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1. WO2022072079 - SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE MANIPULATION DE SUBSTRAT POUR TRAITEMENT CMP

Numéro de publication WO/2022/072079
Date de publication 07.04.2022
N° de la demande internationale PCT/US2021/046605
Date du dépôt international 19.08.2021
CPC
B24B 37/042
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
042operating processes therefor
B24B 37/105
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
07characterised by the movement of the work or lapping tool
10for single side lapping
105the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
B24B 37/30
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
27Work carriers
30for single side lapping of plane surfaces
B24B 37/34
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
34Accessories
B24B 57/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
57Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
02for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
H01L 21/02013
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02013Grinding, lapping
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • OH, Jeonghoon
  • GAJENDRA, Manoj A.
  • GARCIA, John Anthony
  • MYLAPPANAHALLI NARASINGAIAH, Chetan Kumar
  • CHAVA, Sanjay Bhanurao N
  • DOBHAL, Gagan
  • BALAKUMAR, Manoj
  • LEIGHTON, Jamie Stuart
  • NGUYEN, Van H.
Mandataires
  • PATTERSON, B. Todd
  • STEVENS, Joseph J.
Données relatives à la priorité
63/075,60708.09.2020US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE HANDLING SYSTEMS AND METHODS FOR CMP PROCESSING
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE MANIPULATION DE SUBSTRAT POUR TRAITEMENT CMP
Abrégé
(EN) A system and method for sequential single-sided CMP processing of opposite facing surfaces of a silicon carbide (SiC) substrate are disclosed. A method includes urging a first surface of a substrate against one of plurality of polishing pads, wherein the plurality of polishing pads are disposed on corresponding ones of a plurality of rotatable polishing platens. The method includes transferring, using the first side of the end effector, the substrate from the substrate carrier loading station to a substrate alignment station. The method includes transferring, using the first side of the end effector, the substrate from the substrate alignment station to a substrate carrier loading station. The method includes urging a second surface of the substrate against one of the plurality of polishing platens.
(FR) L'invention concerne un système et un procédé de traitement CMP, simple face, séquentiel, de surfaces opposées d'un substrat en carbure de silicium (SiC). Un procédé comprend la poussée d'une première surface d'un substrat contre l'une d'une pluralité de tampons de polissage, la pluralité de tampons de polissage étant disposés sur des plateaux de polissage correspondants parmi une pluralité de plateaux de polissage rotatifs. Le procédé comprend le transfert, à l'aide du premier côté de l'effecteur terminal, du substrat de la station de chargement de support de substrat à une station d'alignement de substrat. Le procédé comprend le transfert, à l'aide du premier côté de l'effecteur terminal, du substrat de la station d'alignement de substrat à une station de chargement de support de substrat. Le procédé comprend la poussée d'une seconde surface du substrat contre l'une de la pluralité de plateaux de polissage.
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