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1. WO2022075093 - OUTIL DE SERRAGE ET DISPOSITIF DE LAVAGE

Numéro de publication WO/2022/075093
Date de publication 14.04.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2021/035103
Date du dépôt international 24.09.2021
CIB
B08B 3/02 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08NETTOYAGE
BNETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
3Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation ou la présence d'un liquide ou de vapeur d'eau
02Nettoyage par la force de jets ou de pulvérisations
B08B 3/08 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08NETTOYAGE
BNETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
3Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation ou la présence d'un liquide ou de vapeur d'eau
04Nettoyage impliquant le contact avec un liquide
08le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
H01L 21/304 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/683 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
CPC
B08B 3/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
02Cleaning by the force of jets or sprays
B08B 3/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
04Cleaning involving contact with liquid
08the liquid having chemical or dissolving effect
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
Déposants
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 浜島 浩 HAMASHIMA, Hiroshi
Mandataires
  • 特許業務法人ブナ国際特許事務所 BUNA PATENT ATTORNEYS
Données relatives à la priorité
2020-17015307.10.2020JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CLAMPING TOOL AND WASHING DEVICE
(FR) OUTIL DE SERRAGE ET DISPOSITIF DE LAVAGE
(JA) クランプ用治具および洗浄装置
Abrégé
(EN) This clamping tool includes a column part, a grasping part that is positioned at one end of the column part and is to grasp an outer circumferential part of a substrate, and a base part that is positioned at the other end of the column part and supports the column part. At least the base part includes a ceramic that includes silicon carbide as a principal component. The average value of a cut level difference (Rδcl) that represents the difference between the cut level at a load length ratio of 25% on a roughness curve for the longitudinal direction of the base part and the cut level at a load length ratio of 75% on the roughness curve is smaller for an upper principal surface of the base part than for a lower principal surface of the base part.
(FR) Cet outil de serrage comprend une partie colonne, une partie de préhension qui est positionnée à une extrémité de la partie de colonne et qui est destinée à saisir une partie circonférentielle externe d'un substrat, et une partie de base qui est positionnée à l'autre extrémité de la partie colonne et supporte la partie colonne. Au moins la partie de base comprend une céramique qui comprend du carbure de silicium en tant que constituant principal. La valeur moyenne d'une différence de niveau de coupe (Rδcl) qui représente la différence entre le niveau de coupe à un rapport de longueur de charge de 25% sur une courbe de rugosité pour la direction longitudinale de la partie de base et le niveau de coupe à un rapport de longueur de charge de 75 % sur la courbe de rugosité est plus petit pour une surface principale supérieure de la partie de base que pour une surface principale inférieure de la partie de base.
(JA) 本開示に係るクランプ用治具は、支柱部と、支柱部の一方の端部に位置しており、基板の外周部を把持する把持部と、支柱部の他方の端部に位置しており、支柱部を支持する基部とを含む。少なくとも基部は、炭化珪素を主成分とするセラミックスを含む。基部の上側主面は、基部の下側主面よりも、基部の長手方向の粗さ曲線における25%の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における75%の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差(Rδcl)の平均値が小さい。
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