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1. WO2021060217 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE

Numéro de publication WO/2021/060217
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2020/035613
Date du dépôt international 18.09.2020
CIB
H01L 33/48 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 23/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02Conteneurs; Scellements
H01S 5/022 2021.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022Supports; Boîtiers
CPC
H01L 23/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
H01L 33/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
Déposants
  • DOWAエレクトロニクス株式会社 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 丸山 司 MARUYAMA Tsukasa
  • 新木 隆司 ARAKI Takashi
  • 宮地 岳広 MIYAJI Takehiro
Mandataires
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
Données relatives à la priorité
2019-17759727.09.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to provide an optical semiconductor device in which an optical semiconductor chip maintains long-term high reliability for high-temperature operations, and a production method for the same. The present invention is an optical semiconductor device production method comprising: a mounting step in which an optical semiconductor chip is installed upon a ceramic package substrate; a storage step in which the package substrate after the mounting step is stored in a first dry atmosphere; a placement step in which a translucent window material is placed on a bonding portion of the package substrate with a bonding material interposed therebetween, and with the area around the optical semiconductor chip upon the package substrate after the storage step serving as a second dry atmosphere; and a sealing step in which the bonding portion and the translucent window material are bonded by the bonding material in a low-oxygen-concentration atmosphere having an oxygen concentration of 1 vol% or less, whereby the optical semiconductor chip is sealed within a closed space formed by the package substrate and the translucent window material. The water concentration in the closed space after the sealing step is 1,000 ppm or less and the oxygen concentration is 3 vol% or less.
(FR)
L'objet de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur optique dans lequel une puce à semi-conducteur optique maintient une fiabilité élevée à long terme pour des opérations à haute température, et son procédé de production. La présente invention concerne un procédé de production de dispositif semi-conducteur optique comprenant : une étape de montage au cours de laquelle une puce à semi-conducteur optique est installée sur un substrat de boîtier céramique; une étape de stockage au cours de laquelle le substrat de conditionnement, après l'étape de montage, est stocké dans une première atmosphère sèche; une étape de mise en place au cours de laquelle un matériau de fenêtre translucide est placé sur une partie de liaison du substrat de boîtier, un matériau de liaison étant interposé entre ceux-ci, et la zone autour de la puce à semi-conducteur optique sur le substrat de boîtier après l'étape de stockage servant de seconde atmosphère sèche; et une étape de scellement dans laquelle la partie de liaison et le matériau de fenêtre translucide sont liés au moyen du matériau de liaison dans une atmosphère à faible concentration en oxygène présentant une concentration en oxygène inférieure ou égale à 1 % en volume, la puce à semi-conducteur optique étant scellée à l'intérieur d'un espace fermé formé par le substrat de boîtier et le matériau de fenêtre translucide. La concentration en eau dans l'espace fermé après l'étape d'étanchéité est inférieure ou égale à 1 000 ppm et la concentration en oxygène est inférieure ou égale à 3 % en volume.
(JA)
本発明は、高温動作において、光半導体チップが高信頼性を長期間維持する光半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、セラミックスからなるパッケージ基板上に光半導体チップを設置するマウント工程と、前記マウント工程後のパッケージ基板を第1乾燥雰囲気下で保管する保管工程と、前記保管工程後の前記パッケージ基板上の光半導体チップの周囲を第2乾燥雰囲気下とし、前記パッケージ基板の接合部に、接合材を介して透光性窓材を載せる載置工程と、酸素濃度1vol%以下の低酸素濃度雰囲気において前記接合材により前記接合部及び前記透光性窓材を接合することで、前記パッケージ基板及び前記透光性窓材により形成される閉鎖空間内に前記光半導体チップを封入する封止工程と、を有し、 前記封止工程後における、前記閉鎖空間の水分濃度を1000ppm以下、酸素濃度を3vol%以下とする、光半導体装置の製造方法である。
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