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1. WO2022001779 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT

Numéro de publication WO/2022/001779
Date de publication 06.01.2022
N° de la demande internationale PCT/CN2021/101801
Date du dépôt international 23.06.2021
CIB
H01L 21/762 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
H01L 21/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/265 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
265produisant une implantation d'ions
H01L 21/263 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
H01L 21/306 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 21/3065 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants
  • 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 NINGBO SEMICONDUCTOR INTERNATIONAL CORPORATION (SHANGHAI BRANCH) [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 黄河 HUANG, Herb He
  • 丁敬秀 DING, Jingxiu
  • 向阳辉 XIANG, Yanghui
Mandataires
  • 上海思捷知识产权代理有限公司 SHANGHAI SAVVY IP AGENCY CO., LTD.
Données relatives à la priorité
202010627027.901.07.2020CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT
(ZH) 绝缘体上半导体结构的制造方法
Abrégé
(EN) Provided is a method for manufacturing a semiconductor-on-insulator structure. The method comprises: firstly carrying out P-type ion implantation on a first wafer to form a first ion doping layer, and dividing the first wafer into a sandwich structure composed of a substrate wafer layer, the first ion doping layer and a surface wafer layer; then bonding the first wafer to a second wafer by means of a first oxidation bonding layer formed on the surface of the surface wafer layer and a second oxidation bonding layer formed on the surface of the second wafer; and removing the substrate wafer layer, and then removing the first ion doping layer by means of an etching process, thereby forming a semiconductor-on-insulator structure. The depth and the thickness of the first ion doping layer limit the thickness of a top semiconductor layer of the semiconductor-on-insulator structure, and the first ion doping layer is a corrosion enhancement layer, can be rapidly removed by means of the etching process and does not cause unnecessary damage to the top semiconductor layer, so as to make the top semiconductor layer thinner and more uniform in film thickness.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de semi-conducteur sur isolant. Le procédé consiste à : tout d'abord réaliser une implantation ionique de type P sur une première tranche pour former une première couche de dopage ionique, et diviser la première tranche en une structure en sandwich composée d'une couche de tranche de substrat, de la première couche de dopage ionique et d'une couche de tranche de surface ; puis lier la première tranche à une seconde tranche au moyen d'une première couche de liaison par oxydation formée sur la surface de la couche de tranche de surface et d'une seconde couche de liaison par oxydation formée sur la surface de la seconde tranche ; et retirer la couche de tranche de substrat, puis retirer la première couche de dopage ionique au moyen d'un procédé de gravure, ce qui permet de former une structure de semi-conducteur sur isolant. La profondeur et l'épaisseur de la première couche de dopage ionique limitent l'épaisseur d'une couche de semi-conducteur supérieure de la structure de semi-conducteur sur isolant, et la première couche de dopage ionique est une couche d'amélioration de corrosion, peut être rapidement retirée au moyen du procédé de gravure, et n'endommage pas inutilement la couche de semi-conducteur supérieure, de manière à rendre la couche de semi-conducteur supérieure plus mince et plus uniforme dans l'épaisseur du film.
(ZH) 本发明提供了一种绝缘体上半导体结构的制造方法,先通过对第一晶圆进行P型离子注入,形成了第一离子掺杂层,并将所述第一晶圆划分为由基底晶圆层、第一离子掺杂层和表面晶圆层组成的三明治结构,后通过表面晶圆层表面上形成的第一氧化键合层以及第二晶圆表面上形成的第二氧化键合层,将第一晶圆键合到第二晶圆上,之后先去除基底晶圆层,再通过刻蚀工艺去除第一离子掺杂层,从而形成绝缘体上半导体结构。其中第一离子掺杂层的深度和厚度限定了绝缘体上半导体结构的顶层半导体层厚度,且该第一离子掺杂层为腐蚀增强层,能通过刻蚀工艺快速去除且不会对顶层半导体层造成不必要的损伤,以使得顶层半导体层更薄、膜厚更均匀。
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