(EN) A preparation method for a semiconductor device. The preparation method comprises: providing a substrate, and forming an active region and a shallow trench isolation structure on the substrate (S100); forming a first isolation layer inside the active region by means of an ion doping technique (S200); performing ion implantation on the active region that is enclosed within the first isolation layer to form a first wordline structure (S300); forming a second wordline structure within the shallow trench isolation structure, the first wordline structure and the second wordline structure connecting to form a buried wordline structure that extends along the surface of the substrate (S400).
(FR) Procédé de préparation pour un dispositif semi-conducteur. Le procédé de préparation consiste à : fournir un substrat et former une région active et une structure d'isolation de rainure peu profonde sur le substrat (S100) ; former une première couche d'isolation à l'intérieur de la région active au moyen d'une technique de dopage ionique (S200) ; effectuer une implantation ionique sur la région active qui est enfermée à l'intérieur de la première couche d'isolation pour former une première structure de ligne de mots (S300) ; former une seconde structure de ligne de mots à l'intérieur de la structure d'isolation de rainure peu profonde, la première structure de ligne de mots et la seconde structure de ligne de mots se connectant pour former une structure de ligne de mots enterrée qui s'étend le long de la surface du substrat (S400).
(ZH) 一种半导体器件的制备方法。所述制备方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成有源区和浅沟槽隔离结构（S100）；采用离子掺杂技术在所述有源区的内部形成第一隔离层（S200），对第一隔离层内包围的有源区进行离子注入，形成第一字线结构（S300）；在浅沟槽隔离结构内形成第二字线结构，第一字线结构和第二字线结构连接形成沿所述衬底表面延伸的埋入式字线结构（S400）。
