(EN) Provided is a positive resist composition that makes it possible to form a resist pattern in which there is little decrease in the resist pattern top. The positive resist composition includes a copolymer A, a copolymer B, and a solvent, the difference between the surface free energy of the copolymer A and the surface free energy of the copolymer B is 4 mJ/m2 or more, and the ratio of the mass (B) of the copolymer B to the total (A + B) of the masses of the copolymer A and the copolymer B in the positive resist composition and the film thickness (T nm) of a positive resist film formed by applying the positive resist composition on a substrate satisfy the relationship represented by formula (1). Formula (1): B/(A + B) × 100 (%) ≥ 5.6/T × 100 (%)
(FR) L'invention concerne une composition de réserve positive qui permet de former un motif de réserve dans lequel il y a peu de diminution de la partie supérieure du motif de réserve. La composition de réserve positive comprend un copolymère A, un copolymère B et un solvant, la différence entre l'énergie libre de surface du copolymère A et l'énergie libre de surface du copolymère B est de 4 mJ/m2 ou plus, et le rapport de la masse (B) du copolymère B au total (A + B) de la masse du copolymère A et du copolymère B dans la composition de réserve positive ainsi que l'épaisseur de film (T nm) d'un film de réserve positif formé en appliquant la composition de réserve positive sur un substrat satisfont la relation représentée par la formule (1). Formule (1) : B/(A + B) × 100 (%) ≥ 5,6/T × 100 (%)
(JA) レジストパターントップの減りが少ないレジストパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物の提供。共重合体Ａと、共重合体Ｂと、溶剤とを含むポジ型レジスト組成物であって、共重合体Ａの表面自由エネルギーと共重合体Ｂの表面自由エネルギーの差が４ｍＪ／ｍ２以上であり、ポジ型レジスト組成物における共重合体Ａ及び共重合体Ｂの質量の合計（Ａ＋Ｂ）に対する共重合体Ｂの質量（Ｂ）の割合と、ポジ型レジスト組成物を基板上に塗布して形成されるポジ型レジスト膜の膜厚（Ｔｎｍ）とが下記式（１）で表される関係を満たす、ポジ型レジスト組成物。 Ｂ／（Ａ＋Ｂ）×１００（％）≧５．６／Ｔ×１００（％） ・・・（１）
