Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2023026842 - COMPOSITION DE RÉSERVE POSITIVE

Numéro de publication WO/2023/026842
Date de publication 02.03.2023
N° de la demande internationale PCT/JP2022/030334
Date du dépôt international 08.08.2022
CIB
G03F 7/039 2006.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
039Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
C08F 220/22 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
FCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10Esters
22Esters contenant un halogène
C08F 220/24 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
FCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10Esters
22Esters contenant un halogène
24contenant des radicaux perhaloalkyle
Déposants
  • 日本ゼオン株式会社 ZEON CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 葉 信甫 YEH Sinfu
Mandataires
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
Données relatives à la priorité
2021-13753325.08.2021JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POSITIVE RESIST COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE POSITIVE
(JA) ポジ型レジスト組成物
Abrégé
(EN) Provided is a positive resist composition that makes it possible to form a resist pattern in which there is little decrease in the resist pattern top. The positive resist composition includes a copolymer A, a copolymer B, and a solvent, the difference between the surface free energy of the copolymer A and the surface free energy of the copolymer B is 4 mJ/m2 or more, and the ratio of the mass (B) of the copolymer B to the total (A + B) of the masses of the copolymer A and the copolymer B in the positive resist composition and the film thickness (T nm) of a positive resist film formed by applying the positive resist composition on a substrate satisfy the relationship represented by formula (1). Formula (1): B/(A + B) × 100 (%) ≥ 5.6/T × 100 (%)
(FR) L'invention concerne une composition de réserve positive qui permet de former un motif de réserve dans lequel il y a peu de diminution de la partie supérieure du motif de réserve. La composition de réserve positive comprend un copolymère A, un copolymère B et un solvant, la différence entre l'énergie libre de surface du copolymère A et l'énergie libre de surface du copolymère B est de 4 mJ/m2 ou plus, et le rapport de la masse (B) du copolymère B au total (A + B) de la masse du copolymère A et du copolymère B dans la composition de réserve positive ainsi que l'épaisseur de film (T nm) d'un film de réserve positif formé en appliquant la composition de réserve positive sur un substrat satisfont la relation représentée par la formule (1). Formule (1) : B/(A + B) × 100 (%) ≥ 5,6/T × 100 (%)
(JA) レジストパターントップの減りが少ないレジストパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物の提供。共重合体Aと、共重合体Bと、溶剤とを含むポジ型レジスト組成物であって、共重合体Aの表面自由エネルギーと共重合体Bの表面自由エネルギーの差が4mJ/m以上であり、ポジ型レジスト組成物における共重合体A及び共重合体Bの質量の合計(A+B)に対する共重合体Bの質量(B)の割合と、ポジ型レジスト組成物を基板上に塗布して形成されるポジ型レジスト膜の膜厚(Tnm)とが下記式(1)で表される関係を満たす、ポジ型レジスト組成物。 B/(A+B)×100(%)≧5.6/T×100(%) ・・・(1)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international