(EN) The present invention provides a defect evaluation method for evaluating by XRT a defect in a multilayer substrate comprising a plurality of single crystalline layers in which a plurality of single crystalline substrates are bonded together. The defect evaluation method is characterized by comprising: a step for preparing the multilayer substrate and determining an X-ray diffraction angle with respect to each of the plurality of single crystalline layers in the multilayer substrate; an XRT image acquiring step for acquiring an XRT image of each of the plurality of single crystalline layers in accordance with the X-ray diffraction angle of each of the plurality of single crystalline layers determined in the step for determining the X-ray diffraction angle; and a defect in-plane generated position identifying step for identifying, from the XRT image of each of the plurality of single crystalline layers obtained in the XRT image acquiring step, the in-plane generated position of the defect of each of the plurality of single crystalline layers. Thus, a defect evaluation method is provided which, with respect to a multilayer substrate comprising a plurality of single crystalline substrates bonded together, enables highly sensitive measurement of a small defect even after the bonding.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'évaluation de défaut pour évaluer par XRT un défaut dans un substrat multicouche comprenant une pluralité de couches monocristallines individuelles dans lesquelles une pluralité de substrats monocristallins individuels sont liés ensemble. Le procédé d'évaluation de défaut est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de préparation du substrat multicouche et de détermination d'un angle de diffraction de rayons X par rapport à chacune de la pluralité de couches monocristallines dans le substrat multicouche; une étape d'acquisition d'image XRT pour acquérir une image XRT de chacune de la pluralité de couches monocristallines selon l'angle de diffraction de rayons X de chacune de la pluralité de couches monocristallines déterminées dans l'étape de détermination de l'angle de diffraction de rayons X; et une étape d'identification de position générée dans le plan du défaut pour identifier, à partir de l'image XRT de chacune de la pluralité de couches monocristallines obtenues dans l'étape d'acquisition d'image XRT, la position générée dans le plan du défaut de chacune de la pluralité de couches monocristallines. Ainsi, l'invention concerne un procédé d'évaluation de défaut qui, par rapport à un substrat multicouche comprenant une pluralité de substrats monocristallins liés ensemble, permet une mesure très sensible d'un petit défaut même après la liaison.
(JA) 本発明は、複数の単結晶基板を貼り合わせた、複数の単結晶層を有する多層基板中の欠陥をXRTで評価する欠陥評価方法であって、前記多層基板を用意し、該多層基板中の複数の単結晶層のそれぞれについて、X線の回折角度を求める工程と、該X線の回折角度を求める工程で得た、前記複数の単結晶層のそれぞれの前記X線の回折角度に合わせて、前記複数の単結晶層のそれぞれのXRT画像を取得するXRT画像取得工程と、該XRT画像取得工程で得た、前記複数の単結晶層のそれぞれの前記XRT画像から、前記複数の単結晶層のそれぞれの前記欠陥の面内発生位置を特定する欠陥面内発生位置特定工程とを有することを特徴とする欠陥評価方法である。これにより、複数の単結晶基板を貼り合わせた多層基板について、貼り合わせ後であっても小さな欠陥の高感度な測定を可能とする欠陥評価方法が提供される。