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1. WO2022092518 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT

Numéro de publication WO/2022/092518
Date de publication 05.05.2022
N° de la demande internationale PCT/KR2021/011468
Date du dépôt international 26.08.2021
CIB
H01L 33/20 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 25/075 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
H01L 27/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 25/16 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux H01L27/-H01L51/129
H01L 33/32 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
H01L 33/10 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
10ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
CPC
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
H01L 33/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
H01L 33/325
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
325characterised by the doping materials
H01L 33/382
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
382the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
H01L 33/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
42Transparent materials
Déposants
  • 삼성디스플레이 주식회사 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 심영출 SIM, Young Chul
  • 차형래 CHA, Hyung Rae
  • 김동욱 KIM, Dong Uk
  • 장성애 JANG, Sung Ae
  • 함지현 HAM, Ji Hyun
Mandataires
  • 오종한 OH, Jong Han
  • 문용호 MOON, Yong Ho
Données relatives à la priorité
10-2020-014479402.11.2020KR
Langue de publication Coréen (ko)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT
(KO) 발광 소자, 발광 소자의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치
Abrégé
(EN) Provided is a light-emitting element comprising: a first semiconductor layer including a first type of semiconductor, and including a first_1 semiconductor layer and a first_2 semiconductor layer arranged in the longitudinal direction of the light-emitting element; a second semiconductor layer comprising a second type of semiconductor different from the first type; an active layer disposed between the first_2 semiconductor layer and the second semiconductor layer; and an interlayer disposed between the first_1 semiconductor layer and the first_2 semiconductor layer, and having a porous structure.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent comprenant : une première couche semi-conductrice comprenant un premier type de semi-conducteur, et comprenant une première_1 couche semi-conductrice et une première_2 couche semi-conductrice disposées dans la direction longitudinale de l'élément électroluminescent ; une seconde couche semi-conductrice comprenant un second type de semi-conducteur différent du premier type ; une couche active disposée entre la première_1 couche semi-conductrice et la seconde couche de semi-conducteur ; et une couche intermédiaire disposée entre la première_1 couche semi-conductrice et la première_2 couche semi-conductrice, et ayant une structure poreuse.
(KO) 발광 소자로서, 제1 타입의 반도체를 포함하고, 상기 발광 소자의 길이 방향으로 배열된 제1_1 반도체층 및 제1_2 반도체층을 포함하는 제1 반도체층; 상기 제1 타입과는 상이한 제2 타입의 반도체를 포함하는, 제2 반도체층; 상기 제1_2 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층; 및 상기 제1_1 반도체층과 상기 제1_2 반도체층 사이에 배치되고, 다공성(porous) 구조를 가지는 중간층; 을 포함하는, 발광 소자가 제공될 수 있다.
Documents de brevet associés
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