Commentaires
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

632 248 résultats
Offices all Langues fr Stemming/racinisation true Membre de famille unique false Inclure la LNB false
Le flux RSS ne peut être généré que si vous avez un compte OMPI

Enregistrer la requête

Une requête privée n'est visible que lorsque vous êtes connecté et ne peut pas être utilisée dans les flux RSS.

Arbre de requête

Affiner les options

Offices
Tout
Veuillez préciser la langue utilisée pour vos mots clés de recherche
La racinisation (stemming) réduit les mots infléchis à leur racine ou forme de base.
Par exemple les mots fishing, fished,fish, et fisher sont réduits au mot de base,fish,
de sorte que toute recherche portant sur le terme fisher renvoie à toutes les différentes variantes
Renvoie un seul membre d'une famille de brevets
Inclure la littérature non-brevet (LNB) dans les résultats

Requête complète

(NPCC:KR AND CTR:WO)

Raccourcis en vue côte à côte

Général
Aller à l'entrée de recherche
CTRL + SHIFT +
Aller aux résultats (entrée sélectionnée)
CTRL + SHIFT +
Aller au détail (onglet sélectionné)
CTRL + SHIFT +
Aller à la page suivante
CTRL +
Aller à la page précédente
CTRL +
Résultats (sélectionner préalablement "Aller aux résultats")
Aller à l'entrée / image suivante
/
Aller à l'entrée / image précédente
/
Faire défiler vers le haut
Page Up
Faire défiler vers le bas
Page Down
Faire défiler jusqu'au haut de la page
CTRL + Home
Faites défiler jusqu'au bas de la page
CTRL + End
Détail (sélectionner préalablement "Aller au détail")
Aller à l'onglet suivant
Aller à l'onglet précédent

Analyse

1 / 63 225
1.WO/2010/004944DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT
WO - 14.01.2010
CIB H05B 33/12
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; SOURCES LUMINEUSES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS; CIRCUITS POUR SOURCES LUMINEUSES ÉLECTRIQUES, EN GÉNÉRAL
33Sources lumineuses électroluminescentes
12Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
 N° de demande PCT/JP2009/062253 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur SEO, Satoshi
L'invention porte sur un dispositif émetteur de lumière flexible et léger qui peut posséder une partie d'affichage courbe et afficher une image en couleur à haute résolution, et sur son procédé de fabrication. Le dispositif émetteur de lumière comprend : un substrat en plastique ; une couche isolante avec un adhésif intercalé entre eux ; un transistor en couches minces sur la couche isolante ; un film isolant protecteur sur le transistor en couches minces ; un filtre coloré sur le film isolant protecteur ; et un élément émetteur de lumière blanche formée sur et en contact avec le transistor en couches minces.
2.WO/2010/038820DISPOSITIF D'AFFICHAGE
WO - 08.04.2010
CIB H01L 29/786
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant des barrières de potentiel; Condensateurs ou résistances ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
 N° de demande PCT/JP2009/067119 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur YAMAZAKI, Shunpei
En augmentant la définition d'un dispositif d'affichage, le nombre de pixels est augmenté, ce qui augmente le nombre de lignes de gâchette et de lignes de signal. En raison de l'augmentation des nombres de lignes de gâchette et de lignes de signal, il est difficile de monter une puce de CI comportant un circuit de commande pour commander les lignes de gâchette et de signal par liaison ou similaire, ce qui entraîne une augmentation des coûts de fabrication. Une portion de pixel et un circuit de commande servant à commander la portion de pixels sont formés sur un substrat. Au moins une partie du circuit de commande est formée en utilisant un transistor à couche mince inversé décalé dans lequel un semi-conducteur oxyde est utilisé. Le circuit de commande ainsi que la portion de pixel sont disposés sur le même substrat, ce qui réduit les coûts de fabrication.
3.WO/2011/145666CIRCUIT D'ÉMISSION D'IMPULSIONS, REGISTRE À DÉCALAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
WO - 24.11.2011
CIB H03K 19/0175
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
 N° de demande PCT/JP2011/061465 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur AMANO, Seiko
L'invention concerne un circuit d'émission d'impulsions dans un registre à décalage, où une ligne d'alimentation électrique connectée à un transistor dans une partie de sortie connectée à un circuit d'émission d'impulsions de l'étage supérieur est portée à une tension de commande à faible potentiel, et une ligne d'alimentation électrique connectée à un transistor dans une partie de sortie connectée à une ligne de signal de balayage est portée à une tension de commande à potentiel variable. La tension de commande à potentiel variable est la tension de commande à faible potentiel dans un mode normal et peut être soit une tension de commande à potentiel élevé, soit la tension de commande à faible potentiel dans un mode de traitement par lots. Dans le mode de traitement par lots, des signaux de balayage de l'affichage peuvent être émis à une pluralité de lignes de signal de balayage avec la même synchronisation dans un lot.
4.WO/2011/034068DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
WO - 24.03.2011
CIB G09F 9/30
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
FPRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
 N° de demande PCT/JP2010/065887 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur EGUCHI, Shingo
La présente invention a pour objet d'améliorer la fiabilité d'un dispositif électroluminescent. Un autre objet de l'invention est de conférer une flexibilité à un dispositif électroluminescent ayant un transistor à couches minces utilisant une couche semi-conductrice à oxyde. Un dispositif électroluminescent a, sur un substrat flexible, une partie de circuit d'attaque comportant un transistor à couches minces servant de circuit d'attaque et une partie pixel comportant un transistor à couches minces servant de pixel. Le transistor à couches minces servant de circuit d'attaque et le transistor à couches minces servant de pixel sont des transistors à couches minces décalés et inversés comportant une couche semi-conductrice à oxyde qui est en contact avec une partie d'une couche d'oxyde isolante.
5.WO/2011/055620DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
WO - 12.05.2011
CIB H01L 29/786
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant des barrières de potentiel; Condensateurs ou résistances ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
 N° de demande PCT/JP2010/068105 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur YAMAZAKI, Shunpei
Dans un mode de réalisation, l'invention concerne la production d'un dispositif à semi-conducteur à qualité d'affichage et à fiabilité élevées, comprenant une partie de pixel et une partie de circuit d'attaque capable de fonctionner à vitesse élevée sur un substrat, utilisant des transistors qui présentent des caractéristiques électriques favorables et une fiabilité élevée en tant qu'éléments de commutation. Deux types de transistors, dans chacun desquels une couche d'oxyde semi-conducteur comprenant une région cristalline sur un côté de surface est utilisée en tant que couche active, sont formés dans une partie de circuit d'attaque et une partie de pixel. Les caractéristiques électriques des transistors peuvent être sélectionnées par choix de la position de la couche d'électrode de grille qui détermine la position du canal. En conséquence, un dispositif à semi-conducteur comprenant une partie d'attaque fonctionnant à vitesse élevée et une partie de pixel peut être produit.
6.WO/2013/077686SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE FOURNITURE D'INFORMATIONS DÉLIVRÉES PAR PHASE
WO - 30.05.2013
CIB G06F 3/01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3Dispositions d'entrée pour le transfert de données destinées à être traitées sous une forme maniable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p. ex. dispositions d'interface
01Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
 N° de demande PCT/KR2012/010021 Déposant KIM, Si-Han Inventeur KIM, Si-Han
On décrit un terminal comprenant un dispositif d'affichage, un dispositif de traitement central et un dispositif d'entrée. Lorsqu'une instruction d'exécution d'une phase parmi des phases de discrimination est entrée dans le dispositif d'affichage, le dispositif d'entrée produit en sortie l'instruction d'exécution de la phase et le dispositif de traitement central reconnaît la phase de l'instruction d'exécution pour la phase et produit en sortie des informations pertinentes pour la phase à afficher. Ainsi, les informations pertinentes pour les informations affichées sur l'écran actuel peuvent être effectivement affichées à l'écran du dispositif d'affichage, même sans exécution de plusieurs instructions de commutation d'écran.
7.WO/2011/046010AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT CET AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES
WO - 21.04.2011
CIB H01L 29/786
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant des barrières de potentiel; Condensateurs ou résistances ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
 N° de demande PCT/JP2010/066627 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur YAMAZAKI, Shunpei
Dans un afficheur à cristaux liquides, qui comprend une pluralité de pixels dans la partie écran, et qui est configuré pour effectuer l'affichage dans une pluralité de périodes de trame, chacune des périodes de trame incluant une période d'écriture et une période d'entretien. En outre, une fois qu'une image a été introduite pour chacun des pixels de la pluralité de pixels pendant la période d'écriture, un transistor inclus dans chacun des pixels de la pluralité de pixels est mis à l'état non passant, et le signal d'image est entretenu pendant au moins 30 secondes dans la période de d'entretien. Le pixel inclut une couche semi-conductrice comportant une couche d'oxyde semi-conducteur, et la couche semi-conductrice présente une concentration en porteurs inférieure à 1 1014 /cm3.
8.WO/1996/015459MONTAGE D'ELEMENTS SOUPLES SUR DES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS ET METHODOLOGIE D'ESSAI APPLICABLES AUX PLAQUETTES
WO - 23.05.1996
CIB B23K 20/00
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p. ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
20Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p. ex. revêtement ou placage
 N° de demande PCT/US1995/014885 Déposant FORMFACTOR, INC. Inventeur KHANDROS, Igor, Y.
L'invention consiste à monter directement des structures de contact souples (430) pour le soudage des plages (410) de connexion sur les puces de semi-conducteur (402a, 402b) avant de séparer ces puces (402a, 402b) d'une plaquette à semi-conducteurs. Le procédé permet d'appliquer des stimuli aux puces (402a, 402b) en question (par exemple, essai et/ou vieillissement) en reliant les puces (702, 704) à une carte imprimée (710) ou analogue dont la surface est équipée d'une pluralité de bornes (712). Ensuite, on peut séparer les puces (402a, 402b) de la plaquette, les mêmes structures de contact souples (430) pouvant alors être utilisées en vue de réaliser des interconnexions entre les puces et d'autres composants électroniques (tels que substrats de cablage, boîtier à semi-conducteurs, etc). En utilisant comme structures de contact souples (430) les éléments d'interconnexion composites entièrement métalliques de la présente invention, il est possible de procéder à un vieillissement accéléré (792) à des températures d'au moins 150° et en moins de 60 minutes.
9.WO/2007/058329DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
WO - 24.05.2007
CIB H01L 21/336
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV du tableau périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p. ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
 N° de demande PCT/JP2006/323042 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur AKIMOTO, Kengo
L'invention entend proposer un dispositif semi-conducteur exempt de défaut ou de défaillance et un procédé de fabrication de celui-ci même si l'on utilise un film semi-conducteur ZnO et l'on utilise un film ZnO auquel on ajoute une impureté de type n ou de type p, pour une électrode de source et une électrode de drain. Le dispositif semi-conducteur contient un film d'isolation de grille formé en utilisant un film d'oxyde de silicium ou un film d'oxynitrure de silicium sur une électrode de grille, un film Al ou un film d'alliage d'Al sur le film d'isolation de grille, un film ZnO auquel on ajoute une impureté de type n ou de type p sur le film Al ou le film d'alliage d'Al, et un film semi-conducteur ZnO sur le film ZnO auquel on ajoute une impureté de type n ou de type p et le film d'isolation de grille.
10.WO/2010/071025PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
WO - 24.06.2010
CIB G09G 3/36
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
GDISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
34en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
36utilisant des cristaux liquides
 N° de demande PCT/JP2009/070270 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur KIMURA, Hajime
Selon l'invention, une image à faible résolution est affichée à une résolution élevée et une consommation d'énergie est réduite. La résolution est rendue plus élevée par un traitement de super résolution. Ensuite, un affichage est effectué avec la luminance d'un rétroéclairage qui est commandée par une atténuation locale après le traitement de super résolution. Grâce à la commande de la luminance du rétroéclairage, la consommation d'énergie peut être réduite. De plus, grâce à l'exécution de l'atténuation locale après le traitement de super résolution, un affichage précis peut être effectué.
# -