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1. WO2023281785 - LASER À SEMI-CONDUCTEURS À ÉMISSION DE SURFACE VERTICALE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LASER À SEMI-CONDUCTEURS À ÉMISSION DE SURFACE VERTICALE

Numéro de publication WO/2023/281785
Date de publication 12.01.2023
N° de la demande internationale PCT/JP2022/004594
Date du dépôt international 07.02.2022
CIB
H01S 5/183 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
H01S 5/343 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique , lasers à plusieurs puits quantiques ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif
343dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
Déposants
  • ソニーグループ株式会社 SONY GROUP CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 中島 博 NAKAJIMA Hiroshi
  • 横関 弥樹博 YOKOZEKI Mikihiro
  • 渡邊 知雅 WATANABE Tomomasa
  • 笠原 大爾 KASAHARA Daiji
Mandataires
  • 渡邊 薫 WATANABE Kaoru
Données relatives à la priorité
2021-11440909.07.2021JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) VERTICAL SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, AND METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEURS À ÉMISSION DE SURFACE VERTICALE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LASER À SEMI-CONDUCTEURS À ÉMISSION DE SURFACE VERTICALE
(JA) 垂直面発光半導体レーザ及び垂直面発光半導体レーザの製造方法
Abrégé
(EN) Provided are a vertical surface-emitting semiconductor laser and a method for manufacturing a surface-emitting laser with which warping of a substrate, in particular a GaAs substrate, can be suppressed, and with which yield and element characteristics can be improved by improving in-plane uniformity. The vertical surface-emitting semiconductor laser comprises, in this order, a substrate, a first semiconductor stacked structure at least consisting of a first DBR layer, a second semiconductor stacked structure at least consisting of a first conduction type semiconductor layer, a second conduction type semiconductor layer, and a semiconductor active layer disposed between the first conduction type semiconductor layer and the second conduction type semiconductor layer, and a second DBR layer, wherein: the first semiconductor stacked structure includes, at least, a 1-1th semiconductor layer having a lattice constant greater than the lattice constant of the GaAs substrate, and a 1-2th semiconductor layer having a lattice constant smaller than the lattice constant of the GaAs substrate; and the second semiconductor stacked structure includes at least InP.
(FR) Sont prévus un laser à semi-conducteurs à émission de surface verticale et un procédé de fabrication d'un laser à émission de surface avec lequel un gauchissement d'un substrat, en particulier d'un substrat à GaAs, peut être supprimé, et avec lequel le rendement et les caractéristiques d'élément peuvent être améliorés par l'amélioration de l'uniformité dans le plan. Le laser à semi-conducteurs à émission de surface verticale comprend, dans cet ordre, un substrat, une première structure empilée semi-conductrice constituée au moins d'une première couche DBR, une seconde structure empilée semi-conductrice constituée au moins d'une couche semi-conductrice de premier type de conduction, d'une couche semi-conductrice de second type de conduction et d'une couche active semi-conductrice disposée entre la couche semi-conductrice de premier type de conduction et la couche semi-conductrice de second type de conduction, et une seconde couche DBR : la première structure empilée semi-conductrice comprend, au moins, une 1-1ème couche semi-conductrice présentant une constante de réseau supérieure à la constante de réseau du substrat à GaAs, et une 1-2ème couche semi-conductrice présentant une constante de réseau inférieure à la constante de réseau du substrat à GaAs ; et la seconde structure empilée semi-conductrice comprend au moins de l'InP.
(JA) 基板、特にはGaAs基板の反りを抑制することができ、また、面内均一性を改善して、歩留まりと素子特性とを向上させることができる垂直面発光半導体レーザ及び面発光レーザの製造方法を提供すること。 基板と、少なくとも、第1DBR層から構成された第1半導体積層構造と、少なくとも、第1伝導型半導体層、第2伝導型半導体層、及び該第1伝導型半導体層と該第2伝導型半導体層との間に配された半導体活性層から構成された第2半導体積層構造と、第2DBR層と、をこの順で備え、該第1半導体積層構造は、該GaAs基板が有する格子定数に対して大きい格子定数を有する第1-1半導体層と、該GaAs基板が有する格子定数に対して小さい格子定数を有する第1-2半導体層とを少なくとも有し、該第2半導体積層構造は、InPを少なくとも含む、垂直面発光半導体レーザを提供する。
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