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1. WO2022092737 - ÉLÉMENT THERMOÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2022/092737
Date de publication 05.05.2022
N° de la demande internationale PCT/KR2021/015039
Date du dépôt international 25.10.2021
CIB
H01L 35/04 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02Détails
04Détails structurels de la jonction; Connexions des fils
H01L 35/32 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
28fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck
32caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermo-couple constituant le dispositif
Déposants
  • 엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 이종민 LEE, Jong Min
  • 조용상 CHO, Yong Sang
  • 최만휴 CHOI, Man Hue
Mandataires
  • 특허법인 다나 DANA PATENT LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2020-013932226.10.2020KR
Langue de publication Coréen (ko)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) THERMOELECTRIC ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT THERMOÉLECTRIQUE
(KO) 열전소자
Abrégé
(EN) A thermoelectric element according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate; a first insulation layer disposed on the substrate; a second insulation layer which is disposed on the first insulation layer and having an area less than the area of the first insulation layer; a plurality of first electrodes disposed on the second insulation layer; a plurality of semiconductor structures respectively disposed on the plurality of first electrodes; and a plurality of second electrodes disposed on the plurality of semiconductor structures, wherein the second insulation layer comprises an overlapping area in which the plurality of first electrodes, the plurality of second electrodes, and the plurality of semiconductor structures vertically overlap each other, and a protruding pattern protruding toward a first outer side of the substrate from the overlapping area.
(FR) La présente invention porte, selon un mode de réalisation, sur un élément thermoélectrique qui comprend : un substrat ; une première couche d'isolation disposée sur le substrat ; une seconde couche d'isolation qui est disposée sur la première couche d'isolation et a une surface inférieure à la surface de la première couche d'isolation ; une pluralité de premières électrodes disposées sur la seconde couche d'isolation ; une pluralité de structures semi-conductrices disposées respectivement sur la pluralité de premières électrodes ; et une pluralité de secondes électrodes disposées sur la pluralité de structures semi-conductrices, la seconde couche d'isolation comprenant une zone de chevauchement dans laquelle la pluralité de premières électrodes, la pluralité de secondes électrodes et la pluralité de structures semi-conductrices se chevauchent verticalement, et un motif en saillie faisant saillie vers un premier côté externe du substrat à partir de la zone de chevauchement.
(KO) 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자는 기판, 상기 기판 상에 배치된 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 절연층의 면적보다 작은 면적을 갖는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 상에 배치된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 각각 상에 배치된 복수의 반도체 구조물, 및 상기 복수의 반도체 구조물 상에 배치된 복수의 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 절연층은 상기 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제2 전극 및 상기 복수의 반도체 구조물이 수직으로 중첩되는 중첩 영역 및 상기 중첩 영역에서 상기 기판의 제1 외측을 향하여 돌출된 돌출 패턴을 포함한다.
Documents de brevet associés
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