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1. WO2022079033 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR À ÉMISSION DE LUMIÈRE ET COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR À ÉMISSION DE LUMIÈRE

Numéro de publication WO/2022/079033
Date de publication 21.04.2022
N° de la demande internationale PCT/EP2021/078190
Date du dépôt international 12.10.2021
CIB
H01S 5/042 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042Excitation électrique
H01S 5/22 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
20Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
22ayant une structure à nervures ou à bandes
CPC
H01S 2301/176
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
17Semiconductor lasers comprising special layers
176Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
H01S 5/04253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
042Electrical excitation ; ; Circuits therefor
0425Electrodes, e.g. characterised by the structure
04252characterised by the material
04253having specific optical properties, e.g. transparent electrodes
H01S 5/183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
H01S 5/222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
22having a ridge or stripe structure
2205comprising special burying or current confinement layers
2218having special optical properties
222having a refractive index lower than that of the cladding layers or outer guiding layers
Déposants
  • AMS-OSRAM INTERNATIONAL GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • LELL, Alfred
  • RÖLLGEN, Stefan
  • TAEGER, Sebastian
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
10 2020 127 014.314.10.2020DE
Langue de publication Allemand (de)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHT EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR À ÉMISSION DE LUMIÈRE ET COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR À ÉMISSION DE LUMIÈRE
Abrégé
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements (100) angegeben mit den Schritten: - Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Aufwachsrichtung in einer vertikalen Richtung (92), wobei die Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht (3) aufgewachsen wird, die dazu eingerichtet und vorgesehen ist, im Betrieb in zumindest einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen, - Ausbilden zumindest einer Erhöhung (4) auf einer in vertikaler Richtung angeordneten oberen Seite der Halbleiterschichtenfolge, wobei die Erhöhung mit einer Oberseitenfläche (40) in vertikaler Richtung und mit zumindest einer lateralen Seitenfläche (41) in lateraler Richtung (90) abschließt und wobei die Oberseitenfläche und die zumindest eine laterale Seitenfläche zumindest teilweise durch ein erstes transparentes leitendes Oxid (42) gebildet wird. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (100) angegeben.
(EN) The invention relates to a method for producing a light-emitting semiconductor component (100), comprising the steps of: - growing a semiconductor layer sequence (2) with a growth direction in a vertical direction (92), the semiconductor layer sequence being grown with an active layer (3), which is configured and provided for producing light (8) in at least one active region (5) during operation, - forming at least one elevation (4) on a top face of the semiconductor layer sequence, which top face is arranged in the vertical direction, the elevation terminating with a top surface (40) in the vertical direction and with at least one lateral side surface (41) in the lateral direction (90), and the top surface and the at least one lateral side surface being formed at least partially by a first transparent conductive oxide (42). The invention also relates to a light-emitting semiconductor component (100).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant à semi-conducteur à émission de lumière (100), qui comprend les étapes suivantes : - croissance d'une succession de couches semi-conductrices (2) avec une direction de croissance verticale (92), la succession de couches semi-conductrices que l’on fait croître comprenant une couche active (3) qui est conçue et prévue pour produire de la lumière (8) dans au moins une zone active (5) pendant le fonctionnement, - formation d'au moins un relief (4) sur un côté supérieur de la succession de couches semi-conductrices dans la direction verticale, le relief étant bordé d'une surface supérieure (40) dans la direction verticale et d'au moins surface latérale (41) dans la direction latérale (90), et la surface supérieure et ladite au moins une surface latérale étant formées au moins en partie par un premier oxyde conducteur transparent (42). L'invention concerne également un composant à semi-conducteur à émission de lumière (100).
Documents de brevet associés
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