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1. WO2022091988 - STRUCTURE DE LIAISON, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT LADITE STRUCTURE DE LIAISON

Numéro de publication WO/2022/091988
Date de publication 05.05.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2021/039202
Date du dépôt international 25.10.2021
CIB
B23K 20/00 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
20Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p.ex. revêtement ou placage
C22C 5/06 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
5Alliages à base de métaux nobles
06Alliages à base d'argent
H01L 21/52 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
B22F 3/24 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
FTRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
3Fabrication de pièces ou d'objets à partir de poudres métalliques, caractérisée par le mode de compactage ou de frittage; Appareils spécialement conçus pour cette fabrication
24Traitement ultérieur des pièces ou objets
Déposants
  • 田中貴金属工業株式会社 TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 岸本 貴臣 KISHIMOTO Takaomi
  • 竹内 順一 TAKEUCHI Junichi
  • 鳥海 啓 TORINOUMI Hiraku
Mandataires
  • 特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ TANAKA AND OKAZAKI
Données relatives à la priorité
2020-18156829.10.2020JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) BONDING STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SAID BONDING STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE LIAISON, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT LADITE STRUCTURE DE LIAISON
(JA) 接合構造及び該接合構造を有する半導体装置
Abrégé
(EN) The present invention pertains to a bonding structure to be formed when, for example, a Si semiconductor or the like and a substrate are materials to be bonded and said pair of materials to be bonded are bonded by liquid phase diffusion bonding. This bonding structure encompasses a bonding part that exhibits a specific material construction. The metal composition of this bonding part comprises: 78.0% to 80.0% by mass, inclusive, of Ag; 20.0% to 22.0% by mass, inclusive, of Sn; and unavoidable impurity elements. Additionally, when any cross-section of the bonding part is observed, a characteristic material construction is exhibited which is constituted by: an island-shaped Ag phase containing 95% by mass or more of Ag; and an Ag3Sn phase comprising an Ag3Sn intermetallic compound surrounding the island-shaped Ag phase. The bonding part provided to this bonding structure has suitable bonding strength and is excellent in heat resistance and durability due to the aforementioned material construction.
(FR) La présente invention concerne une structure de liaison destinée à être formée lorsque, par exemple, un semi-conducteur Si ou similaire et un substrat sont des matériaux à lier et ladite paire de matériaux à lier est liée par liaison par diffusion en phase liquide. La présente structure de liaison comprend une partie de liaison qui présente une construction de matériau spécifique. La composition métallique de la présente partie de liaison comprend : 78,0 % à 80,0 % en masse, inclus, d'Ag ; 20,0 % à 22,0 % en masse, inclus, de Sn ; et des éléments d'impuretés inévitables. De plus, lorsqu'une section transversale quelconque de la partie de liaison est observée, une construction de matériau caractéristique est présentée qui est constituée par : une phase Ag en forme d'îlot contenant 95 % en masse ou plus d'Ag ; et une phase Ag3Sn comprenant un composé intermétallique Ag3Sn entourant la phase Ag en forme d'îlot. La partie de liaison disposée sur cette structure de liaison présente une résistance de liaison appropriée et présente une excellente résistance à la chaleur et une excellente durabilité en raison de la construction de matériau susmentionnée.
(JA) 本発明は、例えば、Si半導体等と基板とを被接合材とし、これら一対の被接合材を液相拡散接合により接合するときに形成すべき接合構造に関する。この接合構造は、特異的な材料組織を呈する接合部を包含する。この接合部の金属組成は、78.0質量%以上80.0質量%以下のAgと、20.0質量%以上22.0質量%以下のSnと、不可避不純物元素とからなる。そして、接合部の任意断面を観察したとき、95質量%以上のAgを含む島状のAg相と、前記島状のAg相を取り囲むAgSn金属間化合物からなるAgSn相とで構成される特徴的な材料組織を呈する。本発明の接合構造が備える接合部は、接合強度が好適であり、前記の材料組織に起因して耐熱性及び耐久性に優れる。
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