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1. WO2022075112 - TRANCHE DE GaAs ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LINGOT DE GaAs

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Numéro de publication WO/2022/075112
Date de publication 14.04.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2021/035464
Date du dépôt international 27.09.2021
CIB
C30B 29/42 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40Composés AIII BV
42Arséniure de gallium
C30B 11/08 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
04en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
08tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation
CPC
C30B 11/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
04adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
08every component of the crystal composition being added during the crystallisation
C30B 29/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
42Gallium arsenide
Déposants
  • ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 砂地　直也 SUNACHI Naoya
  • 鳥羽　隆一 TOBA Ryuichi
  • 赤石　晃 AKAISHI Akira
Mandataires
  • 杉村　憲司 SUGIMURA Kenji
Données relatives à la priorité
2020-16875005.10.2020JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) GaAs WAFER AND METHOD FOR PRODUCING GaAs INGOT
(FR) TRANCHE DE GaAs ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LINGOT DE GaAs
(JA) ＧａＡｓウエハ及びＧａＡｓインゴットの製造方法
front page image
Abrégé
(EN) Provided are a GaAs wafer that is particularly suitable for LiDAR sensor production and a method for producing a GaAs ingot that enables obtaining this GaAs wafer.　This GaAs wafer includes: a silicon concentration of 5.0 x 10 17 cm-3 or greater but less than 3.5 x 1018 cm-3; an indium concentration of 3.0 x 1017cm-3 or greater but less than 3.0 x 1019 cm-3; and a boron concentration of 1.0 x 1018 cm-3 or greater. The average dislocation density is 1500 dislocations/cm2 or less.
(FR) L'invention concerne une tranche de GaAs qui est particulièrement appropriée pour la production de capteur LiDAR et un procédé de production d'un lingot de GaAs qui permet d'obtenir cette tranche de GaAs.　Cette tranche de GaAs comprend : une concentration en silicium supérieure ou égale à 5,0 x 10 17 cm-3 mais inférieure à 3,5 x 1018 cm-3; une concentration en indium supérieure ou égale à 3,0 x 1017cm-3 mais inférieure à 3,0 x 1019 cm-3; et une concentration en bore supérieure ou égale à 1,0 x 1018 cm-3. La densité de dislocation moyenne est inférieure ou égale à 1500 dislocations/cm2.
(JA) 特にＬｉＤＡＲ用のセンサ製造に用いて好適なＧａＡｓウエハ及びこのＧａＡｓウエハを得ることのできるＧａＡｓインゴットの製造方法を提供する。　本発明によるＧａＡｓウエハは、５．０×１０１７ｃｍ－３以上３．５×１０１８ｃｍ－３未満のシリコン濃度と、３．０×１０１７ｃｍ－３以上３．０×１０１９ｃｍ－３未満のインジウム濃度と、１．０×１０１８ｃｍ－３以上のボロン濃度と、を有し、平均転位密度が１５００個／ｃｍ２以下である。
Documents de brevet associés
JP2022060960
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