÉS D’UNE MANIÈRE ANALOGUE AU PAPIER; TRAVAIL DU PAPIER, DU CARTON OU DE MATÉRIAUX TRAVAILLÉS D’UNE MANIÈRE ANALOGUE AU PAPIER
BFABRICATION DE RÉCEPTACLES EN PAPIER, EN CARTON OU EN MATÉRIAUX TRAVAILLÉS DE MANIÈRE ANALOGUE AU PAPIER
15Mécanismes caractérisés par le fait que les boîtes ou cartons fabriqués sont habillés ou renforcés extérieurement
 N° de demande PCT/JP1999/005076 Déposant DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. Inventeur MOCHIZUKI, Yoichi
L'invention concerne un contenant (10) isolant qui comporte une partie d'enveloppe (11) cylindrique présentant une partie supérieure ouverte, une partie inférieure (12) recouvrant la partie inférieure de la partie d'enveloppe (11), et un manchon (10B) inséré entre un corps (10A) principal de récipient, qui présente une surface interne sur laquelle au moins est formée une couche de résine de polyoléfine, et la surface de pourtour extérieur de la partie d'enveloppe (11) du corps (10A) principal de récipient, un espace étant prévu entre ceux-ci. Des nervures (13, 13') sont formées sur le corps (10A) principal de récipient de sorte que celles-ci entourent la partie d'enveloppe (11) du corps (10A) principal de récipient, et le corps (10A) principal de récipient est formé de façon que le diamètre extérieur de la partie ouverte située à l'extrémité supérieure de la partie d'enveloppe (11) est supérieur à la hauteur du corps (10A) principal de récipient. On obtient ainsi un contenant isolant en papier de forme stable et aux propriétés isolantes stables, facile à manier, de conception excellente, très flexible du point de vue de l'impression, hygiénique et peu polluant, qui est façonné quasiment en forme de bols chinois ou de bols.
10.WO/2012/079403PROCÉDÉ DE DOPAGE, STRUCTURE PN, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE ET CELLULE SOLAIRE
WO - 21.06.2012
CIB H01L 31/18
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
 N° de demande PCT/CN2011/080101 Déposant KINGSTONE SEMICONDUCTOR COMPANY LTD. Inventeur CHEN, John
La présente invention concerne un procédé de dopage, consistant : à former une couche dopée de type n+ dans une surface d'un substrat de type n ; à former un masque sur la surface du substrat de type N, une zone qui n'est pas recouverte par le masque étant une zone ouverte ; à graver la couche dopée de type n+ pour retirer complètement la couche dopée de type N+ sous la zone ouverte et exposer le substrat de type n ; à former une zone dopée de type P+ dans le substrat de type n sous la zone ouverte par injection d'ions, la zone dopée de type P+ n'étant pas en contact avec une couche dopée de type N+ non gravée ; à retirer le masque pour obtenir une structure PN comprenant la zone dopée de type N+ et la zone dopée de type P+, la couche dopée de type N+ non gravée étant la zone dopée de type N+. L'invention concerne une structure PN, une cellule solaire et son procédé de fabrication. Par la présente invention, les étapes de processus sont simplifiées, l'achat d'une machine de photogravure et l'utilisation de modèles de masques multiples ne sont pas requis, le problème d'étalonnage des modèles de masques n'existe pas, et le coût de fabrication de la structure PN et de la cellule solaire est réduit.
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