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Analyse

1 / 51 634
1.WO/1993/001545ARCHITECTURE DE MICROPROCESSEUR RISC A PERFORMANCES ELEVEES
WO - 21.01.1993
CIB G06F 9/30
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
9Dispositions pour la commande par programme, p.ex. unités de commande
06utilisant des programmes stockés, c. à d. utilisant un moyen de stockage interne à l'équipement de traitement de données pour recevoir ou conserver les programmes
30Dispositions pour exécuter des instructions machines, p.ex. décodage d'instructions
 N° de demande PCT/JP1992/000868 Déposant SEIKO EPSON CORPORATION Inventeur NGUYEN, Le Trong
L'architecture de microprocesseur RISC, basée sur une mémoire centrale et à performances élevées, permet d'exécuter simultanément des instructions obtenues de la mémoire par l'intermédiaire d'une unité d'extraction d'instructions comprenant des parcours d'extractions multiples permettant l'extraction d'une suite d'instructions de programme principal, d'une suite d'instructions de branchement conditionnel cible et d'une suite d'instructions de procédure. La trajectoire d'extraction de branchement conditionnel cible permet d'extraire les deux suites d'instructions possibles pour une instruction de branchement conditionnel. La trajectoire d'extraction d'instructions de procédure permet d'accéder à une suite d'instructions supplémentaires sans remettre à zéro les tampons d'extraction principaux ou cibles. Chaque ensemble d'instruction comprend une multiplicité d'instructions de longueur fixe. Un système premier entré-premier sorti pour les instructions est prévu afin de mettre en mémoire tampon des ensembles d'instructions dans une multiplicité de tampons d'ensembles d'instructions comprenant un premier et un second tampon. Une unité d'exécution d'instructions comprenant un fichier de registre et une multiplicité d'unités fonctionnelles est pourvue d'une unité de commande d'instructions pouvant examiner les ensembles d'instructions dans les premier et second tampons et organiser n'importe quelle instruction afin qu'elle soit exécutée par des unités fonctionnelles disponibles. Des trajectoires de données multiples entre les unités fonctionnelles et le fichier de registre permettent aux unités fonctionnelles d'obtenir des accès multiples et indépendants au fichier de registre tel qu'il est requis pour l'exécution des instructions respectives.
2.WO/2011/004755DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
WO - 13.01.2011
CIB H01L 21/336
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
 N° de demande PCT/JP2010/061221 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur YAMAZAKI, Shunpei
La présente invention a pour objet de fabriquer et de fournir un écran hautement fiable incluant un transistor à couches minces avec une ouverture relative élevée qui a des caractéristiques électriques stables. Dans un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur doté d'un transistor à couches minces dans lequel une couche semi-conductrice incluant une région de formation de canal est formée à l'aide d'un film semi-conducteur d'oxyde, un traitement thermique permettant de réduire l'humidité et d'autres éléments similaires qui sont des impuretés et permettant d'améliorer la pureté du film semi-conducteur d'oxyde (traitement thermique pour déshydratation ou déshydrogénation) est effectué. D'autre part, l'ouverture relative est améliorée en formant une couche d'électrode de grille, une couche d'électrode de source et une couche d'électrode de drain à l'aide de films conducteurs ayant des propriétés de transmission de la lumière.
3.WO/1996/024138DISPOSITIF DE MEMOIRE REMANENTE ET PROCEDE DE REGENERATION
WO - 08.08.1996
CIB G11C 11/56
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
 N° de demande PCT/JP1995/002260 Déposant HITACHI, LTD. Inventeur MIWA, Hitoshi
Dans une opération d'écriture, des données d'une pluralité de bits sont converties en données (données de valeurs multiples) correspondant aux combinaisons de bits par un circuit logique et les données converties sont transférées séquentiellement à un circuit de bascule relié aux lignes de bits d'un ensemble de mémoire. Des impulsions d'écriture sont générées en fonction des données détenues par le circuit de bascule et appliquées ensuite à un dispositif de mémoire dans un état de sélection, afin de conférer au dispositif de mémoire une valeur seuil correspondant aux données de valeurs multiples. Dans une opération de lecture, la tension de lecture est modifiée en une valeur intermédiaire des tensions de seuil respectives de manière à sortir l'état du dispositif de mémoire. La tension de lecture est ensuite transférée à un registre mémorisant les données de valeurs multiples et détenue par ledit registre. Les données binaires originales sont remises à l'état initial par un circuit logique de conversion inverse sur la base de données de valeurs multiples mémorisées dans ce registre. De ce fait, les circuits périphériques de l'ensemble de mémoire peuvent être maintenus à une échelle relativement réduite et l'opération d'écriture peut s'effectuer pendant une durée limitée.
4.WO/2011/058866DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
WO - 19.05.2011
CIB H01L 29/786
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
 N° de demande PCT/JP2010/068795 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur YAMAZAKI, Shunpei
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur avec une structure innovante et des caractéristiques favorables. Ce dispositif semi-conducteur comprend une couche semi-conductrice d'oxyde, une électrode de source et une électrode de drain électriquement connectées à la couche semi-conductrice d'oxyde, une couche d'isolation de gâchette recouvrant la couche semi-conductrice d'oxyde, l'électrode de source et l'électrode de drain et une électrode de gâchette sur la couche d'isolation de gâchette. L'électrode de source et l'électrode de drain comprennent une zone d'oxyde formée en oxydant une de leurs surfaces latérales. Il est à noter que la zone d'oxyde de l'électrode de source et de l'électrode de drain est de préférence formée par traitement plasma avec une puissance à haute fréquence de 300 MHz à 300 GHz et un mélange gazeux d'oxygène et d'argon.
5.WO/2001/060938COMPOSITION ADHESIVE, PROCEDE DE PRODUCTION DE LADITE RESINE, FILM ADHESIF FABRIQUE A PARTIR DE LADITE RESINE, SUBSTRAT POUR MONTAGE DE SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
WO - 23.08.2001
CIB C08G 59/18
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
59Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule; Macromolécules obtenues par réaction de polycondensats polyépoxydés avec des composés monofonctionnels à bas poids moléculaire; Macromolécules obtenues par polymérisation de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
18Macromolécules obtenues par polymérisation à partir de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
 N° de demande PCT/JP2001/001065 Déposant HITACHI CHEMICAL CO., LTD. Inventeur INADA, Teiichi
L'invention se rapporte à une composition adhésive qui comporte (a) une résine époxy, (b) un durcisseur et (c) un polymère compatible avec la résine époxy et qui contient éventuellement (d) une charge et/ou (e) un accélérateur de réticulation. L'invention se rapporte à un procédé de production d'une composition adhésive qui consiste à mélanger (a) une résine époxy avec (b) un durcisseur et (d) une charge, puis à mélanger le mélange résultant avec (c) un polymère incompatible avec la résine époxy. L'invention se rapporte à un film adhésif fabriqué par façonnage de la composition adhésive en film; à un substrat pour montage de semi-conducteur qui comporte une carte de câblage recouverte sur son pourtour dudit film adhésif, où des puces sont montées et à un dispositif semi-conducteur produit avec ledit film adhésif ou le substrat.
6.WO/2011/126334APPAREIL D'AFFICHAGE PORTABLE
WO - 13.10.2011
CIB G06F 1/16
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
1Détails non couverts par les groupes G06F3/-G06F13/89
16Détails ou dispositions de structure
 N° de demande PCT/KR2011/002470 Déposant KIM, Si-Han Inventeur KIM, Si-Han
La présente invention se rapporte à un appareil d'affichage portable qui comprend : au moins deux panneaux de boîtier supérieur et inférieur empilés les uns sur les autres; et des unités d'affichage montées sur les panneaux de boîtier supérieur et inférieur, respectivement, les panneaux de boîtier supérieur et inférieur pouvant coulisser vers la gauche et vers la droite et étant mobiles vers le haut et vers le bas les uns par rapport aux autres de telle sorte que les unités d'affichage montées sur les panneaux de boîtier supérieur et inférieur soient placées adjacentes les unes par rapport aux autres, l'espace entre les unités d'affichage variant entre 0,1 mm et 5 mm lorsque les unités d'affichage sont placées adjacentes les unes par rapport aux autres, et un moyen mobile distinct est disposé entre les panneaux de boîtier supérieur et inférieur. Ainsi, afin de mettre à la même hauteur les deux unités d'affichage qui ont été empilées, il est possible d'utiliser efficacement un moyen mobile permettant un mouvement vers le haut et vers le bas, conjointement avec un moyen coulissant permettant un coulissement vers la gauche et vers la droite. De plus, le moyen mobile distinct a pour fonction de supporter fermement le panneau de boîtier supérieur lorsque les panneaux de boîtier sont complètement dépliés.
7.WO/2017/222611SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE JEU INTERACTIF PARMI UNE PLURALITÉ DE JOUEURS
WO - 28.12.2017
CIB G07F 17/32
GPHYSIQUE
07DISPOSITIFS DE CONTRÔLE
FAPPAREILS DÉCLENCHÉS PAR DES PIÈCES DE MONNAIE OU APPAREILS SIMILAIRES
17Appareils déclenchés par pièces de monnaie pour la location d'articles; Installations ou services déclenchés par pièces de monnaie
32pour jeux, jouets, sports ou distractions
 N° de demande PCT/US2017/020950 Déposant AG 18, LLC Inventeur FRENKEL, Brian
L'invention concerne un système de jeu interactif parmi une pluralité de joueurs, comprenant un système informatique hôte et une pluralité de terminaux de joueur connectés en communication au système informatique hôte ou à une plate-forme de jeu par le biais d'un réseau. La pluralité de terminaux de joueur peuvent se trouver en une pluralité d'emplacements de jeu sous licence. La pluralité de terminaux de joueur peuvent être configurés pour engager la pluralité de joueurs dans un jeu interactif commun opéré par le système informatique hôte. La pluralité de terminaux de joueur peuvent comprendre des moyens pour distribuer les gains des joueurs depuis le terminal de joueur.
8.WO/2010/061723DISPOSITIF D’AFFICHAGE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE INCLUANT CELUI-CI
WO - 03.06.2010
CIB G09G 3/36
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
GDISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
34en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
36utilisant des cristaux liquides
 N° de demande PCT/JP2009/069142 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur UMEZAKI, Atsushi
L’invention concerne un circuit d’attaque de gâchette pour un dispositif d’affichage comprenant un registre à décalage. Le registre à décalage comprend une pluralité de bascules bistables (200_1 to 200_N). Chacune des bascules bistables (200_1 à 200_N) inclut un premier transistor (101), un deuxième transistor (102), un troisième transistor (103), un quatrième transistor (104), un cinquième transistor (131), un sixième transistor (132), un septième transistor (133), un huitième transistor (134), un neuvième transistor (135) et un condensateur (106). La présente invention peut réduire le nombre de transistors qui sont connectés au condensateur (106).
9.WO/2013/095396BARRIÈRES DE DIFFUSION DIÉLECTRIQUES HERMÉTIQUES À BASSE TEMPÉRATURE CONFORMES
WO - 27.06.2013
CIB H01L 21/316
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
 N° de demande PCT/US2011/066252 Déposant INTEL CORPORATION Inventeur KING, Sean
L'invention concerne des pellicules diélectriques hermétiques conformes convenant comme barrières de diffusion diélectriques sur une topographie en 3D. Dans des modes de réalisation, la barrière de diffusion diélectrique comprend une couche diélectrique, par exemple un oxyde de métal, qui peut être déposée par des techniques de dépôt de couche atomique (DCA) avec une conformité et une densité supérieures à ce qui peut être réalisé dans une pellicule à base de dioxyde de silicium conventionnelle déposée par un processus de PECVD pour une barrière de diffusion hermétique contigüe plus mince. Dans des modes de réalisation supplémentaires, la barrière de diffusion est une pellicule multicouche comprenant une couche diélectrique à fort k et une couche diélectrique à faible k ou à k intermédiaire (par ex. une couche bi) pour réduire la constante diélectrique de la barrière de diffusion. Dans d'autres modes de réalisation, un silicate d'une couche diélectrique à fort k (par ex. un silicate de métal) est formé pour abaisser la valeur de k de la barrière de diffusion en ajustant la teneur en silicium du silicate tout en maintenant une conformité et une densité de pellicule élevées.
10.WO/2011/055620DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
WO - 12.05.2011
CIB H01L 29/786
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
 N° de demande PCT/JP2010/068105 Déposant SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventeur YAMAZAKI, Shunpei
Dans un mode de réalisation, l'invention concerne la production d'un dispositif à semi-conducteur à qualité d'affichage et à fiabilité élevées, comprenant une partie de pixel et une partie de circuit d'attaque capable de fonctionner à vitesse élevée sur un substrat, utilisant des transistors qui présentent des caractéristiques électriques favorables et une fiabilité élevée en tant qu'éléments de commutation. Deux types de transistors, dans chacun desquels une couche d'oxyde semi-conducteur comprenant une région cristalline sur un côté de surface est utilisée en tant que couche active, sont formés dans une partie de circuit d'attaque et une partie de pixel. Les caractéristiques électriques des transistors peuvent être sélectionnées par choix de la position de la couche d'électrode de grille qui détermine la position du canal. En conséquence, un dispositif à semi-conducteur comprenant une partie d'attaque fonctionnant à vitesse élevée et une partie de pixel peut être produit.
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