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Analyse

1 / 74 177
1.WO/1993/001545ARCHITECTURE DE MICROPROCESSEUR RISC A PERFORMANCES ELEVEES
WO - 21.01.1993
CIB G06F 9/30
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
9Dispositions pour la commande par programme, p. ex. unités de commande
06utilisant des programmes stockés, c.-à-d. utilisant un moyen de stockage interne à l'équipement de traitement de données pour recevoir ou conserver les programmes
30Dispositions pour exécuter des instructions machines, p. ex. décodage d'instructions
 N° de demande PCT/JP1992/000868 Déposant SEIKO EPSON CORPORATION Inventeur NGUYEN, Le Trong
L'architecture de microprocesseur RISC, basée sur une mémoire centrale et à performances élevées, permet d'exécuter simultanément des instructions obtenues de la mémoire par l'intermédiaire d'une unité d'extraction d'instructions comprenant des parcours d'extractions multiples permettant l'extraction d'une suite d'instructions de programme principal, d'une suite d'instructions de branchement conditionnel cible et d'une suite d'instructions de procédure. La trajectoire d'extraction de branchement conditionnel cible permet d'extraire les deux suites d'instructions possibles pour une instruction de branchement conditionnel. La trajectoire d'extraction d'instructions de procédure permet d'accéder à une suite d'instructions supplémentaires sans remettre à zéro les tampons d'extraction principaux ou cibles. Chaque ensemble d'instruction comprend une multiplicité d'instructions de longueur fixe. Un système premier entré-premier sorti pour les instructions est prévu afin de mettre en mémoire tampon des ensembles d'instructions dans une multiplicité de tampons d'ensembles d'instructions comprenant un premier et un second tampon. Une unité d'exécution d'instructions comprenant un fichier de registre et une multiplicité d'unités fonctionnelles est pourvue d'une unité de commande d'instructions pouvant examiner les ensembles d'instructions dans les premier et second tampons et organiser n'importe quelle instruction afin qu'elle soit exécutée par des unités fonctionnelles disponibles. Des trajectoires de données multiples entre les unités fonctionnelles et le fichier de registre permettent aux unités fonctionnelles d'obtenir des accès multiples et indépendants au fichier de registre tel qu'il est requis pour l'exécution des instructions respectives.
2.WO/2012/005541DISPOSITIF D'AFFICHAGE PORTATIF
WO - 12.01.2012
CIB G06F 3/14
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3Dispositions d'entrée pour le transfert de données destinées à être traitées sous une forme maniable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p. ex. dispositions d'interface
14Sortie numérique vers un dispositif de visualisation
 N° de demande PCT/KR2011/005017 Déposant KIM, Si-Han Inventeur KIM, Si-Han
La présente invention concerne un dispositif d'affichage portatif qui comprend au moins deux boîtiers de panneaux, les boîtiers de panneaux étant munis d'afficheurs respectifs de telle manière que les afficheurs soient interconnectés afin de former un écran unique lorsque les boîtiers de panneaux sont dépliés. L'ensemble de l'écran du dispositif d'affichage peut être affiché sous une forme divisée dans une direction verticale ou horizontale par le premier dispositif d'affichage et le second dispositif d'affichage. Le premier dispositif d'affichage et le second dispositif d'affichage sont en contact l'un avec l'autre. Le dispositif d'affichage portatif comprend un premier dispositif d'entrée correspondant aux informations délivrées sur le premier afficheur et un second dispositif d'entrée correspondant aux informations délivrées sur le second afficheur. Le premier dispositif d'entrée et le second dispositif d'entrée sont également en contact l'un avec l'autre de telle manière que les deux dispositifs d'entrée puissent être utilisés sous la forme d'un dispositif d'entrée unique.
3.WO/2011/145666CIRCUIT D'ÉMISSION D'IMPULSIONS, REGISTRE À DÉCALAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
WO - 24.11.2011
CIB H03K 19/0175
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
 N° de demande PCT/JP2011/061465 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur AMANO, Seiko
L'invention concerne un circuit d'émission d'impulsions dans un registre à décalage, où une ligne d'alimentation électrique connectée à un transistor dans une partie de sortie connectée à un circuit d'émission d'impulsions de l'étage supérieur est portée à une tension de commande à faible potentiel, et une ligne d'alimentation électrique connectée à un transistor dans une partie de sortie connectée à une ligne de signal de balayage est portée à une tension de commande à potentiel variable. La tension de commande à potentiel variable est la tension de commande à faible potentiel dans un mode normal et peut être soit une tension de commande à potentiel élevé, soit la tension de commande à faible potentiel dans un mode de traitement par lots. Dans le mode de traitement par lots, des signaux de balayage de l'affichage peuvent être émis à une pluralité de lignes de signal de balayage avec la même synchronisation dans un lot.
4.WO/2010/004944DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT
WO - 14.01.2010
CIB H05B 33/12
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; SOURCES LUMINEUSES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS; CIRCUITS POUR SOURCES LUMINEUSES ÉLECTRIQUES, EN GÉNÉRAL
33Sources lumineuses électroluminescentes
12Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
 N° de demande PCT/JP2009/062253 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur SEO, Satoshi
L'invention porte sur un dispositif émetteur de lumière flexible et léger qui peut posséder une partie d'affichage courbe et afficher une image en couleur à haute résolution, et sur son procédé de fabrication. Le dispositif émetteur de lumière comprend : un substrat en plastique ; une couche isolante avec un adhésif intercalé entre eux ; un transistor en couches minces sur la couche isolante ; un film isolant protecteur sur le transistor en couches minces ; un filtre coloré sur le film isolant protecteur ; et un élément émetteur de lumière blanche formée sur et en contact avec le transistor en couches minces.
5.WO/2017/222611SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE JEU INTERACTIF PARMI UNE PLURALITÉ DE JOUEURS
WO - 28.12.2017
CIB G07F 17/32
GPHYSIQUE
07DISPOSITIFS DE CONTRÔLE
FAPPAREILS DÉCLENCHÉS PAR DES PIÈCES DE MONNAIE OU APPAREILS SIMILAIRES
17Appareils déclenchés par pièces de monnaie pour la location d'articles; Installations ou services déclenchés par pièces de monnaie
32pour jeux, jouets, sports ou distractions
 N° de demande PCT/US2017/020950 Déposant AG 18, LLC Inventeur FRENKEL, Brian
L'invention concerne un système de jeu interactif parmi une pluralité de joueurs, comprenant un système informatique hôte et une pluralité de terminaux de joueur connectés en communication au système informatique hôte ou à une plate-forme de jeu par le biais d'un réseau. La pluralité de terminaux de joueur peuvent se trouver en une pluralité d'emplacements de jeu sous licence. La pluralité de terminaux de joueur peuvent être configurés pour engager la pluralité de joueurs dans un jeu interactif commun opéré par le système informatique hôte. La pluralité de terminaux de joueur peuvent comprendre des moyens pour distribuer les gains des joueurs depuis le terminal de joueur.
6.WO/2013/109358HARMONISATION DE CODAGE DE COEFFICIENT DANS HEVC
WO - 25.07.2013
CIB H04N 7/12
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p. ex. TÉLÉVISION
7Systèmes de télévision
12Systèmes dans lesquels le signal de télévision est transmis par un canal ou une pluralité de canaux parallèles, la bande passante de chaque canal étant inférieure à la largeur de bande du signal de télévision
 N° de demande PCT/US2012/069022 Déposant SONY CORPORATION Inventeur XU, Jun
L'invention concerne un codage de coefficient pour les unités de transformation (TU) durant le codage vidéo à haute efficacité (HEVC) et les normes analogues, visant à simplifier la conception tout en améliorant l'efficacité. Les éléments de l'invention comprennent le codage de coefficient pour les TU, les balayages diagonaux haut-droit étant modifiés, et l'application de manière sélective du codage multiniveaux de carte de signifiance.
7.WO/2001/047294PROCEDE ET APPAREIL DESTINES A UN SYSTEME DE COMMUNICATION CELLULAIRE A SPECTRE ADAPTATIF
WO - 28.06.2001
CIB H04W 72/04
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
WRÉSEAUX DE TÉLÉCOMMUNICATIONS SANS FIL
72Gestion des ressources locales
04Affectation de ressources sans fil
 N° de demande PCT/US2000/034353 Déposant TANTIVY COMMUNICATIONS, INC. Inventeur AMALFITANO, Carlo
L'invention concerne un système de communication de données sans fil qui utilise une largeur de bande de voie, une séparation de voie, et un spectre de puissance haute fréquence compatible avec des déploiements de services vocaux sans fil existants. Les formes d'onde transmises sont donc compatibles avec les réseaux cellulaires existants. Toutefois, le codage numérique à dimension temporelle, la modulation et les éléments de commande d'alimentation sont optimisés pour la transmission de données. Les sites de réseaux cellulaires existants peuvent ainsi être utilisés pour fournir un service ultra rapide optimisé pour le trafic de données sans fil, sans qu'il soit nécessaire de procéder à une nouvelle répartition des fréquences radio ou d'interférer dans les déploiements de services vocaux existants.
8.WO/2011/096263DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
WO - 11.08.2011
CIB H01L 29/786
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant des barrières de potentiel; Condensateurs ou résistances ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
 N° de demande PCT/JP2011/050612 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur YAMAZAKI, Shunpei
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur, plus pratique et extrêmement fiable, qui présente un transistor avec un oxyde semi-conducteur offrant une résistance supérieure aux impacts, et qui est utilisé pour une variété d'applications. Ledit dispositif semi-conducteur possède un transistor à grille inférieure, comprenant une couche d'électrode de grille, une couche d'isolation de grille et une couche d'oxyde semi-conducteur sur un substrat, une couche d'isolation sur le transistor et une couche conductrice sur la couche d'isolation. La couche d'isolation, qui recouvre la couche d'oxyde semi-conducteur, est en contact avec la couche d'isolation de grille. Dans une direction de largeur du canal de la couche d'oxyde semi-conducteur, des parties d'extrémité de la couche d'isolation de grille et de la couche d'isolation sont alignées l'une avec l'autre au-dessus de la couche d'électrode de grille, et la couche conductrice recouvre une région de formation de canal de la couche d'oxyde semi-conducteur ainsi que les parties d'extrémité de la couche d'isolation de grille et de la couche d'isolation, tout en étant en contact avec la couche d'électrode de grille.
9.WO/2011/055620DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
WO - 12.05.2011
CIB H01L 29/786
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant des barrières de potentiel; Condensateurs ou résistances ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
 N° de demande PCT/JP2010/068105 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur YAMAZAKI, Shunpei
Dans un mode de réalisation, l'invention concerne la production d'un dispositif à semi-conducteur à qualité d'affichage et à fiabilité élevées, comprenant une partie de pixel et une partie de circuit d'attaque capable de fonctionner à vitesse élevée sur un substrat, utilisant des transistors qui présentent des caractéristiques électriques favorables et une fiabilité élevée en tant qu'éléments de commutation. Deux types de transistors, dans chacun desquels une couche d'oxyde semi-conducteur comprenant une région cristalline sur un côté de surface est utilisée en tant que couche active, sont formés dans une partie de circuit d'attaque et une partie de pixel. Les caractéristiques électriques des transistors peuvent être sélectionnées par choix de la position de la couche d'électrode de grille qui détermine la position du canal. En conséquence, un dispositif à semi-conducteur comprenant une partie d'attaque fonctionnant à vitesse élevée et une partie de pixel peut être produit.
10.WO/2010/058746DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
WO - 27.05.2010
CIB H01L 29/786
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE H1075
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant des barrières de potentiel; Condensateurs ou résistances ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
 N° de demande PCT/JP2009/069407 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur MIYAIRI, Hidekazu
En élevant la définition d’un dispositif d’affichage, le nombre de pixels est augmenté, ce qui augmente le nombre de lignes de gâchette et de lignes de signal. Quand le nombre de lignes de gâchette et de lignes de signal augmente, il est difficile de monter une puce de CI comportant des circuits de commande pour commander les lignes de gâchette et les lignes de signal par liaison ou similaire, ce qui entraîne une augmentation des coûts de fabrication. Une portion de pixels et un circuit de commande pour commander la portion de pixels sont disposés sur le même substrat, et au moins une partie du circuit de commande comprend un transistor à couche mince comprenant un semi-conducteur oxyde intercalé entre des électrodes de gâchette. Une couche de protection de canal est ajoutée entre le semi-conducteur oxyde et une électrode de gâchette disposée sur le semi-conducteur oxyde. La portion de pixels et le circuit de commande son disposés sur le même substrat, ce qui entraîne une réduction des coûts de fabrication.
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