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1. WO2022209862 - DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES

Numéro de publication WO/2022/209862
Date de publication 06.10.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2022/011665
Date du dépôt international 15.03.2022
CIB
H03H 9/25 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
25Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
CPC
H03H 9/25
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
Déposants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 井上 和則 INOUE, Kazunori
  • 甲斐 誠二 KAI, Seiji
Mandataires
  • 弁理士法人大阪フロント特許事務所 OSAKA FRONT
Données relatives à la priorité
63/170,01302.04.2021US
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abrégé
(EN) Provided is an elastic wave device in which adjustable capacitance is achieved without an increase in size. An elastic wave device 10 according to the present invention is provided with: a support member 13 including a first substrate 16 and having a first hollow portion 10a; a piezoelectric layer 14 stacked on the support member 13 and including a first main surface 14a and a second main surface 14b opposing each other; an electrode portion provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14; a wiring electrode 23 provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 and connected to the electrode portion; a second substrate 25 including a third main surface 25a opposing the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 and a fourth main surface 25b opposing the third main surface 25a; a first support portion 18 and a second support portion 19 that support the second substrate 25 between, among the third main surface 25a and the fourth main surface 25b of the second substrate 25, the third main surface 25a positioned on the electrode portion side and the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14; a first UBM 21 and a second UBM 22 extending through the second substrate 25 and electrically connected to the wiring electrode 23; and an insulating film 27 provided on the fourth main surface 25b of the second substrate 25. In a plan view, at least a part of the electrode portion overlaps the first hollow portion 10a. A second hollow portion 10b is provided between the piezoelectric layer 14 and the second substrate 25. The first UBM 21 and the second UBM 22 respectively have pad portions 21B, 22B provided on the fourth main surface 25b of the second substrate 25, and via portions 21A, 22A extending through the second substrate 25. A first thickness of a part of the insulating film 27 between the pad portion 21A of the first UBM 21 and the fourth main surface 25b of the second substrate 25 differs from a second thickness of a part of the insulating film 27 between the pad portion 22B of the second UBM 22 and the fourth main surface 25b of the second substrate 25.
(FR) L'invention concerne un dispositif à ondes élastiques dans lequel une capacité réglable est obtenue sans augmentation de la taille. Un dispositif à ondes élastiques 10 selon la présente invention comprend : un élément de support 13 comprenant un premier substrat 16 et ayant une première partie creuse 10a ; une couche piézoélectrique 14 empilée sur l'élément de support 13 et comprenant une première surface principale 14a et une deuxième surface principale 14b opposées l'une à l'autre ; une partie d'électrode disposée sur la première surface principale 14a de la couche piézoélectrique 14 ; une électrode de câblage 23 disposée sur la première surface principale 14a de la couche piézoélectrique 14 et connectée à la partie d'électrode ; un deuxième substrat 25 comprenant une troisième surface principale 25a opposée à la première surface principale 14a de la couche piézoélectrique 14 et une quatrième surface principale 25b opposée à la troisième surface principale 25a ; une première partie de support 18 et une deuxième partie de support 19 qui supportent le deuxième substrat 25 entre, parmi la troisième surface principale 25a et la quatrième surface principale 25b du deuxième substrat 25, la troisième surface principale 25a positionnée sur le côté de la partie d'électrode et la première surface principale 14a de la couche piézoélectrique 14 ; un premier UBM 21 et un deuxième UBM 22 s'étendant à travers le deuxième substrat 25 et connectés électriquement à l'électrode de câblage 23 ; et un film isolant 27 disposé sur la quatrième surface principale 25b du deuxième substrat 25. Dans une vue en plan, au moins une partie de la partie d'électrode chevauche la première partie creuse 10a. Une deuxième partie creuse 10b est disposée entre la couche piézoélectrique 14 et le deuxième substrat 25. Le premier UBM 21 et le deuxième UBM 22 ont respectivement des parties de plot 21B, 22B disposées sur la quatrième surface principale 25b du deuxième substrat 25, et des parties de trous d'interconnexion 21A, 22A s'étendant à travers le deuxième substrat 25. Une première épaisseur d'une partie du film isolant 27 entre la partie de plot 21A du premier UBM 21 et la quatrième surface principale 25b du deuxième substrat 25 diffère d'une deuxième épaisseur d'une partie du film isolant 27 entre la partie de plot du deuxième UBM 22 et la quatrième surface principale 25b du deuxième substrat 25.
(JA) 大型化を伴わずして、静電容量を調整することができる、弾性波装置を提供する。 本発明に係る弾性波装置10は、第1基板16を含み、第1空洞部10aが設けられた支持部材13と、支持部材13に積層され、互いに対向する第1主面14a及び第2主面14bを有する圧電層14と、圧電層14の第1主面14aに設けられている電極部と、圧電層14の第1主面14aに設けられており、電極部と接続されている配線電極23と、圧電層14の第1主面14aと対向する第3主面25aと、第3主面25aと対向する第4主面25bとを有する第2基板25と、第2基板25の第3主面25a及び第4主面25bのうち、電極部側に位置している第3主面25aと、圧電層14の第1主面14aとの間において、第2基板25を支持している第1支持部18及び第2支持部19と、第2基板25を貫通しており、配線電極23と電気的に接続されている第1UBM21及び第2UBM22と、第2基板25の第4主面25bに設けられている絶縁膜27とを備える。平面視において、電極部の少なくとも一部が第1空洞部10aと重なっている。圧電層14と第2基板25との間には、第2空洞部10bが設けられている。第1UBM21及び第2UBM22はそれぞれ、第2基板25の第4主面25b上に設けられたパッド部21B,22Bと、第2基板25を貫通しているビア部21A,22Aとを有する。絶縁膜27における、第1UBM21のパッド部21Aと、第2基板25の第4主面25bとの間に設けられた部分の第1厚みは、絶縁膜27における、第2UBM22のパッド部22Bと第2基板25の第4主面25bとの間に設けられた部分の第2厚みと異なる。
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