(EN) Provided are a GaAs wafer that is particularly suitable for LiDAR sensor production and a method for producing a GaAs ingot that enables obtaining this GaAs wafer. This GaAs wafer includes: a silicon concentration of 5.0 x 10 17 cm-3 or greater but less than 3.5 x 1018 cm-3; an indium concentration of 3.0 x 1017cm-3 or greater but less than 3.0 x 1019 cm-3; and a boron concentration of 1.0 x 1018 cm-3 or greater. The average dislocation density is 1500 dislocations/cm2 or less.
(FR) L'invention concerne une tranche de GaAs qui est particulièrement appropriée pour la production de capteur LiDAR et un procédé de production d'un lingot de GaAs qui permet d'obtenir cette tranche de GaAs. Cette tranche de GaAs comprend : une concentration en silicium supérieure ou égale à 5,0 x 10 17 cm-3 mais inférieure à 3,5 x 1018 cm-3; une concentration en indium supérieure ou égale à 3,0 x 1017cm-3 mais inférieure à 3,0 x 1019 cm-3; et une concentration en bore supérieure ou égale à 1,0 x 1018 cm-3. La densité de dislocation moyenne est inférieure ou égale à 1500 dislocations/cm2.
(JA) 特にLiDAR用のセンサ製造に用いて好適なGaAsウエハ及びこのGaAsウエハを得ることのできるGaAsインゴットの製造方法を提供する。 本発明によるGaAsウエハは、5.0×1017cm-3以上3.5×1018cm-3未満のシリコン濃度と、3.0×1017cm-3以上3.0×1019cm-3未満のインジウム濃度と、1.0×1018cm-3以上のボロン濃度と、を有し、平均転位密度が1500個/cm2以下である。