(EN) Methods for forming interconnects on a substrate with low resistivity and high dopant interfaces. In some embodiments, a method includes depositing a first copper layer with a dopant with a first dopant content of 0.5 percent to 10 percent in the interconnect by sputtering a first copper-based target at a first temperature of zero degrees Celsius to 200 degrees Celsius, annealing the substrate at a second temperature of 200 degrees Celsius to 400 degrees Celsius to reflow the first copper layer, depositing a second copper layer with the dopant with a second dopant content of zero percent to 0.5 percent by sputtering a second copper-based target at the first temperature of zero degrees Celsius to 200 degrees Celsius, and annealing the substrate at a third temperature of 200 degrees Celsius to 400 degrees Celsius to reflow the second copper layer.
(FR) L'invention concerne des procédés de formation d'interconnexions sur un substrat présentant une faible résistivité et des interfaces de dopant élevées. Dans certains modes de réalisation, un procédé comprend le dépôt d'une première couche de cuivre avec un dopant ayant une première teneur en dopant de 0,5 % à 10 % dans l'interconnexion par pulvérisation d'une première cible à base de cuivre à une première température de zéro degré Celsius à 200 degrés Celsius, recuit du substrat à une deuxième température de 200 degrés Celsius à 400 degrés Celsius pour la refusion de la première couche de cuivre, dépôt d'une deuxième couche de cuivre avec le dopant avec une deuxième teneur en dopant de 0 % à 0,5 % par pulvérisation d'une deuxième cible à base de cuivre à la première température de zéro degré Celsius à 200 degrés Celsius, et recuit du substrat à une troisième température de 200 degrés Celsius à 400 degrés Celsius pour faire recuire la deuxième couche de cuivre.