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1. WO2022248972 - APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL D'AFFICHAGE ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE

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Numéro de publication WO/2022/248972
Date de publication 01.12.2022
N° de la demande internationale PCT/IB2022/054557
Date du dépôt international 17.05.2022
CIB
G09G 3/20 2006.1
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
GDISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/32 2016.1
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
GDISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
22utilisant des sources lumineuses commandées
30utilisant des panneaux électroluminescents
32semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes
H01L 21/336 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 21/8234 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
H01L 27/06 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
CPC
G09G 3/20
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
3Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
20for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix ; no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
G09G 3/32
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
3Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
20for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix ; no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
22using controlled light sources
30using electroluminescent panels
32semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
H01L 21/8234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
H01L 27/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
H01L 29/66477
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
Déposants
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 八窪裕人 YAKUBO, Yuto
  • 豊高耕平 TOYOTAKA, Kouhei
  • 井上聖子 INOUE, Seiko
  • 黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki
Données relatives à la priorité
2021-08948327.05.2021JP
2021-10079417.06.2021JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR APPARATUS, DISPLAY APPARATUS, AND ELECTRONIC INSTRUMENT
(FR) APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL D'AFFICHAGE ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、表示装置、及び電子機器
front page image
Abrégé
(EN) Provided is a semiconductor apparatus having a display pixel circuit and an imaging pixel circuit. The semiconductor apparatus comprises a first circuit and a second circuit. The first circuit has a light emitting device, and the second circuit has a light receiving device, first through fifth transistors, and a first capacitor. The light receiving device has a first terminal and a second terminal, and the light emitting device has a third terminal and a fourth terminal. A first terminal of the first transistor is electrically connected to a first terminal of the second transistor, and a gate of the second transistor is electrically connected to a first terminal of the third transistor and a first terminal of the first capacitor. A second terminal of the first capacitor is electrically connected to a first terminal of the fourth transistor and a first terminal of the fifth transistor. A second terminal of the fifth transistor is electrically connected to the first terminal of the light receiving device, the second terminal of the light receiving device is electrically connected to the third terminal of the light emitting device, and the fourth terminal of the light emitting device is electrically connected to a wiring.
(FR) L'invention concerne un appareil à semi-conducteur comportant un circuit de pixel d'affichage et un circuit de pixel d'imagerie. L'appareil à semi-conducteur comprend un premier circuit et un deuxième circuit. Le premier circuit comporte un dispositif d'émission de lumière, et le deuxième circuit comporte un dispositif de réception de lumière, des premier à cinquième transistors, et un premier condensateur. Le dispositif de réception de lumière comprend une première borne et une deuxième borne, et le dispositif d'émission de lumière comprend une troisième borne et une quatrième borne. Une première borne du premier transistor est électriquement connectée à une première borne du deuxième transistor, et une grille du deuxième transistor est électriquement connectée à une première borne du troisième transistor et à une première borne du premier condensateur. Une deuxième borne du premier condensateur est électriquement connectée à une première borne du quatrième transistor et à une première borne du cinquième transistor. Une deuxième borne du cinquième transistor est électriquement connectée à la première borne du dispositif de réception de lumière, la deuxième borne du dispositif de réception de lumière est électriquement connectée à la troisième borne du dispositif d'émission de lumière, et la quatrième borne du dispositif d'émission de lumière est électriquement connectée à un câblage.
(JA) 表示画素回路と撮像画素回路を有する半導体装置を提供する。 第１、第２回路を有する半導体装置であって、第１回路は、発光デバイスを有し、第２回路は、受光デバイスと、第１乃至第５トランジスタと、第１容量と、を有する。また、受光デバイスは第１、第２端子を有し、発光デバイスは第３、第４端子を有する。第１トランジスタの第１端子は、第２トランジスタの第１端子に電気的に接続され、第２トランジスタのゲートは、第３トランジスタの第１端子と、第１容量の第１端子と、に電気的に接続されている。第１容量の第２端子は、第４トランジスタの第１端子と、第５トランジスタの第１端子と、に電気的に接続されている。第５トランジスタの第２端子は、受光デバイスの第１端子に電気的に接続され、受光デバイスの第２端子は、発光デバイスの第３端子に電気的に接続され、発光デバイスの第４端子は、配線に電気的に接続されている。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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