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1. WO2022249873 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2022/249873
Date de publication 01.12.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2022/019712
Date du dépôt international 09.05.2022
CIB
H01L 33/14 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
14ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H01L 33/24 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
24de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
CPC
H01L 33/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
14with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
H01L 33/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
24of the light emitting region, e.g. non-planar junction
Déposants
  • 株式会社小糸製作所 KOITO MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 石本 聖治 ISHIMOTO Seiji
  • 神野 大樹 JINNO Daiki
Mandataires
  • 特許業務法人 信栄特許事務所 SHIN-EI PATENT FIRM, P.C.
Données relatives à la priorité
2021-08928327.05.2021JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
Abrégé
(EN) A semiconductor light-emitting element comprising: a growth substrate (11); a plurality of columnar semiconductor layers (13, 14) formed on the growth substrate (11); a p-type embedded semiconductor layer (15) covering the plurality of columnar semiconductor layers (13, 14) in contact with side surfaces of the columnar semiconductor layers (13, 14); a tunnel junction layer (16) formed on the embedded semiconductor layer (15); and an n-type semiconductor layer (17) formed on the tunnel junction layer (16). A mesa structure is formed in the embedded semiconductor layer (15), the tunnel junction layer (16), and the n-type semiconductor layer (17), wherein the tunnel junction layer (16) is formed extending to the side surface of the mesa structure.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur comprenant : un substrat de croissance (11) ; une pluralité de couches semi-conductrices en colonne (13, 14) formées sur le substrat de croissance (11) ; une couche semi-conductrice incorporée de type p (15) recouvrant la pluralité de couches semi-conductrices en colonne (13, 14) en contact avec les surfaces latérales des couches semi-conductrices en colonne (13, 14) ; une couche de jonction tunnel (16) formée sur la couche semi-conductrice incorporée (15) ; et une couche semi-conductrice de type n (17) formée sur la couche de jonction tunnel (16). Une structure mesa est formée dans la couche semi-conductrice intégrée (15), la couche de jonction tunnel (16) et la couche semi-conductrice de type n (17), la couche de jonction tunnel (16) étant formée s'étendant jusqu'à la surface latérale de la structure mesa.
(JA) 成長基板(11)と、成長基板(11)上に形成された複数の柱状半導体層(13,14)と、柱状半導体層(13,14)の側面に接触して複数の柱状半導体層(13,14)を覆うp型の埋込半導体層(15)と、埋込半導体層(15)上に形成されたトンネル接合層(16)と、トンネル接合層(16)上に形成されたn型半導体層(17)とを備え、埋込半導体層(15)、トンネル接合層(16)およびn型半導体層(17)にはメサ構造が形成されており、トンネル接合層(16)がメサ構造の側面まで延伸して形成されている半導体発光素子。
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