(EN) In order to make it possible to perform highly precise plasma processing by efficiently carrying out removal while maintaining an amount of electric charge to be removed from a wafer surface, provided is a plasma processing device comprising a processing chamber in which a sample is subjected to plasma processing, a first high-frequency power supply which supplies a high-frequency electric power for generating plasma, a sample stage on which the sample is placed, a second high-frequency power supply which supplies high-frequency electric power to the sample stage, a power supply which supplies voltage to the sample stage, and a control device which controls the power supply, wherein one cycle of the waveform of the voltage has a rising period in which the voltage rises, a falling period in which the voltage falls, and a removal amount control period in which a removal amount of charged particles of the sample per unit time is controlled.
(FR) Afin de rendre possible la mise en œuvre d'un traitement par plasma très précis en réalisant efficacement une élimination tout en conservant une quantité de charges électriques à éliminer d'une surface de tranche, l'invention concerne un dispositif de traitement par plasma comprenant une chambre de traitement dans laquelle un échantillon est soumis à un traitement par plasma, une première alimentation électrique haute fréquence qui fournit de l'énergie électrique haute fréquence pour générer un plasma, un étage d'échantillon sur lequel l'échantillon est placé, une seconde alimentation électrique haute fréquence qui fournit de l'énergie électrique haute fréquence à l'étage de l'échantillon, une alimentation électrique qui fournit une tension à l'étage de l'échantillon, et un dispositif de commande qui commande l'alimentation électrique, un cycle de la forme d'onde de la tension présentant une période de montée dans laquelle la tension monte, une période de chute dans laquelle la tension chute, et une période de régulation d'une quantité d'élimination dans laquelle une quantité d'élimination de particules chargées de l'échantillon par unité de temps est régulée.
(JA) ウェハ表面から除去される電荷量は維持しつつ、除去を効率的に行うことで、高精度なプラズマ処理を行えるようにするために、試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマを生成するための高周波電力を供給する第一の高周波電源と、試料が載置される試料台と、高周波電力を試料台に供給する第二の高周波電源と、電圧を試料台に印加する電源と、電源を制御する制御装置とを備えたプラズマ処理装置において、電圧の波形の一周期は、電圧が立ち上がる立上り期間と電圧が立ち下がる立下り期間と試料の荷電粒子を単位時間に除去する量を制御する除去量制御期間を有するように構成した。
