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1. WO2022075100 - PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE DÉFAUT, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE DÉFAUT POUR SUBSTRAT SOI ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE DÉFAUT POUR SUBSTRAT MULTICOUCHE

Numéro de publication WO/2022/075100
Date de publication 14.04.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2021/035252
Date du dépôt international 27.09.2021
CIB
H01L 21/66 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
G01N 23/205 2018.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
23Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement (ondes ou particules), p.ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes G01N3/-G01N17/201
20en utilisant la diffraction de la radiation par les matériaux, p.ex. pour rechercher la structure cristalline; en utilisant la diffusion de la radiation par les matériaux, p.ex. pour rechercher les matériaux non cristallins; en utilisant la réflexion de la radiation par les matériaux
205en utilisant des caméras de diffraction
G01N 23/2055 2018.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
23Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement (ondes ou particules), p.ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes G01N3/-G01N17/201
20en utilisant la diffraction de la radiation par les matériaux, p.ex. pour rechercher la structure cristalline; en utilisant la diffusion de la radiation par les matériaux, p.ex. pour rechercher les matériaux non cristallins; en utilisant la réflexion de la radiation par les matériaux
2055Analyse des diagrammes de diffraction
CPC
G01N 23/205
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
23Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
20by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
205using diffraction cameras
G01N 23/2055
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
23Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
20by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
2055Analysing diffraction patterns
H01L 22/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Déposants
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 斉藤 久之 SAITO Hisayuki
Mandataires
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
  • 大塚 徹 OTSUKA Toru
Données relatives à la priorité
2020-16868205.10.2020JP
2021-08460919.05.2021JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) DEFECT EVALUATION METHOD, DEFECT EVALUATION METHOD FOR SOI SUBSTRATE, AND DEFECT EVALUATION METHOD FOR MULTILAYER SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE DÉFAUT, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE DÉFAUT POUR SUBSTRAT SOI ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE DÉFAUT POUR SUBSTRAT MULTICOUCHE
(JA) 欠陥評価方法、SOI基板の欠陥評価方法、及び多層基板の欠陥評価方法
Abrégé
(EN) The present invention provides a defect evaluation method for evaluating by XRT a defect in a multilayer substrate comprising a plurality of single crystalline layers in which a plurality of single crystalline substrates are bonded together. The defect evaluation method is characterized by comprising: a step for preparing the multilayer substrate and determining an X-ray diffraction angle with respect to each of the plurality of single crystalline layers in the multilayer substrate; an XRT image acquiring step for acquiring an XRT image of each of the plurality of single crystalline layers in accordance with the X-ray diffraction angle of each of the plurality of single crystalline layers determined in the step for determining the X-ray diffraction angle; and a defect in-plane generated position identifying step for identifying, from the XRT image of each of the plurality of single crystalline layers obtained in the XRT image acquiring step, the in-plane generated position of the defect of each of the plurality of single crystalline layers. Thus, a defect evaluation method is provided which, with respect to a multilayer substrate comprising a plurality of single crystalline substrates bonded together, enables highly sensitive measurement of a small defect even after the bonding.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'évaluation de défaut pour évaluer par XRT un défaut dans un substrat multicouche comprenant une pluralité de couches monocristallines individuelles dans lesquelles une pluralité de substrats monocristallins individuels sont liés ensemble. Le procédé d'évaluation de défaut est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de préparation du substrat multicouche et de détermination d'un angle de diffraction de rayons X par rapport à chacune de la pluralité de couches monocristallines dans le substrat multicouche; une étape d'acquisition d'image XRT pour acquérir une image XRT de chacune de la pluralité de couches monocristallines selon l'angle de diffraction de rayons X de chacune de la pluralité de couches monocristallines déterminées dans l'étape de détermination de l'angle de diffraction de rayons X; et une étape d'identification de position générée dans le plan du défaut pour identifier, à partir de l'image XRT de chacune de la pluralité de couches monocristallines obtenues dans l'étape d'acquisition d'image XRT, la position générée dans le plan du défaut de chacune de la pluralité de couches monocristallines. Ainsi, l'invention concerne un procédé d'évaluation de défaut qui, par rapport à un substrat multicouche comprenant une pluralité de substrats monocristallins liés ensemble, permet une mesure très sensible d'un petit défaut même après la liaison.
(JA) 本発明は、複数の単結晶基板を貼り合わせた、複数の単結晶層を有する多層基板中の欠陥をXRTで評価する欠陥評価方法であって、前記多層基板を用意し、該多層基板中の複数の単結晶層のそれぞれについて、X線の回折角度を求める工程と、該X線の回折角度を求める工程で得た、前記複数の単結晶層のそれぞれの前記X線の回折角度に合わせて、前記複数の単結晶層のそれぞれのXRT画像を取得するXRT画像取得工程と、該XRT画像取得工程で得た、前記複数の単結晶層のそれぞれの前記XRT画像から、前記複数の単結晶層のそれぞれの前記欠陥の面内発生位置を特定する欠陥面内発生位置特定工程とを有することを特徴とする欠陥評価方法である。これにより、複数の単結晶基板を貼り合わせた多層基板について、貼り合わせ後であっても小さな欠陥の高感度な測定を可能とする欠陥評価方法が提供される。
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