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1. WO2022004269 - PHOTODÉTECTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2022/004269
Date de publication 06.01.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2021/021277
Date du dépôt international 03.06.2021
CIB
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 21/3205 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/768 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/522 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/532 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
532caractérisées par les matériaux
H04N 5/369 2011.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 栃木 靖久 TOCHIGI, Yasuhisa
  • 渡部 泰一郎 WATANABE, Taiichiro
  • 古閑 史彦 KOGA, Fumihiko
Mandataires
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
Données relatives à la priorité
2020-11198329.06.2020JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PHOTODETECTOR AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PHOTODÉTECTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 光検出装置、及び電子機器
Abrégé
(EN) A photodetector comprising: a photoelectric conversion layer provided on a first substrate; a diffusion region that is provided on a second substrate bonded to the first substrate and accumulates charge photoelectrically converted by the photoelectric conversion layer; and a connection portion that is provided from the first substrate to the second substrate as a multilayer structure including vias and wiring layers and electrically connects the photoelectric conversion layer and the diffusion region, wherein the connection portion is provided so that a plane region of each layer is included in the plane region of the layer having the largest plane region in a plan view from the normal direction of the main surfaces of the first substrate and the second substrate.
(FR) La présente invention concerne un photodétecteur qui comprend : une couche de conversion photoélectrique disposée sur un premier substrat ; une région de diffusion qui est disposée sur un second substrat lié au premier substrat et qui accumule une charge convertie de manière photoélectrique par la couche de conversion photoélectrique ; et une partie de connexion qui est disposée du premier substrat au second substrat sous la forme d'une structure multicouche comprenant des trous d'interconnexion et des couches de câblage et connecte électriquement la couche de conversion photoélectrique et la région de diffusion, la partie de connexion étant disposée de telle sorte qu'une région plane de chaque couche est incluse dans la région plane de la couche ayant la plus grande région plane dans une vue en plan à partir de la direction normale des surfaces principales du premier substrat et du second substrat.
(JA) 第1基板に設けられた光電変換層と、前記第1基板と貼り合わせられた第2基板に設けられ、前記光電変換層にて光電変換された電荷を蓄積する拡散領域と、ビア及び配線層を含む多層構造にて前記第1基板から前記第2基板に亘って設けられ、前記光電変換層と、前記拡散領域とを電気的に接続する接続部と、を備え、前記接続部は、前記第1基板及び前記第2基板の主面の法線方向から平面視した際に、平面領域が最も大きい層の前記平面領域に各層の前記平面領域が包含されるように設けられる、光検出装置。
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