(EN) This DC/DC converter (100) has a GaN switching element as a drive switching element. The DC/DC converter (100) is configured such that current flows to the GaN switching element via a first electroconductive path (1) during a voltage conversion operation. The first electroconductive path (1) is provided with a breaker switching element (41). When an overcurrent detection unit (43) detects overcurrent in the first electroconductive path (1), a drive unit (44) turns the breaker switching element (41) off. The breaker switching element (41) has a greater short-circuit capacity than the GaN switching element.
(FR) Ce convertisseur CC/CC (100) a un élément de commutation GaN en tant qu'élément de commutation d'entraînement. Le convertisseur CC/CC (100) est configuré de telle sorte que le courant circule vers l'élément de commutation GaN par l'intermédiaire d'un premier trajet électroconducteur (1) pendant une opération de conversion de tension. Le premier trajet électroconducteur (1) est pourvu d'un élément de commutation de disjoncteur (41). Lorsqu'une unité de détection de surintensité (43) détecte une surintensité dans le premier trajet électroconducteur (1), une unité d'entraînement (44) met hors tension l'élément de commutation de disjoncteur (41). L'élément de commutation de disjoncteur (41) présente une capacité de court-circuit supérieure à celle de l'élément de commutation GaN.
(JA) DCDCコンバータ(100)は、GaNスイッチング素子を駆動用スイッチング素子として有する。DCDCコンバータ(100)は、電圧変換動作時に第1導電路(1)を介してGaNスイッチング素子に電流が流れる構成である。第1導電路(1)には、遮断用スイッチング素子(41)が設けられる。過電流検知部(43)が第1導電路(1)の過電流を検知した場合に、駆動部(44)が遮断用スイッチング素子(41)をオフにする。遮断用スイッチング素子(41)は、GaNスイッチング素子よりも短絡耐量が大きい。