Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2022091288 - BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2022/091288
Date de publication 05.05.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2020/040606
Date du dépôt international 29.10.2020
CIB
H01L 23/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H01L 23/36 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/48 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/07 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 25/18 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
CPC
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
H01L 23/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
H01L 25/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 原田 耕三 HARADA, Kozo
  • 六分一 穂隆 ROKUBUICHI, Hodaka
Mandataires
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体パッケージ、半導体装置および電力変換装置
Abrégé
(EN) A semiconductor package (100) is provided with a semiconductor element (1), a first insulating layer (5), a first wiring layer (6), a second insulating layer (7), and a second wiring layer (8). The first insulating layer (5) covers the semiconductor element (1). The first wiring layer (6) includes a first layer part (61). The first layer part (61) covers the first insulating layer (5). The second insulating layer (7) covers the first insulating layer (5) and the first wiring layer (6). The second wiring layer (8) passes through a second through hole (TH2) and a third through hole (TH3) and is electrically connected to the semiconductor element (1). The second wiring layer (8) includes a second layer part (81). The second layer part (81) covers the second insulating layer (7). The second layer part (81) of the second wiring layer (8) has a portion overlapping the first layer part (61) of the first wiring layer (6) with the second insulating layer (7) sandwiched therebetween.
(FR) La présente invention concerne un boîtier de semi-conducteur (100) qui est pourvu d'un élément semi-conducteur (1), d'une première couche isolante (5), d'une première couche de câblage (6), d'une deuxième couche isolante (7) et d'une deuxième couche de câblage (8). La première couche isolante (5) recouvre l'élément semi-conducteur (1). La première couche de câblage (6) comprend une première partie de couche (61). La première partie de couche (61) recouvre la première couche isolante (5). La deuxième couche isolante (7) recouvre la première couche isolante (5) et la première couche de câblage (6). La deuxième couche de câblage (8) passe à travers un deuxième trou traversant (TH2) et un troisième trou traversant (TH3) et est électriquement connectée à l'élément semi-conducteur (1). La deuxième couche de câblage (8) comprend une deuxième partie de couche (81). La deuxième partie de couche (81) recouvre la deuxième couche isolante (7). La deuxième partie de couche (81) de la deuxième couche de câblage (8) a une partie chevauchant la première partie de couche (61) de la première couche de câblage (6) avec la deuxième couche isolante (7) prise en sandwich entre celles-ci.
(JA) 半導体パッケージ(100)は、半導体素子(1)と、第1絶縁層(5)と、第1配線層(6)と、第2絶縁層(7)と、第2配線層(8)とを備えている。第1絶縁層(5)は、半導体素子(1)を覆っている。第1配線層(6)は、第1層部(61)を含んでいる。第1層部(61)は、第1絶縁層(5)を覆っている。第2絶縁層(7)は、第1絶縁層(5)および第1配線層(6)を覆っている。第2配線層(8)は、第2貫通孔(TH2)および第3貫通孔(TH3)を通って半導体素子(1)に電気的に接続されている。第2配線層(8)は、第2層部(81)を含んでいる。第2層部(81)は、第2絶縁層(7)を覆っている。第2配線層(8)の第2層部(81)は、第2絶縁層(7)を挟み込んだ状態で第1配線層(6)の第1層部(61)に重ねられた部分を有している。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international