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1. WO2021065327 - ÉLÉMENT RÉSISTANT À LA CORROSION

Numéro de publication WO/2021/065327
Date de publication 08.04.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2020/033461
Date du dépôt international 03.09.2020
CIB
C23C 14/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06caractérisé par le matériau de revêtement
C01F 5/28 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
FCOMPOSÉS DE BÉRYLLIUM, MAGNÉSIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARYUM, RADIUM, THORIUM OU COMPOSÉS DES MÉTAUX DES TERRES RARES
5Composés du magnésium
26Halogénures de magnésium
28Fluorures
C01F 7/50 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
FCOMPOSÉS DE BÉRYLLIUM, MAGNÉSIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARYUM, RADIUM, THORIUM OU COMPOSÉS DES MÉTAUX DES TERRES RARES
7Composés de l'aluminium
48Halogénures d'aluminium
50Fluorures
C23C 26/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
26Revêtements non prévus par les groupes C23C2/-C23C24/91
C30B 29/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
12Halogénures
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
CPC
C01F 5/28
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
5Compounds of magnesium
26Magnesium halides
28Fluorides
C01F 7/50
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
7Compounds of aluminium
48Aluminium halides
50Fluorides
C23C 14/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
C23C 26/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
26Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
C30B 29/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
12Halides
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
Déposants
  • 昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 宮石 壮 MIYAISHI So
  • 大久保 雅裕 OKUBO Masahiro
  • 吉村 真幸 YOSHIMURA Masayuki
  • 坂根 航 SAKANE Wataru
  • 田中 鉄兵 TANAKA Teppei
  • 中村 冴子 NAKAMURA Saeko
  • 山木 沙織 YAMAKI Saori
Mandataires
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
Données relatives à la priorité
2019-18410604.10.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CORROSION-RESISTANT MEMBER
(FR) ÉLÉMENT RÉSISTANT À LA CORROSION
(JA) 耐食性部材
Abrégé
(EN)
Provided is a corrosion-resistant member, a corrosion-resistant coating of which is difficult to peel from a base material even when subjected to a heat history. The corrosion-resistant member comprises: a metal base material (10); and a corrosion-resistant coating (30) formed on the surface of the base material (10). The corrosion-resistant coating (30) is obtained by stacking, from the base material (10) side: a magnesium fluoride layer (31) containing magnesium fluoride; and an aluminum fluoride layer (32) containing aluminum fluoride. The aluminum fluoride layer (32) is obtained by stacking, from the magnesium fluoride layer (31) side: a first crystalline layer (32A) which contains crystalline aluminum fluoride; a non-crystalline layer (32B) which contains non-crystalline aluminum fluoride; and a second crystalline layer (32C) which contains crystalline aluminum fluoride. The first crystalline layer (32A) and the second crystalline layer (32C) are layers in which diffraction spots are observed in an electron beam diffraction image, and the non-crystalline layer (32B) is a layer in which a halo pattern is observed in the electron beam diffraction image.
(FR)
Est décrit un élément résistant à la corrosion, dont le revêtement résistant à la corrosion est difficile à décoller d'un matériau de base même lorsqu'il est soumis à un historique thermique. L'élément résistant à la corrosion comprend : un matériau de base métallique (10) ; et un revêtement résistant à la corrosion (30) formé sur la surface du matériau de base (10). Le revêtement résistant à la corrosion est obtenu par empilement, à partir du côté du matériau de base (10) : d'une couche de fluorure de magnésium (31) contenant du fluorure de magnésium ; et d'une couche de fluorure d'aluminium (32) contenant du fluorure d'aluminium. La couche de fluorure d'aluminium (32) est obtenue par empilement, à partir du côté de la couche de fluorure de magnésium (31) : d'une première couche cristalline (32A) qui contient du fluorure d'aluminium cristallin ; d'une couche non cristalline (32B) qui contient du fluorure d'aluminium non cristallin ; et d'une seconde couche cristalline (32C) qui contient du fluorure d'aluminium cristallin. La première couche cristalline (32A) et la seconde couche cristalline (32C) sont des couches dans lesquelles des points de diffraction sont observés dans une image de diffraction de faisceau d'électrons, et la couche non cristalline (32B) est une couche dans laquelle un motif de halo est observé dans l'image de diffraction de faisceau d'électrons.
(JA)
熱履歴を受けても耐食性被膜が基材から剥離しにくい耐食性部材を提供する。耐食性部材は、金属製の基材(10)と、基材(10)の表面に形成された耐食性被膜(30)を備える。耐食性被膜(30)は、基材(10)側から、フッ化マグネシウムを含有するフッ化マグネシウム層(31)と、フッ化アルミニウムを含有するフッ化アルミニウム層(32)が積層されたものである。フッ化アルミニウム層(32)は、フッ化マグネシウム層(31)側から、含有するフッ化アルミニウムが結晶質である第一の結晶質層(32A)と、含有するフッ化アルミニウムが非晶質である非晶質層32Bと、含有するフッ化アルミニウムが結晶質である第二の結晶質層(32C)が積層されたものである。第一の結晶質層(32A)と第二の結晶質層(32C)は電子線回折像に回折スポットが観察される層であり、非晶質層(32B)は電子線回折像にハローパターンが観察される層である。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international