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1. WO2022249675 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE JONCTION SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE, ET SUBSTRAT DE JONCTION SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE

Numéro de publication WO/2022/249675
Date de publication 01.12.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2022/012221
Date du dépôt international 17.03.2022
CIB
H01L 21/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Déposants
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 石崎 順也 ISHIZAKI Junya
  • 秋山 智弘 AKIYAMA Tomohiro
Mandataires
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
  • 大塚 徹 OTSUKA Toru
Données relatives à la priorité
2021-08755025.05.2021JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR JUNCTION SUBSTRATE, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR JUNCTION SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE JONCTION SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE, ET SUBSTRAT DE JONCTION SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE
(JA) 化合物半導体接合基板の製造方法、及び化合物半導体接合基板
Abrégé
(EN) The present invention relates to a method for manufacturing a compound semiconductor junction substrate, the method comprising: (1) a step for epitaxially growing a compound semiconductor functional layer on a starting substrate; (2) a step for temporarily bonding a support substrate to an epitaxial growth surface to form a first compound semiconductor junction substrate; (3) a step for removing the starting substrate from the first compound semiconductor junction substrate to form a second compound semiconductor junction substrate; (4) a step for finally bonding the surface, from which the starting substrate has been removed, of the second compound semiconductor junction substrate, to a permanent substrate to form a third compound semiconductor junction substrate; and (5) a step for removing the support substrate from the third compound semiconductor junction substrate to form a fourth compound semiconductor junction substrate, wherein the temporary bonding is performed via a thermosetting resin, the thermosetting resin is maintained in a softened state without being cured, and the final bonding is performed via a silicon oxide film or a silicon nitride film. Thus, provided is a method for manufacturing a compound semiconductor junction substrate having an improved degree of freedom in designing a device or a device system.
(FR) La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un substrat de jonction semi-conducteur composite, le procédé comprenant : (1) une étape de croissance épitaxiale d'une couche fonctionnelle semi-conductrice composite sur un substrat de départ ; (2) une étape de liaison temporaire d'un substrat de support à une surface de croissance épitaxiale pour former un premier substrat de jonction semi-conducteur composite ; (3) une étape de retrait du substrat de départ du premier substrat de jonction semi-conducteur composite pour former un deuxième substrat de jonction semi-conducteur composite ; (4) une étape de liaison finale de la surface, de laquelle le substrat de départ a été retiré, du deuxième substrat de jonction semi-conducteur composite, à un substrat permanent pour former un troisième substrat de jonction semi-conducteur composite ; et (5) une étape de retrait du substrat de support du troisième substrat de jonction semi-conducteur composite pour former un quatrième substrat de jonction semi-conducteur composite, la liaison temporaire étant réalisée par l'intermédiaire d'une résine thermodurcissable, la résine thermodurcissable étant maintenue dans un état ramolli sans être durcie, et la liaison finale étant réalisée par l'intermédiaire d'un film d'oxyde de silicium ou d'un film de nitrure de silicium. Ainsi, est prévu un procédé de fabrication d'un substrat de jonction semi-conducteur composite ayant un degré de liberté amélioré dans la conception d'un dispositif ou d'un système de dispositif.
(JA) 本発明は、(1)出発基板上に化合物半導体機能層をエピタキシャル成長させる工程、(2)エピタキシャル成長面に支持基板を仮接合して第一の化合物半導体接合基板とする工程、(3)第一の化合物半導体接合基板から出発基板を除去して第二の化合物半導体接合基板とする工程、(4)第二の化合物半導体接合基板の出発基板が除去された面を永久基板に本接合して第三の化合物半導体接合基板とする工程、(5)第三の化合物半導体接合基板から支持基板を除去して第四の化合物半導体接合基板とする工程を含み、仮接合は熱硬化性樹脂を介して行い、熱硬化性樹脂は硬化させることなく軟化状態を維持し、かつ、本接合はシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を介して行う化合物半導体接合基板の製造方法である。これにより、デバイスあるいはデバイスシステム設計上の自由度を向上させた化合物半導体接合基板の製造方法が提供される。
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