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1. WO2022048243 - PROCÉDÉ DE PRÉPARATION POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2022/048243
Date de publication 10.03.2022
N° de la demande internationale PCT/CN2021/100706
Date du dépôt international 17.06.2021
CIB
H01L 27/108 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
108Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
CPC
H01L 27/108
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
H01L 27/10891
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10844Multistep manufacturing methods
10847for structures comprising one transistor one-capacitor memory cells
10882with at least one step of making a data line
10891with at least one step of making a word line
Déposants
  • 长鑫存储技术有限公司 CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 陈涛 CHEN, Tao
Mandataires
  • 北京律智知识产权代理有限公司 BEIJING INTELLEGAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
202010927242.007.09.2020CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) PREPARATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体器件的制备方法
Abrégé
(EN) A preparation method for a semiconductor device. The preparation method comprises: providing a substrate, and forming an active region and a shallow trench isolation structure on the substrate (S100); forming a first isolation layer inside the active region by means of an ion doping technique (S200); performing ion implantation on the active region that is enclosed within the first isolation layer to form a first wordline structure (S300); forming a second wordline structure within the shallow trench isolation structure, the first wordline structure and the second wordline structure connecting to form a buried wordline structure that extends along the surface of the substrate (S400).
(FR) Procédé de préparation pour un dispositif semi-conducteur. Le procédé de préparation consiste à : fournir un substrat et former une région active et une structure d'isolation de rainure peu profonde sur le substrat (S100) ; former une première couche d'isolation à l'intérieur de la région active au moyen d'une technique de dopage ionique (S200) ; effectuer une implantation ionique sur la région active qui est enfermée à l'intérieur de la première couche d'isolation pour former une première structure de ligne de mots (S300) ; former une seconde structure de ligne de mots à l'intérieur de la structure d'isolation de rainure peu profonde, la première structure de ligne de mots et la seconde structure de ligne de mots se connectant pour former une structure de ligne de mots enterrée qui s'étend le long de la surface du substrat (S400).
(ZH) 一种半导体器件的制备方法。所述制备方法包括:提供一衬底,在所述衬底上形成有源区和浅沟槽隔离结构(S100);采用离子掺杂技术在所述有源区的内部形成第一隔离层(S200),对第一隔离层内包围的有源区进行离子注入,形成第一字线结构(S300);在浅沟槽隔离结构内形成第二字线结构,第一字线结构和第二字线结构连接形成沿所述衬底表面延伸的埋入式字线结构(S400)。
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