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Paramétrages

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1. JP2013232674 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Office Japon
Numéro de la demande 2013142909
Date de la demande 08.07.2013
Numéro de publication 2013232674
Date de publication 14.11.2013
Type de publication A
CIB
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8244
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
11
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
H01L 21/8244
H01L 21/8234
H01L 27/088
H01L 27/11
CPC
H01L 27/1104
H01L 27/0207
H01L 27/11
Déposants TOSHIBA CORP
株式会社東芝
Inventeurs MIYASHITA KATSURA
宮下 桂
Mandataires 特許業務法人スズエ国際特許事務所
Données relatives à la priorité 12/020,086 25.01.2008 US
Titre
(EN) STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(JA) スタティックランダムアクセスメモリとその製造方法
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a static random access memory capable of improving performance and stability thereof without changing the conventional size and shape of each transistor, and a method for manufacturing the static random access memory.

SOLUTION: A method for manufacturing a static random access memory includes the processes of: forming two pull-down field effect transistors, two pass gate field effect transistors and two pull-up field effect transistors on a semiconductor substrate (process 700); and adjusting the gate capacitance of the two pull-down field effect transistors, the two pass gate field effect transistors or the two pull-up field effect transistors, while the field effect transistors have common channel width to channel length ratios (process 702).

COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT

(JA)


【課題】各トランジスタのサイズ及び形状を従来と変更することなく、性能及び安定性を向上させることができるスタティックランダムアクセスメモリとその製造方法を提供する。
【解決手段】2個のプルダウン電界効果トランジスタ、2個のパスゲート電界効果トランジスタ、および2個のプルアップ電界効果トランジスタを半導体基板上に形成し700、複数の前記電界効果トランジスタのそれぞれは、チャネル幅とチャネル長の比率が同じであり、2個のプルダウン電界効果トランジスタ、または2個のパスゲート電界効果トランジスタ、または2個のプルアップ電界効果トランジスタのゲート容量を調整するプロセス702を具備する。
【選択図】図8