(EN) A semiconductor light-emitting element comprising: a growth substrate (11); a plurality of columnar semiconductor layers (13, 14) formed on the growth substrate (11); a p-type embedded semiconductor layer (15) covering the plurality of columnar semiconductor layers (13, 14) in contact with side surfaces of the columnar semiconductor layers (13, 14); a tunnel junction layer (16) formed on the embedded semiconductor layer (15); and an n-type semiconductor layer (17) formed on the tunnel junction layer (16). A mesa structure is formed in the embedded semiconductor layer (15), the tunnel junction layer (16), and the n-type semiconductor layer (17), wherein the tunnel junction layer (16) is formed extending to the side surface of the mesa structure.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur comprenant : un substrat de croissance (11) ; une pluralité de couches semi-conductrices en colonne (13, 14) formées sur le substrat de croissance (11) ; une couche semi-conductrice incorporée de type p (15) recouvrant la pluralité de couches semi-conductrices en colonne (13, 14) en contact avec les surfaces latérales des couches semi-conductrices en colonne (13, 14) ; une couche de jonction tunnel (16) formée sur la couche semi-conductrice incorporée (15) ; et une couche semi-conductrice de type n (17) formée sur la couche de jonction tunnel (16). Une structure mesa est formée dans la couche semi-conductrice intégrée (15), la couche de jonction tunnel (16) et la couche semi-conductrice de type n (17), la couche de jonction tunnel (16) étant formée s'étendant jusqu'à la surface latérale de la structure mesa.
(JA) 成長基板（１１）と、成長基板（１１）上に形成された複数の柱状半導体層（１３，１４）と、柱状半導体層（１３，１４）の側面に接触して複数の柱状半導体層（１３，１４）を覆うｐ型の埋込半導体層（１５）と、埋込半導体層（１５）上に形成されたトンネル接合層（１６）と、トンネル接合層（１６）上に形成されたｎ型半導体層（１７）とを備え、埋込半導体層（１５）、トンネル接合層（１６）およびｎ型半導体層（１７）にはメサ構造が形成されており、トンネル接合層（１６）がメサ構造の側面まで延伸して形成されている半導体発光素子。
